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国際特許分類[H01F10/26]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 磁石;インダクタンス;変成器;それらの磁気特性による材料の選択 (25,313) | 磁性薄膜,例.1磁区構造のもの (1,431) | 基体または中間層に特徴のあるもの (258)

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【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。その上で、上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。そして記憶層は、Co−Fe−B磁性層と、少なくとも1つの非磁性層を有し、酸化物層、Co−Fe−B磁性層、非磁性層が順に積層された積層構造が形成されているようにする。 (もっと読む)


【課題】 加熱処理によってもアモルファスまたは微結晶構造を維持できる熱アシスト磁気記録媒体用軟磁性膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式がFe100−x−y−z−Cu−Nb−(Si+B)、0.5≦x≦3.0、1≦y≦15、20≦z≦30で表され、残部不可避的不純物でなる熱アシスト磁気記録媒体用軟磁性膜である。また、原子比における組成式がFe100−x−y−z−Cu−Nb−(Si+B)、0.5≦x≦3.0、1≦y≦15、20≦z≦30で表され、残部不可避的不純物でなる合金ターゲットを用いてスパッタリングにより形成する熱アシスト磁気記録媒体用軟磁性膜の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】安定した情報の記録および再生を行なうことができる。
【解決手段】本実施形態に係る磁気媒体は、第1磁性層、第2磁性層、および非磁性層を含む。第1磁性層は、第1磁性体により形成され、磁化の方向に応じて前記情報が記録される。第2磁性層は、前記第1磁性体と磁気異方性が異なる第2磁性体により形成される。非磁性層は、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に積層され、非磁性体で形成される。前記第1磁性層の磁化と前記第2磁性層の磁化とは、前記非磁性層を介した磁気の交換作用により、互いの磁化が反対方向を向いて結合することを示す反平行結合する。 (もっと読む)


【課題】ヘッドスペーシングの拡大、および磁性層の磁気異方性の低下を抑制することができる垂直磁気記録媒体の製造方法の提供。
【解決手段】(1)規則合金を構成する金属および炭素を含むターゲットを用いるスパッタ法によって、非磁性基板上に、規則合金の結晶粒子および炭素からなる粒界層を含む磁気記録層と、磁気記録層上に存在し、炭素からなる保護層前駆体とを形成する工程と、(2)保護層前駆体に、炭化水素系ガスに対するプラズマ放電により生成した炭化水素系イオンを照射して、保護層前駆体を保護層に変化させる工程とを含み、炭化水素系イオンは保護層前駆体に到達する際に300eV以上のエネルギーを有することを特徴とする方法。 (もっと読む)


【課題】高い磁石性能、すなわち高い最大エネルギー積を実現できる薄膜磁石を提案する。
【解決手段】高い最大エネルギー積の薄膜磁石を実現するため、高い磁気異方性エネルギーと高い飽和磁化を実現できる薄膜磁石の構成を提供する。このため、Fe又はFeCo膜の一方の面に、Ta、Nb、V、Cr、Ru、Cu、Agの群から選ばれた一つ以上の金属を直に形成する。また、Fe又はFeCo膜の他方の面には、希土類元素を含む強磁性体を直に形成する。 (もっと読む)


【課題】垂直磁気記録媒体の製造方法が提供される。
【解決手段】垂直磁気記録媒体が、基板、該基板上の下層、該下層上の中間層及び該中間層上の記録層を備える。この下層が、第一軟質下層、該第一軟質下層上の反強磁性的に結合されたRu層、該反強磁性的に結合されたRu層上の第二軟質下層、及び該第二軟質下層上の方位制御層を備え、この方法が、下層を形成する間、基板に負バイアス電圧を印加するステップを含む。 (もっと読む)


【課題】 分離制御および傾斜異方性を有する垂直磁気記録媒体のシステム、方法および装置を提供する。
【解決手段】 高性能な垂直磁気記録媒体の構造は、接着層、第1の軟磁性下地層(SUL)、結合層、第2のSUL、シード層、Ru層および、オンセット層を含む複数の順次層を有する基板と、当該オンセット層上にあり且つ媒体の上書き性能を向上させる傾斜異方性を示す組成を有する少なくとも1つの酸化物層と、少なくとも1つの酸化物層上の交換結合層(ECL)と、キャップ層と、ECL上でキャップ層内の横方向の交換結合を減らすためにECLとキャップ層との間に設けられた分離制御層と、キャップ層上の炭素保護膜とを含んでいる。 (もっと読む)


【課題】スピン分極率の高いフルホイスラー合金と反強磁性結合を形成する磁性体を含む、TMR比が高い磁気抵抗効果素子を用いたスピンMOS電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体基板10上に形成されたフルホイスラー合金層13と、フルホイスラー合金層13上に形成された、面心立方格子構造を有する強磁性体層14と、強磁性体層14上に形成された非磁性層15と、非磁性層15上に形成された強磁性体層16とを含む構造をソース及びドレインのうち少なくとも一つに備える。非磁性層15を介して形成された強磁性層14と強磁性層16との間には反強磁性結合が形成されている。 (もっと読む)


【課題】保磁力Hcと逆磁区核形成磁界Hn、およびSNRを総合的に向上することにより、さらなる高記録密度化を実現可能にする。
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明にかかる垂直磁気記録媒体の代表的な構成は、軟磁性層130と、Niを主成分とし、W、Bを含有し、さらにZr、AL、SiからなるA群の元素のうち1つ以上の元素を含有する前下地層140と、RuまたはRu合金を主成分とする下地層150と、CoCrPt系の磁性粒子と非磁性の粒界部からなるグラニュラ構造を有するグラニュラ磁性層160と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】磁性層を備えたトラック及びそれを備える磁性素子を提供する。
【解決手段】複数の磁区及びそれらの間に磁壁を有するトラックと、前記トラックに連結された磁壁移動手段と、前記トラックについての情報の再生及び記録のための読み取り/書き込み手段と、を備え、前記トラックは、前記磁区及び磁壁を有する磁性層と、前記磁性層の第1面に備えられた第1非磁性層と、前記磁性層の第2面に前記第1非磁性層と異なる物質で形成され、原子番号が14以上である金属及びマグネシウムのうち少なくとも一つを含む第2非磁性層と、を備える磁性素子である。かかる構造に起因して、磁性層は、高い非断熱係数(β)を有する。磁性素子は、例えば、情報保存素子(メモリ)である。 (もっと読む)


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