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国際特許分類[H01B13/00]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | ケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択 (29,859) | 導体またはケーブルを製造するために特に使用する装置または方法 (6,886)

国際特許分類[H01B13/00]の下位に属する分類

剛性チューブケーブルを製造するためのもの
延長可能な導体またはケーブルを製造するためのもの
ワイヤーハーネスを製造するためのもの (505)
同軸ケーブルを製造するためのもの (148)
撚り合わせ (54)
導体またはケーブルの絶縁 (216)
シース;外装;遮へい;その他の保護層の適用 (118)
連続的誘導性装荷,例.クララップ装荷,の適用
乾燥 (5)
不通気性材料での充填または被覆 (189)
導体またはケーブルに識別表示を施すためのもの (63)

国際特許分類[H01B13/00]に分類される特許

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【課題】導電率が90%IACS以上であり、400℃にて1時間加熱後のビッカース硬さが100以上であり、優れたはんだ濡れ性を有する半導体装置用リードフレームの素材として好適なCu−Fe−P系銅合金板を得る。
【解決手段】 Fe;0.05〜0.15質量%、P;0.015〜0.05質量%、Zn;0.01〜0.2質量%、Pb;0.0005〜0.003質量%、Ag;0.0005〜0.0015質量%を含有し、残部がCuおよび不可避的不純物からなる組成を有し、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるEBSD法にて測定した結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差の結晶組織内の全結晶粒における平均値が2.5〜5.0°であり、Brass方位密度が8.0〜20.0%であり、Copper方位密度が10.0〜22.0%であり、平均結晶粒径が2.0〜6.0μmである。 (もっと読む)


【課題】ペースト作製時の溶媒中での分散性が良好であり、かつ、混練時におけるフレーク等の発生を抑制できる銀粉及びその銀粉の製造方法を提供する。
【解決手段】当該銀粉とエポキシ樹脂とを420Gの遠心力で混練し、さらに3本ロールミルを用いて混練して得られたペーストを粘弾性測定装置により測定したせん断速度1250sec−1での法線応力が1〜10Nである銀粉。当該銀粉は、塩化銀と錯化剤により溶解して得られた銀錯体溶液と還元剤溶液とを混合し、銀錯体を還元して銀粉を製造する方法において、還元剤溶液に還元剤としてアスコルビン酸を含有させるとともに、銀錯体溶液及び還元剤溶液の両方、又はいずれか一方に、銀に対して0.1〜15質量%の水溶性高分子を添加して還元した後、乾燥前に界面活性剤又は界面活性剤及び分散剤により表面処理することで得られる。 (もっと読む)


【課題】低加湿状況下でのプロトン伝導率を高め得る新たなホスホン酸ポリマーと、低加湿状況下であっても高いプロトン伝導率を確保し得る燃料電池用電解質の提供。
【解決手段】下記の構造式(1)で表される分子鎖構造を繰り返し単位として含み、主鎖を構成する飽和炭化水素の炭素と側鎖末端のホスホン酸基とを、アミド結合とフッ化エチレン基とを介して結合させるホスホン酸ポリマー、該ホスホン酸ポリマーを用いた燃料電池用電解質膜、およびこれを用いた燃料電池。
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【課題】シールド電線の絶縁被覆の先端部の開き作業と、編組の先端部の拡径及びテープ巻き作業とを同じ工程で作業性良く低コストに行わせる。
【解決手段】前半の細幅部4と後半の太幅部5とをそれぞれ有する一対の爪部3と、シールド電線6の長手方向の切り込み7を有する絶縁被覆8の内側に細幅部を差し込ませるべく一対の爪部を進退可能な第一の移動手段11と、細幅部を絶縁被覆の内側に差し込んだ状態で一対の爪部を開く開き手段12と、細幅部と太幅部とをシールド電線の編組9の内側に差し込ませるべく一対の爪部を進退可能な第二の移動手段13とを備える電線端末加工治具1を採用する。 (もっと読む)


