【課題】スティッキング現象の発生を抑制できる静電駆動型アクチュエータや可変容量素子を実現するとともに、それらを歩留まり良く、高い形状精度で生産する製造方法を実現する。
【解決手段】可変容量素子１において、可動梁３は、固定板２に対向する。可動梁側駆動容量電極８Ａ，８Ｂおよび可動梁側ＲＦ容量電極９は、可動梁３に設けられる。固定板側駆動容量電極５Ａ，５Ｂは、可動梁側駆動容量電極８Ａ，８Ｂに対向して固定板２に設けられる。固定板側ＲＦ容量電極６Ａ，６Ｂは、可動梁側ＲＦ容量電極９に対向して固定板２に設けられる。誘電体膜４は、固定板側駆動容量電極５Ａ，５Ｂと固定板側ＲＦ容量電極６Ａ，６Ｂとを覆うように形成される。可動梁３は、初期状態において、固定板２側に先端が撓んでいるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】可撓梁の厚みのばらつきを小さくすることができる梁構造デバイスと、その製造方法とを実現する。
【解決手段】第一面と第二面とを有する可撓梁形成基板２１を用意し、可撓梁形成基板２１の第一面側を厚み方向に削り、可撓梁の固定部３Ｃと空洞部２１Ａとを可撓梁形成基板２１に形成する第一工程と、支持基板２を用意し、可撓梁形成基板２１の第一面が支持基板２に対向するように、可撓梁形成基板２１と支持基板２とを接合して、固定部３Ｃを支持基板２に固定する第二工程と、可撓梁形成基板２１の第二面を研削して可撓梁形成基板２１を薄化させる第三工程と、可撓梁形成基板２１の第二面側を厚み方向に削り、可撓梁を形成する第四工程と、を有し、第三工程において、可撓梁が形成される位置とは異なる位置であって、可撓梁形成基板２１と支持基板２との間に、支持柱７が配置されている。 （もっと読む）

【課題】電極の酸化を防止して、所望の大きさの容量を得ることができる可変容量装置を提供する。
【解決手段】可変容量装置１は、固定板２と、固定板２に間隔を隔てて対向するように設けられた可動梁３と、可動梁３に設けられた可動梁側ＲＦ容量電極９と、可動梁側ＲＦ容量電極９に対向するように固定板２に設けられた固定板側ＲＦ容量電極６Ａ，６Ｂと、可動梁側ＲＦ容量電極９と固定板側ＲＦ容量電極６Ａ，６Ｂとの間に設けられた、酸化物からなる誘電体膜４と、可動梁側ＲＦ容量電極９上に設けられた酸化防止膜１０Ｃとを備える。 （もっと読む）

【課題】サージ耐圧が高く、ＥＳＤ破壊の発生を抑制できる可変容量装置を実現する。
【解決手段】可変容量装置１は、支持板２と、可動梁３と、上側駆動容量電極８Ａ，８Ｂと、下側駆動容量電極５Ａ，５Ｂと、上側ＲＦ容量電極９と、下側ＲＦ容量電極６Ａ，６Ｂと、誘電体膜４とを備える。上側ＲＦ容量電極９の端部と可動梁３の端部との間の領域に電極非形成領域３Ｆが設けられており、可動梁３が変形して可動梁３の先端が誘電体膜４に線接触する際に、上側ＲＦ容量電極９と誘電体膜４とは接触しないように構成されている。 （もっと読む）

【課題】膜厚が大きく圧電特性に優れたアルカリニオブ酸化物系の圧電膜を備える圧電膜素子、圧電膜デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２と、前記基板２上に形成される下地層３と、前記下地層３上に形成されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電膜４と、を備える圧電膜素子において、前記圧電膜４が、（００１）面方位に優先配向した第１の圧電膜５と、前記第１の圧電膜５上に水熱合成法により結晶成長され、結晶構造が擬立方晶、正方晶、斜方晶のいずれか、またはそれらが共存した状態であって、特定の面方位に優先配向した第２の圧電膜６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】３つ以上のキャパシタンス値が得られると共に、装置の小型化と信号損失の低減が可能な可変容量装置および駆動電圧制御回路を提供する。
【解決手段】可変容量素子２の駆動容量Ｃ1は、駆動電圧制御回路３１から出力される駆動電圧Ｖdに応じて変化する。駆動電圧制御回路３１は、駆動容量Ｃ1の検出値と目標値とを比較する比較器３２と、比較器３２の比較結果に応じた駆動電圧Ｖdを発生させる駆動電圧発生回路３４とを備える。駆動電圧発生回路３４の電流出力型レベル変換回路は、比較器３２の比較結果に応じて平滑化容量にソース電流またはシンク電流を流し、駆動電圧Ｖdを昇圧または降圧する。平滑化容量には、スイッチを用いて接続および遮断が可能な補助容量が並列接続される。 （もっと読む）

