【課題】良好な磁場安定性と長期間に亘る通電安定性とを得る。
【解決手段】銅マトリックス１３の内部にＮｂ−Ｔｉ合金からなる多数本の超電導フィラメント１１が内蔵された永久電流用の超電導線材において、超電導フィラメントの周囲に動作環境下で超電導性を有さないＮｂ−Ｔａ合金１２ａが被覆されている。前記Ｎｂ−Ｔａ合金は、Ｔａを１０質量％以上５０質量％以下含有し、温度４．２Ｋにおける動作磁場の環境下で超電導性を有さない。また、前記Ｎｂ−Ｔａ合金は、ビッカース硬さが前記超電導フィラメントの１．０倍以上１．５倍以下である。 （もっと読む）

【課題】超電導臨界電流密度Ｊｃ値を向上しつつ、伸線加工中の断線率の低減を図る。
【解決手段】Ｔａ不純物が、２５００ｐｐｍ以下に管理されたＮｂＴｉ合金において、Ｔｉ濃度が４８．５ｗｔ％以上４９．８ｗｔ％以下である。前記ＮｂＴｉ合金を用いて、Ｎｂバリア層を安定化銅との間に設けた超電導用ＮｂＴｉ線材において、前記ＮｂＴｉ合金のＴｉ濃度が、４８．５ｗｔ％以上４９．８ｗｔ％以下でであり、磁場４Ｔ〜８Ｔで用いられる超電導用ＮｂＴｉ線材。 （もっと読む）

【課題】接続作業が容易で、良好な電導性を得る。
【解決手段】複数本のＮｂＴｉ超電導線同士を接続するＮｂＴｉ超電導線の接続方法において、各ＮｂＴｉ超電導線の接続部分のＮｂＴｉ超電導フィラメントを露出させる工程と、露出させたＮｂＴｉ超電導フィラメント露出部同士を同方向に並べて互いに重ね合わせる工程と、重ね合わせた前記ＮｂＴｉ超電導フィラメント露出部に金属パイプを被覆させる工程と、前記金属パイプを縮径加工して前記ＮｂＴｉ超電導フィラメント露出部を圧着する工程と、縮径加工した前記金属パイプを、厚さｔと幅ｗの比がｗ／ｔ≧３となるまで、前記ＮｂＴｉ超電導フィラメント露出部を並べた方向と直交する方向に扁平状に圧延加工する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】高臨界電流密度（Ｊｃ）を有し、圧縮に対する超電導特性（臨界電流密度の劣化率）の低下を抑制することができるＮｂ_３Ｓｎ超電導線材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎｂ_３Ｓｎ超電導線材は、Ｃｕ又はＣｕ合金からなるＣｕ管５と、Ｃｕ管５内に配置され、Ｎｂ又はＮｂ合金からなるＮｂ芯材２１を有する複数のＮｂ素線２０、及びＳｎ又はＳｎ合金からなるＳｎ芯材２４を有する複数のＳｎ素線２３を含む複数のフィラメント集合体２と、Ｃｕ管２内に配置され、フィラメント集合体２同士が隣接しないようにフィラメント集合体２を分割する複数のＴａ素線（補強用素線）３０と、を備えたＮｂ_３Ｓｎ超電導前駆体線材１に、熱処理を施すことによりＮｂ芯材２１にＳｎ芯材２３中のＳｎが拡散してＮｂ_３Ｓｎを生成してなる。 （もっと読む）

【課題】超電導特性を向上でき、容易に量産でき、強度を高くでき、かつ、軽量化できるＮｂ_３Ｓｎ超電導線材を得る。
【解決手段】前駆体１（Ｎｂ_３Ｓｎ超電導線材製造用前駆体）は、Ｎｂ_３Ｓｎ超電導線材の製造に用いられる。前駆体１は、純ＮｂまたはＮｂ基合金からなる複数本のＮｂ基フィラメント５がブロンズマトリックス部４（Ｃｕ−Ｓｎ基合金）中に配置された超電導マトリックス部２と、超電導マトリックス部２の外周に配置された拡散障壁層６と、拡散障壁層６の外周に配置された安定化銅層７と、超電導マトリックス部２内に配置された補強部材８とを備える。補強部材８は、純ＴｉまたはＴｉ基合金からなる。また、補強部材８の外周とブロンズマトリックス部４とが直接接触する。 （もっと読む）