【課題】良好な曲げ加工性及び応力緩和特性を兼ね備えたCu−Ni−Si系合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】1.0〜4.5質量%のNi及び0.2〜1.0質量%のSiを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、圧延平行断面における単位面積当たりの結晶粒個数に対して、結晶粒径が10μm以下の結晶粒個数の割合が15%以上、20μm以上の結晶粒個数の割合が15%以上である曲げ加工性及び応力緩和特性に優れたCu−Ni−Si系合金。 (もっと読む)


【課題】有毒な重金属を含まず、高いTcを有するBa−Ca−Cu−O−F系酸化物超伝導体の薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】BaCan−1Cu2n(O1−x)2(ただし、nは2≦n≦5の整数、xは0<x<1の数)からなる酸化物超伝導薄膜10であって、SrTiO又はMgOの単結晶基板17の(100)面31、(010)面又は(001)面のうちのいずれかの面上に形成された酸化物超電導薄膜。SrTiO又はMgOの単結晶基板の(100)面、(010)面又は(001)面のうちのいずれかの面上にBaCan−1Cu2n(O1−x)2(ただし、nは2≦n≦5の整数、xは0<x<1の数)からなる酸化物超伝導薄膜を、パルスレーザーデポジション法により成膜する酸化物超伝導薄膜の製造方法であって、前記単結晶基板の基板温度が700℃〜770℃で成膜する成膜工程を含む。 (もっと読む)


【課題】外部からの圧力印加による透明導電層の基板からの剥離が防がれた導電性基板の製造方法及びその導電性基板の提供。
【解決手段】複数の反応性官能基を有する光硬化性プレポリマーを少なくとも一つ含有する光硬化性層22を基板21に形成する工程と、光硬化性層22の一部を遮蔽するようにパターンマスク31を配置する工程と、第一の光源L1を用いて光硬化性層22を露光して、光硬化性層22の第一の領域221を硬化させる第1の露光工程と、パターンマスク31を除去する工程と、第二の光源L1を用いて光硬化性層22を露光して、光硬化性層22の硬化されていない第二の領域222を硬化させ、第一と第二の領域221、222との表面高度が異なることで微細構造が基板21に形成される第2の露光工程と、前記微細構造に導電層23を形成する工程とを備えた導電性基板の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】低ヤング率、高耐力、高導電性、優れた耐応力緩和特性、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタやリレー等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金圧延材及び電子機器用部品を提供する。
【解決手段】Mgを、3.3原子%以上6.9原子%以下の範囲で含み、残部が実質的にCu及び不可避不純物とされ、導電率σ(%IACS)が、Mgの濃度をX原子%としたときに、
σ≦1.7241/(−0.0347×X+0.6569×X+1.7)×100
の範囲内とされ、応力緩和率が150℃、1000時間で50%以下であることを特徴とする。
また、走査型電子顕微鏡観察において、粒径0.1μm以上のCuとMgを主成分とする金属間化合物の平均個数が、1個/μm以下とされていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】パターン見えを軽減することができる導電パターン形成基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基材2と、金属ナノワイヤーを含み基材2上に設けられた導電パターン5と、導電パターン5と接しているとともに導電パターン5が形成された領域とは異なる領域に設けられた絶縁パターン6と、導電パターン5と絶縁パターン6との少なくとも何れかの少なくとも一部を覆う光拡散層9と、を備える。 (もっと読む)


【課題】基板上に成膜される膜の厚さの均一性を向上する。
【解決手段】筐体150と、筐体150の内部に成膜材料160を微粒子化したミストを噴霧する複数の噴霧機構と、複数の噴霧機構の基板200上への成膜量を所定の範囲に収めるように調節する調節手段とを備える。調節手段は、複数の噴霧機構の各々の基板200上への成膜量を調節する、または、基板200上への成膜量に関して複数の群に分けられた複数の噴霧機構においてこの複数の群の各々に含まれる噴霧機構毎に基板200上への成膜量を調節する。 (もっと読む)


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