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国際特許分類[H01B19/00]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | ケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択 (29,859) | 碍子または絶縁物体を製造するために特に使用される装置または方法 (97)

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【課題】 ガス絶縁用注型絶縁物のガスシール特性を向上させる。
【解決手段】 主回路の中心導体1と、前記中心導体1の周りに注型により形成された絶縁層2と、前記絶縁層2の表面に前記中心導体1と所定の絶縁特性を有して形成された接地層3と、前記接地層3の表面に形成されたガスシール用被膜4と、前記ガスシール用被膜4に密着されるガスシール部材6とを具備し、前記ガスシール用被膜4は、少なくとも前記ガスシール部材6が密着される面に形成されていることを特徴とし、ガスシール特性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】 碍管内の仕切壁部にある連通孔のシールが十分であることを保証できる配電機器ブッシングの製造方法を提供する。
【解決手段】 パッキン圧縮治具57を回して電線接続具3を碍管1と一緒に上昇させる。碍管1が待機中の碍管押え部75に当たった後、さらにパッキン圧縮治具57を回して環状パッキン33を圧縮する。この圧縮の過程を荷重測定器87で測定し、測定した測定値が所定値に達した段階でパッキン圧縮治具57の回転を停止する。次に碍管押え部75で碍管1を押し下げて、碍管1の仕切壁部13で環状パッキン33を圧縮する。碍管押下げ機構77による碍管1の押し下げ量が所定量下がるかまたは環状パッキン33の圧縮荷重が規定値に達するかのいずれか一方または双方が満足された段階で、環状パッキン33の圧縮を停止する。環状パッキン33の圧縮荷重が規定値になると、ナット締め治具59を回転工具で回して所定のトルクでナット35を締める。 (もっと読む)


【課題】保存安定性及び塗布乾燥時の膜の均質性に優れた強誘電体薄膜形成用組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】金属アルコキシドと金属酢酸塩と金属アセチルアセトナート塩とアミン類とアルコール溶媒とを混合し、この混合物1を蒸留塔3を用いて加熱して蒸発物の一部を除去しながら還流すると共に水を補給することにより、MOD法用のコロイド溶液を形成する。 (もっと読む)


【課題】電気電子機器に搭載される電気電子部品の小型薄型低背化に適した電気電子部品用金属材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】金属基材1上の少なくとも絶縁を要する箇所に2層以上の多層絶縁コーティング層2が設けられ、絶縁耐圧性を有する電気電子部品用金属材料。また、金属基材1上の少なくとも絶縁を要する箇所に、流動状塗布物を塗布し乾燥させる塗装工程を複数回施す前記電気電子部品用金属材料の製造方法。 (もっと読む)


【課題】副生する分解ガスや副生塩の除去を容易に行なうことができ、高品位な酸化物系の誘電体セラミックスが得られる燃焼合成方法、および、該方法で製造されるBaRe2Ti514 系、または、CaO−SrO−Li2O−Re23−TiO2系等の誘電体セラミックスを提供する。
【解決手段】比表面積が 0.01 m2/g〜2 m2/g の4族元素を含む金属粉末と、酸素供給源となる物質とを少なくとも含む反応原料を用いた誘電体セラミックスの燃焼合成方法であって、該燃焼合成方法は、少なくとも上記金属粉末と、上記酸素供給源となる物質とを混合して原料粉末とする混合工程と、該混合工程で得られた原料粉末を、大気圧未満の圧力条件下において、断熱火炎温度が 1500℃以上の燃焼合成反応により焼結体とする燃焼合成工程とを備えてなる。 (もっと読む)


【課題】
スパッタ法やCVD法では、特殊な真空チャンバーが必要であり、製造コストが高くなるという欠点があり、ゾルゲル法では、反応に高温を必要とするため、基材が耐熱性のものに限定されていた。さらに、大面積の被膜を作成する場合、膜厚にばらつきがあった。
【解決手段】
導電性基材表面に絶縁層として1層形成された絶縁体微粒子膜が導電性基材表面に形成された第1の有機膜と絶縁体微粒子表面に形成された第2の有機膜を介して共有結合している単層絶縁体微粒子膜を製造提供することを要旨とする。さらに同様の方法を用いて、単層誘電体微粒子層が第1及び第2の電極に挟まれた構造のコンデンサーであり、第1の電極と誘電体微粒子が第1の電極表面に形成された第1の有機膜と誘電体微粒子表面に形成された第2の有機膜を介して共有結合しているコンデンサーを提供する。 (もっと読む)


【課題】高い誘電性を有する薄膜の製造のためのコーティング溶液、及びこれを用いた誘電薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】チタニウムアルコキサイド、β−ジケトンまたはβ−ジケトン改質化合物、及び電子供与基に改質されたベンゾ酸を含んで成る薄膜製造のためのコーティング溶液及び上記コーティング溶液を低温で乾燥して薄膜を結晶化させる誘電薄膜の製造方法を提供する。このように提供されるチタニウムコーティング溶液は非常に安定しており、基板の種類にかかわらず低温で薄膜工程進行が可能なだけでなく、PCB工程内でインライン工程進行が可能である。 (もっと読む)


【課題】 誘電率が十分に高く、リーク特性にも優れる誘電体膜を、金属層の酸化を防止しながら形成させることが可能な誘電体膜の製造方法、並びにこの製造方法によって得られる誘電体膜を提供すること。また、誘電率が十分に高く、リーク特性にも優れる誘電体膜を提供すること。
【解決手段】 金属層上に形成された前駆体層を加熱することにより誘電体膜を形成させる焼成工程を備え、金属層が、Cu、Ni、Al、ステンレス鋼及びインコネルからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属を含有し、焼成工程の少なくとも一部において、減圧雰囲気下で前駆体層を加熱する、誘電体膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】第1の薄膜と、この第1の膜の上に第1の薄膜の平均粒径よりも平均粒径が小さい結晶粒子からなる第2の薄膜を形成して、第1の薄膜の表面に緻密な層を形成し、当該膜の高い平坦性を確保すること。
【解決手段】10nm以上の空隙を有するABOx型ペロブスカイト結晶構造を有する第1の薄膜31と、この第1の薄膜31の上に、ABOx型ペロブスカイト結晶構造を有する薄膜の塗布液を塗布し更に焼成することにより形成した、その平均粒径が前記第1の薄膜の結晶粒子の平均粒径よりも小さい結晶粒子からなる第2の薄膜32と、を積層してABOx型ペロブスカイト結晶構造を有する誘電体膜3を形成する。第1の薄膜31は空隙が大きいので、第2の薄膜32の塗布液が、第1の薄膜31の表面側の空隙から入り込み、当該空隙は第2の薄膜32が埋め込まれた状態となって、当該領域は緻密な膜となる。 (もっと読む)


【課題】低温焼成用マイクロ波誘電体セラミック組成物の製造方法及びそれから得られる低温焼成用マイクロ波誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】複合ビスマスニオブ酸化物(BiNbO)または亜鉛ニオブ酸化物(ZnNb)前駆体粉末を溶液反応に基づいた粉末合成工程である共沈法を用いて製造し、ここに0.1〜1質量%のCuO及び0.2〜2質量%のVを焼結助剤として添加し、粉砕及び焼結する低温焼成用マイクロ波誘電体セラミック組成物の製造方法。該製造方法によって得られる低温焼成用マイクロ波誘電体セラミック組成物。該低温焼成用マイクロ波誘電体セラミック組成物は、高誘電率及び品質係数、及び安定した共振周波数の温度係数を有するのみならず、700〜750℃の低い温度の範囲で焼成が可能である。 (もっと読む)


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