【課題】高強度及び高ノッチ曲げ性を兼備したＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】０．５〜３．０質量％のＣｏ及び０．１〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、板厚に対し４５〜５５％の断面位置である板厚方向の中央部において、板厚方向と平行にＥＢＳＤ測定を行い、結晶方位を解析したときに、次式で定義されるＰが１〜８であるＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金：
Ｐ＝（Ｆ１＋０．２×Ｆ２）／（Ｆ３＋Ｆ４）
（ただし、Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３及びＦ４は、それぞれ、｛１ ０ ０｝＜０ ０ １＞、｛０ １ ２｝＜１ ０ ０＞、｛３ ６ ２｝＜８ ５ ３＞及び｛２ ３ １｝＜３ ４ ６＞の各方位の面積率である）。 （もっと読む）

【課題】導電性、強度、及び曲げ加工性のバランスが改良されたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ系銅合金を提供する。
【解決手段】Ｎｉ：１．０〜２．５質量％、Ｃｏ：０．５〜２．５質量％、Ｓｉ：０．３〜１．２質量％を含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり、Ｓｉの質量濃度に対するＮｉとＣｏの合計質量濃度の比［Ｎｉ＋Ｃｏ］／Ｓｉが３．５≦［Ｎｉ＋Ｃｏ］／Ｓｉ≦５．５であり、圧延方向に平行な断面において粒径が１〜５０ｎｍの範囲にある第二相粒子の平均粒径が２〜１５ｎｍであり、且つ、当該第二相粒子同士の平均距離が１０〜５０ｎｍである電子材料用銅合金。 （もっと読む）

【課題】高耐力、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタ、リレー、リードフレーム等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金塑性加工材および電子機器用部品を提供する。
【解決手段】Ｍｇを３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、さらに少なくともＰｄ及びＡｇの１種又は２種以上を、それぞれ０．１原子％以上５．０原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされ、走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が、１個／μｍ^２以下とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低ヤング率、高耐力、高導電性、優れた耐応力緩和特性、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタやリレー等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金塑性加工材および電子機器用部品を提供する。
【解決手段】Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、さらに少なくともＣｒおよびＺｒの１種以上を、それぞれ０．００１原子％以上０．１５原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕおよび不可避不純物とされ、導電率σ（％ＩＡＣＳ）が、Ｍｇの濃度をＸ原子％としたときに、
σ≦１．７２４１／（−０．０３４７×Ｘ^２＋０．６５６９×Ｘ＋１．７）×１００
の範囲内とされ、応力緩和率が１５０℃、１０００時間で５０％以下である。
また、走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が、１個／μｍ^２以下とされている。 （もっと読む）

【課題】 高強度及び高ノッチ曲げ性を兼備したチタン銅及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 １．５〜５．０質量％のＴｉを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、引張強さが８００ＭＰａ以上であり、板厚に対し４５〜５５％の断面位置である板厚方向の中央部において、板厚方向と平行にＥＢＳＤ測定を行い、結晶方位を解析したときに、Ｃｕｂｅ方位｛０ ０ １｝＜１ ０ ０＞の面積率が５％以上、Ｂｒａｓｓ方位｛１ １ ０｝＜１ １ ２＞の面積率が４０％以下、Ｃｏｐｐｅｒ方位｛１ １ ２｝＜１ １ １＞の面積率が２０％以下であるチタン銅。 （もっと読む）

【課題】低ヤング率、高耐力、高導電性、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタ、リレー、リードフレーム等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金塑性加工材及び電子機器用部品を提供する。
【解決手段】Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされ、導電率σ（％ＩＡＣＳ）が、Ｍｇの濃度をＸ原子％としたときに、
σ≦１．７２４１／（−０．０３４７×Ｘ^２＋０．６５６９×Ｘ＋１．７）×１００
の範囲内とされ、平均結晶粒径が１μｍ以上１００μｍ以下の範囲内とされている。
また、中間熱処理後であって仕上加工前の銅素材における平均結晶粒径が１μｍ以上１００μｍ以下の範囲内とされている。 （もっと読む）

【課題】所望の引張強さ、耐熱性および高導電性を兼ね備えつつ、連続鋳造圧延法を用いた量産機にも十分に対応可能であるアルミニウム合金線及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｚｒを０．２〜０．４０重量％、Ｓｃを０．０５〜０．３０重量％、Ｓｉを０．０１〜０．０５重量％、Ｆｅを０．０５〜０．２０重量％、Ｔｉを０．００１〜０．０１０重量％、Ｖを０．００１〜０．０１０重量％含有し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなるアルミニウム合金線。 （もっと読む）

【課題】 コネクタ、端子、リレー、スイッチ等の導電性ばね材として好適な、優れた強度、曲げ加工性を備えたＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ０．５〜３．０質量％のＣｏ及び０．１〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、ＥＢＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂａｃｋ−Ｓｃａｔｔｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ：電子後方散乱回折）測定を行い、結晶方位を解析したときに、Ｃｕｂｅ方位｛０ ０ １｝＜１ ０ ０＞の面積率が５％以上、Ｂｒａｓｓ方位｛１ １ ０｝＜１ １ ２＞の面積率が２０％以下、Ｃｏｐｐｅｒ方位｛１ １ ２｝＜１ １ １＞の面積率が２０％以下であり、加工硬化指数が０．２以下であるＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金。 （もっと読む）

【課題】導電率が９０％ＩＡＣＳ以上であり、４００℃にて１時間加熱後のビッカース硬さが１００以上であり、優れたはんだ濡れ性を有する半導体装置用リードフレームの素材として好適なＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金板を得る。
【解決手段】 Ｆｅ；０．０５〜０．１５質量％、Ｐ；０．０１５〜０．０５質量％、Ｚｎ；０．０１〜０．２質量％、Ｐｂ；０．０００５〜０．００３質量％、Ａｇ；０．０００５〜０．００１５質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる組成を有し、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて測定した結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差の結晶組織内の全結晶粒における平均値が２．５〜５．０°であり、Ｂｒａｓｓ方位密度が８．０〜２０．０％であり、Ｃｏｐｐｅｒ方位密度が１０．０〜２２．０％であり、平均結晶粒径が２．０〜６．０μｍである。 （もっと読む）

【課題】良好な曲げ加工性及び応力緩和特性を兼ね備えたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】１．０〜４．５質量％のＮｉ及び０．２〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、圧延平行断面における単位面積当たりの結晶粒個数に対して、結晶粒径が１０μｍ以下の結晶粒個数の割合が１５％以上、２０μｍ以上の結晶粒個数の割合が１５％以上である曲げ加工性及び応力緩和特性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金。 （もっと読む）