【課題】小型かつ薄型でありながら、磁気特性の変化量が大きく、その調整及び調整後の値の保持が容易な磁性薄膜と、その製造方法及び磁気特性制御方法，薄膜磁気デバイスを提供する。
【解決手段】絶縁体基板１２上に形成した磁石層１４の近傍に層間絶縁層１６を介して軟磁性層１８を設け、前記磁石層１４の磁化の制御を、パルス電流発生回路によって発生されたパルス電流の印加により行い、前記軟磁性層１８にかかる磁界を変化させることで、磁気特性を変化させる。パルス電流の印加は、磁化を変化させる時にのみ行う。また、前記パルス電流を流すためのコイル導体層を、前記絶縁体基板１２と磁石層１４の間に形成すれば、薄膜磁気デバイスの小型化・薄型化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】パターンマスクの除去効率を損なうことなく処理時間の短縮を図ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁性層１２を磁気分離するためのイオン注入工程に際して基板１１をレジストパターン１３の除去反応温度域にまで昇温させ、イオン注入後はその基板温度を利用してレジストパターン１３のアッシング処理を実施する。これにより、レジストパターンの除去効率を損なうことなく、レジストパターン除去のための処理時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】膜面垂直通電（ＣＰＰ）読み取りセンサの縦バイアス積層構造を提供する。
【解決手段】ＣＰＰ読み取りセンサの検知層構造を安定化させるための、改良された縦バイアス積層構造を有する読み取りヘッドが提供される。縦バイアス積層構造は、２つの側部領域の各々において、絶縁層によってＣＰＰ読み取りセンサから分離され、絶縁層とＣＰＰ読み取りセンサとともに、読み取りヘッド内の上側および下側強磁性シールドの間に挟まれる。本発明の好ましい実施形態において、縦バイアス積層構造は主として、Ｆｅ−Ｐｔ縦バイアス層を含み、シード層を持たないため、絶縁層のみの厚さで、Ｆｅ−Ｐｔ縦バイアス層とＣＰＰ読み取りセンサの間の間隔が決定される。シード層を持たないＦｅ−Ｐｔ縦バイアス層は、アニーリング後に良好な膜面内の硬磁性を呈し、間隔が狭いため、この安定化方式は有効である。 （もっと読む）

【課題】磁性膜の成膜時の表面粗さを低減し、上部磁極等を高精度に形成することを可能にする磁性積層膜およびその製造方法、ならびに磁性積層膜を用いた磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】FeとCoを含む磁性膜１０ａ、１０ｂを成膜する工程と、該磁性膜１０ａ、１０ｂの表面に平滑化処理を施す工程と、平滑化処理が施された磁性膜の表面に、不連続膜となる膜厚に磁性材１２ａあるいは絶縁材を成膜する工程とを繰り返して、磁性膜を複数層に積層することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】強磁性層の磁気異方性を制御することにより良好な磁気特性を有する磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子１であって、強磁性層のうち一方が磁化固定層５であり、他方が磁化自由層７であり、強磁性層５，７がアモルファスあるいは微結晶組織を有し、強磁性層５，７が、３００℃以上磁化自由層７の結晶化温度以下で磁場中熱処理されている磁気抵抗効果素子１を構成する。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性及び耐蝕性を維持しつつ保護層の薄膜化を図ることができる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１の上方に形成された磁性層３と、磁性層３の上方に形成された、密度が2.2g/cm³以上の非晶質窒化シリコン膜からなる保護層４と、保護層４上の潤滑層５とを有する。 （もっと読む）

【課題】 熱的に安定であると同時に低電流の磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式用の磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】 磁気抵抗効果素子１は、磁化の方向が固定された第１磁化固定層２を含む。磁化可変層３は、磁化の方向が可変で、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１つの元素と、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕから選ばれる少なくとも１つの元素と、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎから選ばれる少なくとも１つの元素と、を含む。第１中間層４は、第１磁化固定層と磁化可変層との間に設けられ、非磁性材料からなる。第１磁化固定層と第１中間層と磁化可変層とを貫く双方向電流によって磁化可変層の磁化の方向が可変とされる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも一方の強磁性体にスピン分極率がほぼ１００％のフルホイスラー合金を具えるトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】第１の強磁性体と、第２の強磁性体と、これら強磁性体間に挟まれて存在する絶縁体とを具え、強磁性体の少なくとも一方は、基材上に(100)面にエピタキシャル成長したフルホイスラー合金の単結晶を有し、フルホイスラー合金と絶縁体との間に薄いＭｇ層を具えている。フルホイスラー合金は、Ｘ_２ＹＺの組成式で表わされる金属間化合物であることが好ましい。特に、フルホイスラー合金は、Ｃｏ_２ＭｎＳｉからなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高周波領域での透磁率を簡易に向上させることが可能な薄膜磁気デバイスを提供する。
【解決手段】下部磁性膜１１および上部磁性膜１４の表面または裏面のうちの少なくとも一方側に、コイル１３の延在方向（例えば、第２のコイルパターンの延在方向であるＹ軸方向）に沿って延在するキズ状溝１６，１７を形成する。キズ状溝１６，１７の形成領域（下部磁性膜１１Ｂ，１１Ｄおよび上部磁性膜１４Ｂ，１４Ｄの形成領域）において、異方性磁化Ｍｂ，Ｍｄの磁化方向が制御され、異方性磁化Ｍｂ，Ｍｄの磁化方向の変位（回転）がキズ状溝１６，１７によってピン止めされる。したがって、高周波領域でもある程度の透磁率が維持される。また、このようなキズ状溝１６，１７の形成によって、製造工程が複雑化することはない。 （もっと読む）

【課題】 非磁性基板の少なくとも一方の表面に、磁気的に分離した磁気記録パターンを有する磁気記録媒体において、従来の物理的な磁気層加工型と比較しその磁性層除去工程を排除することにより格段に製造工程を簡略化し、かつ汚染リスクがすくない製造方法と、ヘッド浮上特性に優れた有用なディスクリートトラック型磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 磁気記録媒体の製造方法を、非磁性基板に磁性層を形成する工程、磁性層の上にマスク層を形成する工程、マスク層の上にレジスト層を形成する工程、レジスト層に前記磁気記録パターンのネガパターンを、スタンプを用いて転写する工程、マスク層で磁気記録パターンのネガパターンに対応する部分を除去する工程、レジスト層側表面から磁性層にイオンを注入し、磁性層を部分的に非磁性化する工程、レジスト層およびマスク層を除去する工程をこの順で有するようにする。 （もっと読む）