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国際特許分類[H01B5/14]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | ケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択 (29,859) | 形を特徴とする非絶縁導体または導電物体 (4,138) | 絶縁支持体上に導電層または導電フイルムを有するもの (2,176)

国際特許分類[H01B5/14]に分類される特許

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【課題】 プラスチック基板の上に透明導電膜を設けた可動側の透明電極基板と、プラスチック基板または硝子基板の上に透明導電膜を設けた固定側の透明電極基板とを、互いの電極面同士が間隙をおいて向かい合うように配置した透明タッチパネルにおける、耐久性向上。
【解決手段】 少なくとも固定側の透明電極基板上の透明導電膜は、粒界構造を有する膜とする。 (もっと読む)


【構成】 ポリエーテルスルフォンやポリエーテルエーテルケトン等の高分子フィルム基材に対して、有機珪素ポリマー層と透明電層が適宜積層されるものであって、ガスバリヤー層としての有機珪素ポリマー層が酸化処理を施されたことを特徴とするガスバリヤー性透明導電性積層体。
【効果】 水蒸気や酸素を避けなければならない液晶表示素子等へ好適に使用出来る、透明性ならびに可撓性、高ガスバリヤー性を持つ透明導電性積層体が提供される。 (もっと読む)


【目的】ITO膜の結晶化を十分進行させ、且つITO膜中に含まれる酸素のばらつきを無くしあるいは少なくすることができ、これによって安定した特性を有するITO膜を形成し得るITO膜の形成方法、及びかかるITO膜の形成方法を適用した液晶表示装置の製造方法を提供する。
【構成】ITO膜の形成方法は、スパッタリング法によって成膜されたITO膜30上に水素を含有する膜32を形成した後、熱処理することを特徴とする。あるいは又、スパッタリング法によって成膜されたITO膜を水素ガス雰囲気中で熱処理することを特徴とする。また、このITO膜の形成方法を適用して液晶表示装置の画素電極を形成する。 (もっと読む)


【目的】 例えばドーナッツ型開口部を有するパターンに導電性高分子膜を成長させることができ、しかも1μm以下のような微細パターンの形成を有機高分子膜の選択的成長により可能にする。
【構成】 所定のパターニングを有するフォトレジスト上に触媒を適用し、そのフォトレジストと接触する部分の触媒を失活させ、フォトレジストと非接触の触媒適用部分のみに高分子膜を選択的に成長させる。 (もっと読む)


【目的】 可視光に対して高い透過率を示し、低価格で、容易に製造できる、導電、熱線反射、帯電防止、電磁波遮断、透明断熱等の用途に用いる積層体を提供する。
【構成】 光透過性基材の少なくとも片面に、プラズマ重合膜層、金属薄膜層およびプラズマ重合膜層が、この順序で積層されてなる選択光透過性積層体。 (もっと読む)



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