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国際特許分類[H01G7/00]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | コンデンサ;電解型のコンデンサ,整流器,検波器,開閉装置,感光装置また感温装置 (21,977) | 機械的でない手段によって容量を変えるコンデンサ;その製造方法 (140)

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【課題】3つ以上のキャパシタンス値が得られると共に、装置の小型化と信号損失の低減が可能な可変容量装置および駆動電圧制御回路を提供する。
【解決手段】可変容量素子2の駆動容量C1は、駆動電圧制御回路31から出力される駆動電圧Vdに応じて変化する。駆動電圧制御回路31は、駆動容量C1の検出値と目標値とを比較する比較器32と、比較器32の比較結果に応じた駆動電圧Vdを発生させる駆動電圧発生回路34とを備える。駆動電圧発生回路34の電流出力型レベル変換回路は、比較器32の比較結果に応じて平滑化容量にソース電流またはシンク電流を流し、駆動電圧Vdを昇圧または降圧する。平滑化容量には、スイッチを用いて接続および遮断が可能な補助容量が並列接続される。 (もっと読む)


【課題】圧電特性に優れ且つ信頼性の高い圧電膜素子及び圧電膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板1上に、少なくとも下部電極層2と、非鉛のアルカリニオブ酸化物系の圧電膜4とを配した圧電膜素子10において、前記下部電極層2は、立方晶、正方晶、斜方晶、六方晶、単斜晶、三斜晶、三方晶のいずれかの結晶構造、またはこれら結晶構造のうちの二以上の結晶構造が共存した状態を有し、前記結晶構造の結晶軸のうちの2軸以下のある特定の結晶軸に優先的に配向しており、前記基板1上における少なくとも一つの前記結晶軸を法線とした結晶面のX線回折強度分布において、前記結晶面のX線回折強度の相対標準偏差が57%以下である。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスとその製造方法において、封止後に電子デバイス内に残留する脱ガスの量を低減すること。
【解決手段】基板20の上に下地膜21を形成する工程と、下地膜21の上に、感光性樹脂を露光及び現像してなる封止体25bを形成する工程と、封止体25bを加熱することにより、該封止体25bをキュアする工程と、基板1に形成されたスイッチ素子19に封止体25bを貼付することにより、封止体25bでスイッチ素子19を封止する工程と、封止の後、下地膜21を境にして封止体25bから基板1を剥離する工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 (もっと読む)


【課題】電極の形状、及び電極の積層数を変えること無く、異なる容量を有する静電容量素子を安定して製造する。
【解決手段】誘電体層12と、誘電体層12を狭むように誘電体層12の一方の面上に形成された一方の電極15と誘電体層12の他方の面上に形成された他方の電18極とからなる一対、又は複数対の電極を有した静電容量素子を構成する。一方の電極15と他方の電極18は、互いの電極の長軸方向が交差するように配置されている。また、一方の電極15、又は/及び他方の電極18が少なくとも2つ以上の電極幅を有する。そして、一対、又は複数対の電極は、一方の電極15を他方の電極18に対して相対的に移動して形成した場合に誘電体層12を挟んで誘電体層12の厚み方向に重なる電極の面積を、連続的、又は段階的に変更可能とされている。 (もっと読む)


【課題】従来の可変容量素子は、容量値の精度が低い問題があった。
【解決手段】本発明の可変容量素子は、第1の電源端子と出力端子CTOPとの間に接続される第1の容量素子C1と、容量切替信号CSELに応じて導通状態が切り替えられる容量選択スイッチN1と、第1の容量素子C1と並列に接続され、かつ、容量選択スイッチN1と直列に接続される第2の容量素子C2と、容量選択スイッチN1が遮断状態とされる状態において、出力端子CTOPをリセット電圧にリセットする電荷リセット信号INITBに応じて、第2の容量素子C2と容量選択スイッチN1とを接続する容量切替ノードNDaの電圧と出力端子CTOPの電圧とを実質的に同じ電圧に設定する誤差補正回路10と、を有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、高いQ値を維持しながら静電容量の可変域の拡大を実現する、強誘電体を用いた可変容量素子の小型化を目的とする。
【解決手段】本発明は、強誘電体を用いた可変容量素子において、第1及び第2の電極22、24の間に接続された強誘電体層21を備え、前記強誘電体層21は、自らが内部に持つ圧縮応力Yにより立方晶から正方晶へ相変態したペロブスカイト型構造を有することを特徴とする可変容量素子を用いることで、可変容量素子の小型化を実現できるものである。 (もっと読む)


【課題】光照射によって誘電率を変化させることが可能な膜、およびそれを用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ20は、ガラス基板21、ゲート電極22、ゲート絶縁膜23、半導体層(活性層)24、ソース電極25およびドレイン電極26を備える。ゲート電極22、ゲート絶縁膜23および半導体層24は、この順序でガラス基板21上に積層されている。ソース電極25およびドレイン電極26は、半導体層24上に形成されている。ゲート絶縁膜23は、有機重合体と、その有機重合体中に分散された化合物とを含む溶液を、ガラス基板上に形成されたゲート絶縁膜上にスピンコート法によって塗布した。その化合物は、以下の式(1)で表される化合物および以下の(2)で表される化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物である。[化学式(1)および(2)]
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【課題】MEMS素子の信頼性の向上とMIM素子の特性の向上とを両立する。
【解決手段】本発明の例に関わるMEMSデバイスは、基板1上に設けられる第1の下部電極12と、第1の下部電極12上に設けられ、第1の厚さt1を有する第1の絶縁体20と、第1の下部電極12上方にアンカーによって中空に支持される可動な第1の上部電極16とを有するMEMS素子10と、基板1上に設けられる第2の下部電極52と、第2の下部電極52上に設けられ、第2の厚さt2を有する第2の絶縁体25と、第2の絶縁体25上に設けられる第2の上部電極54とを有する容量素子50と、を具備し、第2の厚さt2は、第1の厚さt1よりも薄いことを備える。 (もっと読む)


【課題】 簡易な構造でかつ簡易な制御により静電容量を制御することが可能な可変キャパシタを得る。
【解決手段】 固定キャパシタC1〜C5は基板3上に実装され、並列に接続されている。FET1〜FET4は、2つの固定キャパシタの間に配置されている。固定キャパシタC1〜C5の各々の一方の電極は、FET1〜FET4の各々のゲート端子と接続されている。固定キャパシタC1の他方の電極は各FETのソース端子またはドレイン端子と接続されている。一対の引出端子2a、2bのうち一方の引出端子2aは固定キャパシタC1の一方の電極に接続され、他方の引出端子2bは固定キャパシタC1の他方の電極に接続されている。 (もっと読む)


【課題】不良素子を含む複数のMEMS可変容量素子が集積された可変容量システムの歩留まり及び信頼性を向上させる。
【解決手段】可変容量素子の制御装置100は、複数の可変容量素子を含む可変容量システム300の制御を指示する指示手段108と、前記指示手段108の指示に基づいて、前記複数の可変容量素子を開状態又は閉状態に制御する第1制御手段102と、前記第1制御手段102によって制御された可変容量素子の容量を検知する容量検知手段104と、前記容量検知手段104によって検知された容量に基づいて、前記可変容量素子の不良を示す不良素子情報124を記憶する記憶手段120と、前記記憶手段120に記憶された不良素子情報124に基づいて、前記可変容量素子を開状態又は閉状態に制御する第2制御手段106と、を備えている。 (もっと読む)


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