【課題】従来の超電導線材よりも強度を高くする。
【解決手段】前駆体１（Ｎｂ_３Ｓｎ超電導線材製造用前駆体）は、純ＮｂまたはＮｂ基合金からなる複数本のＮｂ基フィラメント５がブロンズマトリックス部４（Ｃｕ−Ｓｎ基合金）中に配置された超電導マトリックス部２と、超電導マトリックス部２の外周に配置された拡散障壁層６と、拡散障壁層６の外周に配置された安定化銅層７と、超電導マトリックス部２内に配置され純ＴａまたはＴａ基合金からなる補強部材８と、を備える。補強部材８は、前駆体１の軸直角断面に占める面積率が１５〜２５％である。 （もっと読む）

【課題】高い臨界温度Ｔ_c(onset)を有し、かつ高い臨界電流値（Ｉ_c）を有するＢｉ系超電導線材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｂｉ系超電導線材１は、Ｂｉ_xＰｂ_yＳｒ₂Ｃａ₂Ｃｕ₃Ｏ_10+δ（δは０．１以上０．３以下）の組成式で表された組成を有し、かつ、組成におけるｘ＋ｙは１．８７以上１．９８以下であり、ｙ／ｘの値が０．２０以上０．２３以下であるモル比率で構成されている超電導体２を有している。 （もっと読む）

【課題】従来よりも低温での熱処理により得られ、しかも高臨界電流密度を有する超電導線材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物１を含ませることで、従来よりも低温での熱処理により得られ、高臨界電流密度を有する超電導線材１０及びその製造方法を提供することができる。Ｍｇ（Ｂ_１−ｘＣ_ｘ）_ｙ・・・（１）（ただし、式（１）中、ｘは０＜ｘ＜１を満たす数であり、ｙは２．１≦ｙを満たす数である。） （もっと読む）

【課題】突き合わせ部の金属パイプと金属プラグとの仮止め部の隙間を経由して水分が侵入するのを抑制することで、真空引時間の大幅な短縮及び品質向上の可能な真空溶接部の仮止め方法及び仮止め構造体を提供する。
【解決手段】超電導材１が収容された金属パイプ２の両端に金属プラグ３，４を突き合わせて突き合わせ部５，６を形成し、真空チャンバ内で金属パイプ２内を真空引すると共に突き合わせ部５，６を高エネルギ密度溶接により接合することで、金属パイプ２の両端を金属プラグ３，４により真空封止して超電導ビレットを形成するに際し、高エネルギ密度溶接に先立って突き合わせ部５，６の金属パイプ２と金属プラグ３，４とを仮止めする真空溶接部の仮止め方法において、突き合わせ部５，６に、水分透過率が１０ｇ／（ｍ²・２４ｈｒ・０．１ｍｍ）以下の樹脂テープ７を包帯巻きして、金属パイプ２と金属プラグ３，４とを仮止めする方法である。 （もっと読む）

【課題】 高温短時間熱処理におけるＣｕとＴａの間（又はＡｇとＮｂ，Ｔａの間）の非反応性を活用して、従来と全く逆の発想による革新的断面構造を提案し、（１）低磁界不安定性の抑制、（２）良好な前駆体線の伸線加工性、（３）安定化材の複合にかかる費用の低減を図る。
【解決手段】 ＮｂとＡｌとのモル比が３：１で混合されたＮｂとＡｌの複合体からなるＮｂ／Ａｌ複合体フィラメント領域が、Ｎｂ又はＴａからなる隔壁で被覆され、その外側がＣｕ又はＡｇからなるフィラメント間バリア材で被覆されたシングル線を複数集合させた集合体の周囲を、Ｎｂ又はＴａからなる外皮で被覆して構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）