【課題】 ３つ以上のキャパシタンス値が得られると共に、装置の小型化と信号損失の低減が可能な可変容量装置を提供する。
【解決手段】 可変容量素子２の駆動容量Ｃ1は、駆動電圧制御回路３１から出力される駆動電圧Ｖdに応じて変化する。駆動電圧制御回路３１は、駆動容量Ｃ1の検出値と目標値とを比較する比較器３２と、比較器３２の比較結果に応じた駆動電圧Ｖdを発生させる駆動電圧発生回路３４とを備える。駆動電圧発生回路３４の電流出力型レベル変換回路３５は、比較器３２の比較結果に応じて平滑化容量４５にソース電流ｉ10またはシンク電流ｉ20を流し、駆動電圧Ｖdを昇圧または降圧する。また、電流出力型レベル変換回路３５は、過渡状態から定常状態に移行するときに、ソース電流ｉ10またはシンク電流ｉ20の電流値を徐々に小さくする。 （もっと読む）

【課題】圧電体の残留応力に起因する初期たわみによる初期変位の影響を無くすことができ、かつ、純粋な厚み方向変位（ｚ方向並進運動）を実現する。
【解決手段】長手方向の中央部が支持される第１アクチュエータ（12）と、長手方向の両端部が第１アクチュエータ（12）の長手方向の両端部に連結される第２アクチュエータ（14）と備える。第１アクチュエータ（12）は、第１圧電駆動部（12A）の駆動によって撓んで変形し、両端部が厚み方向に変位する。第２アクチュエータ（14）は第２圧電駆動部（14A）の駆動によって第1アクチュエータと逆方向に撓んで変形し、長手方向の中央部が厚み方向に変位する。また、同様の構成のアクチュエータ群（101、102）を複数組連結する構成により、さらにz方向変位を増大させることができる。 （もっと読む）

【課題】優れた素子特性を得ることができるＭＥＭＳを提供する。
【解決手段】基板１０上に下部電極１２Ａを形成する工程と、下部電極１２Ａに隣接するように電気的にフローティング状態になる補助構造体１３Ａを基板１０上に形成する工程と、下部電極１２Ａ上、補助構造体１３Ａ上、及び基板１０上に犠牲膜を形成する工程と、犠牲膜上に上部電極１６を形成する工程と、犠牲層を除去し、上部電極１６を下部電極１２Ａの上方に空洞２１Ａを介して配置する工程とを具備する。下部電極１２Ａ上及び補助構造体１３Ａ上に形成された犠牲膜は上面が平坦であり、犠牲膜上に形成された上部電極１６は下面が平坦である。 （もっと読む）

【課題】スティッキングによる可変容量素子の動作不良を防ぐ。
【解決手段】可変容量素子１は、支持板２、可動梁３、下容量電極４Ａ，４Ｂ、下駆動電極５Ａ，５Ｂ、上容量電極６、上駆動電極７Ａ，７Ｂ、および誘電体膜８を備える。可動梁３は、長手方向に垂直な撓み方向に、ギャップ空間を介して支持板２と対向する。誘電体膜８は支持板２と可動板３との間のギャップ空間に露出して設けられる。下駆動電極５Ａ，５Ｂおよび上駆動電極７Ａ，７Ｂは駆動電圧が印加される。下容量電極４Ａ，４Ｂおよび上容量電極６はＲＦ信号が印加される。可動梁３の変位開始位置近傍での上容量電極６と誘電体膜８との接触面積を低減するストッパ１２を設ける。 （もっと読む）