【解決手段】（Ａ）平均組成式（１）
Ｒ_aＲ’_bＳｉＯ_(4-a-b)/2 （１）
で表される一分子中に少なくとも２個のケイ素原子に結合したアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサン、
（Ｂ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子に結合した水素原子を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
（Ｃ）銀粉末又は銀メッキされた微粉末粒子、
（Ｄ）導電性微粉末（但し、銀・銅及びそれらを含む金属を除く）、
（Ｅ）付加反応触媒、
（Ｆ）脂肪酸、脂肪酸誘導体及びそれらの金属塩から選ばれる１種又は２種以上
を含有する付加硬化型導電性シリコーン組成物。
【効果】本発明の導電性シリコーン組成物は、１．０×１０^-2Ω・ｃｍ以下の高導電率を与える硬化物、特にシリコーンゴムを形成することができ、かつ塗布性が可能で、その形状保持性が良好であり、更には保存安定性も良好なものである。 （もっと読む）

【課題】高分子型燃料電池や水電解装置などの電解質膜を対象とし、高温作動下において高プロトン伝導性、低燃料透過性、高耐酸化性、優れた機械的特性を有する耐熱性高分子電解質膜及びその低コストかつ簡便な製造プロセスを提供する。
【解決手段】本発明の耐熱性高分子電解質膜は、脂環式ポリベンズイミダゾールを含む主鎖と、前記主鎖に放射線グラフト重合により付加されたグラフト鎖とを含み、少なくとも前記グラフト鎖の一部がスルホン酸基を有する。 （もっと読む）

【課題】支持体上に超電導物質をコーティングした超電導膜に、イオン照射によってピン止め中心を導入することにより、磁場中での臨界電流密度特性が高められた超電導材料膜の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に作製された超電導膜に、低エネルギー・軽イオンを照射することによって、超電導膜の中に有効なピン止め点が導入されるため、磁場中でのＪｃ及びＪｃの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。また、塗布熱分解法の仮焼成工程の後に低エネルギー・軽イオンを照射して、さらに本焼成することによっても、磁場中でのＪｃ及びＪｃの磁場角度依存性が高められた超電導材料膜が製造できる。 （もっと読む）

【課題】透明導電性酸化物膜の表面の表面最大粗さ（Ｒｐｖ）が小さな透明導電性酸化物膜付基板を好適に製造し得る方法を提供する。
【解決手段】基板の上に透明導電性酸化物膜を形成する。研磨剤を含まない酸性溶液またはアルカリ性溶液を透明導電性酸化物膜の表面に供給しながら擦る処理工程を行う。 （もっと読む）

【課題】所望の厚さの伝導体を形成する。
【解決手段】形成対象とする伝導体の輪郭部を第１の印刷インクで印刷する第１の印刷工程と、前記第１の印刷工程で印刷された前記輪郭を乾燥させる乾燥工程と、前記乾燥工程を経た前記輪郭部の内側を伝導性材料からなる第２の印刷インクで印刷する第２の印刷工程と、を有する伝導体の形成方法を適用する。この形成方法によれば、伝導体単体での厚さのばらつきを抑えたうえで設計どおりの厚さで伝導体を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】様々なケーブルの電界及び磁界に対するシールド性能を再現性よく評価できるシールド性能評価方法を提供する。
【解決手段】電圧を印加されるセプタム部１１と、セプタム部１１と対向し、接地されるグランド部１２とからなるセル１の内側に電磁界を発生させるステップと、ケーブル２をセル１の内側に配置するステップと、ケーブル２の両端側とそれぞれ接続される第１及び第２終端抵抗２２ａ，２２ｂに生じる誘導電圧をそれぞれ入力し、電界及び磁界に対する誘導量を演算するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 円筒形状導電体内に、めっき処理を施し表面に導電性材料の層が形成された低熱膨張材料を配置し、スエージング加工機のダイスの径を小さくしながら繰り返しスエージング加工を行い、接着剤を用いることなく、導電体材料と低熱膨張材料とのそれぞれの特性を保持しつつ信頼性の高い複合構造化を図ることができる低熱膨張線状体の製作方法を提供する。
【解決手段】 低熱膨張線状体の製作方法において、円筒形状導電体内に、めっき処理を施し表面に導電性材料の層が形成された低熱膨張材料１１を配置し、スエージング加工機のダイスの径を小さくしながら繰り返しスエージング加工を行い、前記円筒形状導電体を絞り、この円筒形状導電体の外径を徐々に縮小させ、前記円筒形状導電体と前記低熱膨張材料１１との接触面を加工し、前記円筒形状導電体と前記低熱膨張材料１１およびメッキされた低熱膨張材料同士を密着させて複合し、低熱膨張線状体１３を製作する。 （もっと読む）

【課題】キャリア電子の移動度が高く、光電変換素子の入射光側電極として好適に用いられるフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法の提供。
【解決手段】膜厚６００ｎｍ以上のフッ素ドープ酸化スズ膜の基体上に形成するフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法であって、成膜開始時の基体温度をＴ₁とし、成膜終了時の基体温度をＴ₂とするとき、下記（１）〜（３）の条件を満たすように、基体温度を下降させつつ、ＣＶＤ法を用いて、２００Ｐａ以下の圧力下で、フッ素ドープ酸化スズ膜を基体上に形成した後、非酸化雰囲気で基体温度３００〜６５０℃で熱処理することを特徴とするフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法。
（１）Ｔ₂＝３６０〜３８０℃
（２）ΔＴ（Ｔ₁−Ｔ₂）＝４５〜６５℃
（３）少なくともフッ素ドープ酸化スズ膜の膜厚２００ｎｍが達するまでに基体温度の下降を開始する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤループのワイヤ端部を、ワイヤ端部を加工する加工ユニットに送り出す装置および方法を提供する。
【解決手段】この加工装置（１）では、ワイヤ端部（３．１、３．２）が、周囲に配置された加工ユニット（２０、２１、２２）に円形に送り出される。ループ層（９）は、前端のワイヤ端部（３．１）を掴み、これをワイヤループ（３．１０）にして置く。ワイヤ（３）は次いで、ベルト機器（７）によって前進され、ループガイド（１０）がループ端部（３．１１）を拾い上げ、ワイヤループ（３．１０）が所望の寸法を得るまで上方向に移動し、ワイヤループ（３．１０）のループ端部（３．１１）を、ワイヤループ（３．１０）の長さに応じてループガイド（１０）によって直線軸（２６）に沿って変位可能であるロータリスター（４０）の保持要素（４１）に移送する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いた酸化物半導体膜の成膜時の異常放電の発生が抑制され、連続して安定な成膜が可能なスパッタリングターゲットを提供すること。希土類酸化物Ｃ型の結晶構造を持つ、表面にホワイトスポット(スパッタリングターゲット表面上に生じる凹凸などの外観不良)がないスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。
【解決手段】ビックスバイト構造を有し、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、インジウム(In) 、ガリウム(Ga)および亜鉛(Zn)の組成量が原子比で以下の式を満たす組成範囲にある焼結体を提供する。
In/(In+Ga+Zn)<0.75 （もっと読む）