【課題】本発明は、大きな過電圧が印加されても抵抗体を保護することができるチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明のチップ抵抗器は、絶縁基板１１と、前記絶縁基板１１の上面の両端部に設けられた一対の上面電極１２と、前記絶縁基板１１の上面において前記一対の上面電極１２と電気的に接続されるように設けられた抵抗体１３と、前記抵抗体１３を覆うように設けられたプリコートガラス層１４と、前記抵抗体１３およびプリコートガラス層１４に設けられた抵抗値調整用のトリミング溝１５とを備え、前記プリコートガラス層１４の上面に一対のギャップ電極１６を形成し、かつ前記一対のギャップ電極１６のそれぞれの一端部１６ａを互いに離間するように配置するとともに、前記一対のギャップ電極１６の他端部１６ｂと前記上面電極１２とを電気的に接続したものである。 （もっと読む）

【課題】側面電極同士の導通を防止することができるチップ抵抗器およびその製造方法を提供する。
【解決手段】チップ抵抗器は、上面の一方向と交差する他方向の両縁に一方向に延びる凹部１ａを有する絶縁基板２と、絶縁基板２の上面上に形成された抵抗体３と、抵抗体３と電気的に接続され、かつ絶縁基板１の上面上に形成された上面電極２と、上面電極２と電気的に接続されており、かつ絶縁基板１の一方向の両側面をそれぞれ覆うように形成された側面電極４と、凹部１ａ上に形成された隆起部５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】熱膨張係数が小さく使用環境の温度変化においても抵抗値の変化が少なく、断線などの問題がない品質の良い低誘電率樹脂を用いたチップ素子を提供すること。
【解決手段】基板１上に、インピーダンス素子２と、該インピーダンス素子２に接続された複数の電極３，５とを形成したチップ素子１０において、前記基板１はＧＨｚ帯域における寄生容量を低減できる程度の低い誘電率を有する低誘電率材料である。さらに、前記基板１は合成樹脂と無機物とを少なくとも含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】メッキ液の浸透が抑制されて信頼性に優れた積層セラミック電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の積層セラミック電子部品は、セラミック本体と、上記セラミック本体の内部に積層配置された内部電極と、上記セラミック本体上に形成された第１外部電極層、上記第１外部電極層上に形成された第２外部電極層、上記第２外部電極層上に形成された第３外部電極層を含む外部電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】 製造の効率化を図るのに適するチップ抵抗器を提供すること。
【解決手段】 第１電極１と、第２電極２と、抵抗部３と、第１電極１および抵抗部３につながる第１中間層４と、第２電極２および抵抗部３につながる第２中間層５と、第１電極１を覆う被覆膜６１と、第１中間層４内に存在する酸化物部とを備え、被覆膜６１を構成する材料は、波長が所定波長であるときのレーザ光の吸収率が、第１電極１を構成する材料よりも大きく、上記酸化物部は、被覆膜６１を構成する材料の酸化物よりなる。 （もっと読む）

【課題】温度ヒューズを追加しなくても、抵抗体が異常発熱したときに速やかに通電を遮断できるセラミック抵抗器を提供すること。
【解決手段】セラミック抵抗器１１は、絶縁性セラミックに導電物質を混合して焼結させた円柱状の抵抗体１と、抵抗体１の長手方向の両端部に嵌着された一対の電極２と、各電極２から外方へ突設されたリード端子４とを備えており、抵抗体１の外周面の一部で電極２から離隔した領域に、抵抗体１よりも低抵抗な導電性金属膜３が全周に亘って付設されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、耐硫化性を有するチップ抵抗器に関する。
【解決手段】本発明のチップ抵抗体は、絶縁基板１１、銀ベースのサーメットを使用して基板の上面に形成された上部端子電極１２、底部電極１３、上部端子電極１２間に位置され、それらに部分的に重なる抵抗素子１４、抵抗素子１４を完全にまたは部分的に覆うオプションの内側保護コーティング１５、内側保護コーティング１５を完全に覆い、上部端子電極１２を部分的に覆う外側保護コーティング１６、基板の端面と上部電極１２と底部電極１３を覆い外側保護コーティング１６に部分的に重なるニッケルのメッキ層１７と、ニッケル層１７を覆う仕上げメッキ層１８とを備える。ニッケル層１７と外側保護層１６との重なり合いは、ニッケルメッキプロセスの前に外側保護層１６の縁部をメッキ可能にするので封止特性を有する。 （もっと読む）

【課題】電極部にＣｕメッキ層と半田層やＳｎメッキ層を形成する場合に、半田食われを防ぐとともに、密着性を向上させた電子部品の電極構造を提供する。
【解決手段】抵抗体１の裏面１０ｂに、互いに間隔を隔てた一対の電極部５０が設けられ、かつ一対の電極部５０間には絶縁層２Ａが設けられている。電極部５０は、電極層３と電極層３上に積層されたメッキ電極層とで構成される。メッキ電極層は、銅メッキ層３１、スズメッキ層３２、ニッケルメッキ層３３、スズを含むメッキ層３４を有している。 （もっと読む）

【課題】半田接合部がヒートショックで損傷する可能性の低いチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】チップ抵抗器１の裏面電極３は、セラミック基板２の裏面に固着された焼成銀からなる第１電極層３ａと、第１電極層３ａの中央部を横断する領域に積層された焼成銀からなる第２電極層３ｂとで構成されており、第２電極層３ｂの側面から第１電極層３ａの表面へ至る段差１２が形成され、メッキ層（ニッケルメッキ層９および半田メッキ層１０）の裏面電極３を覆う部分には段差１２と対応する段差１３が形成されている。したがって、このチップ抵抗器１が回路基板３０上に実装されると、裏面電極３とランド３１との間に介設される半田接合部（半田３２）の厚みが段差１３部分で増大し、第１および第２電極層３ａ，３ｂの境界部分に熱応力が集中する虞もないため、半田接合部がヒートショックで損傷する可能性は低いものとなる。 （もっと読む）

【課題】板厚み内部に位置させたとき部品端子からの導電路の配置密度を向上させること。
【解決手段】直方体状の素子部材と、素子部材の長手方向の一方向側の端部面である第１の端部面上に、および該第１の端部面に連なる素子部材の少なくとも上面上および下面上のそれぞれ一部に第１の端部面上と連なるように設けられた第１の端子電極と、素子部材の長手方向の他方向側の端部面である第２の端部面上に、および該第２の端部面に連なる素子部材の少なくとも上面上および下面上のそれぞれ一部に前記第２の端部面上と連なるように設けられた第２の端子電極と、を具備し、第１の端子電極および第２の端子電極が、いずれも、素子部材の上面上に設けられている面積の方が、素子部材の下面上に設けられている面積よりも広い。 （もっと読む）