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国際特許分類[H01F10/16]の内容

国際特許分類[H01F10/16]に分類される特許

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【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。その上で、上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。そして記憶層は、Co−Fe−B磁性層と、少なくとも1つの非磁性層を有し、酸化物層、Co−Fe−B磁性層、非磁性層が順に積層された積層構造が形成されているようにする。 (もっと読む)


【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。その上で、上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。記憶層は、少なくともCo−Fe−B磁性層を有する。また記憶層に接する中間層と、該中間層とは反対側で記憶層が接する他方の層は、少なくとも記憶層と接する界面が酸化物層とされており、さらに上記他方の層は、酸化物層が、Liを含むLi系酸化物層とされている。 (もっと読む)


【課題】第1の磁性部分と、第2の磁性部分と、第1の磁性部分と第2の磁性部分の間の
バリア層とを有するセンサスタックを含む磁気センサを提供する。
【解決手段】第1の磁性部分及び第2の磁性部分のうち少なくとも一方が、バリア層に隣接する正の磁気ひずみを有する第1の磁性層と、第2の磁性層と、第1の磁性層と第2の磁性層の間の中間層とを有する多層構造を含む。この磁気センサは、その抵抗−面積(RA)積が約1.0Ω・μmであるとき、少なくとも約80%のMR比を有する。 (もっと読む)


【課題】向上した磁気性能および堅牢性を有する磁気読み出しセンサを提供する。
【解決手段】磁気センサは、磁化自由層構造310と磁化固定層構造とを含む。磁化固定層構造は、非磁性結合層318によって互いに分離させた第1の磁性層314および第2の磁性層316を含む。磁化固定層構造の第2の磁性層はCoFeBTaの層を含んでおり、この層が原子の拡散を防止し、さらには所望のBCC結晶粒成長を促進する。磁化自由層構造は、原子拡散をさらに防止し、所望のBCC粒成長をさらに促進するためのかかるCoFeBTa層を含むこともできる。 (もっと読む)


【課題】磁気抵抗効果素子の特性劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態の磁気抵抗効果素子は、膜面に対して垂直方向に磁気異方性と不変な磁化方向とを有する第1の磁性体30と、膜面に対して垂直方向に磁気異方性と可変な磁化方向とを有する第2の磁性体10と、磁性層10,30の間の非磁性体20とを、含む。第1及び第2の磁性体のうち少なくとも一方は、ボロン(B)及び希土類金属及び遷移金属を含む磁性層301を備え、磁性層301において、希土類金属の含有量は、20at.%以上であり、遷移金属の含有量は、30at.%以上であり、ボロンの含有量が、1at.%以上、50at.%以下である。 (もっと読む)


【課題】この発明のさまざまな実施例は、第1の強磁性自由層138と第2の強磁性自由層140との間に配置されたスペーサ層142とともに構築されてもよい、磁気応答積層132に一般的に向けられる。
【解決手段】少なくとも1つの強磁性自由層は、磁気応答積層の磁気抵抗比(MR)を向上させる結合サブ層186,196を有することができる。 (もっと読む)


【課題】室温付近で電圧によりキュリー温度を変化させることができ、かつ大きな磁化、即ち大きな磁界を発生させることが可能な電圧駆動型電磁石を提供する。
【解決手段】鉄、コバルト、ニッケルのうちのいずれか、もしくはこれらのうち少なくとも一つを含む合金からなる強磁性金属薄膜層12と、前記強磁性金属薄膜層12の片側に積層された絶縁層20と、前記絶縁層20の、前記強磁性金属薄膜層12とは反対側に設けられたゲート電極30と、前記強磁性金属薄膜層12と前記ゲート電極30の間に電圧を印加する電圧印加部40とを備える電圧駆動型電磁石を提供する。また、強磁性金属薄膜層12内の磁化を特定の方向に配向させる下地層13と、配向させた強磁性金属薄膜層12内の磁化の方向を維持させるキャップ層11を備える。 (もっと読む)


【課題】厚さが35nm以下でも十分に高い保磁力および角型比を有する磁性のコバルト薄膜を得ることができるコバルト薄膜の形成方法およびこの方法により形成したコバルト薄膜を用いたナノ接合素子を提供する。
【解決手段】ポリエチレンナフタレート基板11上に真空蒸着法などによりコバルト薄膜12を35nm以下の厚さに成膜する。こうしてポリエチレンナフタレート基板11上にコバルト薄膜12を成膜した積層体を二つ用い、これらの二つの積層体をそれらのコバルト薄膜12のエッジ同士が、必要に応じて有機分子を挟んで、互いに対向するように交差させて接合することによりナノ接合素子を構成する。このナノ接合素子により不揮発性メモリや磁気抵抗効果素子を構成する。ポリエチレンナフタレート基板11の代わりに、少なくとも一主面がSiO2 からなる基板、例えば石英基板を用いてもよい。 (もっと読む)


【課題】 複数の磁気層および中間層を有するパターン化垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 パターン化垂直磁気記録媒体は、第1および第2の強磁性層(MAG1およびMAG2)を、MAG1とMAG2との間に第1および第2の非磁性中間層(IL1およびIL2)を備えた状態で有するディスクリートデータアイランドを有する。MAG1およびMAG2は、類似の厚さを有した類似のCoPtCr合金でもよく、IL1およびIL2の厚さは、MAG1およびMAG2が強固に交換結合されることを保証する。あるいは、MAG2は、「書き込み補助」層、例えば、交換スプリング構造における高飽和磁化の軟磁性材料でもよく、IL1は非常に薄く、それによってIL2が、MAG1と書き込み補助MAG2層間とのカップリング層として機能できる。 (もっと読む)


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