【課題】圧電特性に優れ且つ信頼性の高い圧電膜素子及び圧電膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板１上に、少なくとも下部電極層２と、非鉛のアルカリニオブ酸化物系の圧電膜４とを配した圧電膜素子１０において、前記下部電極層２は、立方晶、正方晶、斜方晶、六方晶、単斜晶、三斜晶、三方晶のいずれかの結晶構造、またはこれら結晶構造のうちの二以上の結晶構造が共存した状態を有し、前記結晶構造の結晶軸のうちの２軸以下のある特定の結晶軸に優先的に配向しており、前記基板１上における少なくとも一つの前記結晶軸を法線とした結晶面のＸ線回折強度分布において、前記結晶面のＸ線回折強度の相対標準偏差が５７％以下である。 （もっと読む）

【課題】３つ以上のキャパシタンス値が得られると共に、装置の小型化と信号損失の低減が可能な可変容量装置および駆動電圧制御回路を提供する。
【解決手段】可変容量素子２の駆動容量Ｃ1は、駆動電圧制御回路３１から出力される駆動電圧Ｖdに応じて変化する。駆動電圧制御回路３１は、駆動容量Ｃ1の検出値と目標値とを比較する比較器３２と、比較器３２の比較結果に応じた駆動電圧Ｖdを発生させる駆動電圧発生回路３４とを備える。駆動電圧発生回路３４の電流出力型レベル変換回路は、比較器３２の比較結果に応じて平滑化容量にソース電流またはシンク電流を流し、駆動電圧Ｖdを昇圧または降圧する。平滑化容量には、スイッチを用いて接続および遮断が可能な補助容量が並列接続される。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスとその製造方法において、封止後に電子デバイス内に残留する脱ガスの量を低減すること。
【解決手段】基板２０の上に下地膜２１を形成する工程と、下地膜２１の上に、感光性樹脂を露光及び現像してなる封止体２５ｂを形成する工程と、封止体２５ｂを加熱することにより、該封止体２５ｂをキュアする工程と、基板１に形成されたスイッチ素子１９に封止体２５ｂを貼付することにより、封止体２５ｂでスイッチ素子１９を封止する工程と、封止の後、下地膜２１を境にして封止体２５ｂから基板１を剥離する工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 （もっと読む）

【課題】電極の形状、及び電極の積層数を変えること無く、異なる容量を有する静電容量素子を安定して製造する。
【解決手段】誘電体層１２と、誘電体層１２を狭むように誘電体層１２の一方の面上に形成された一方の電極１５と誘電体層１２の他方の面上に形成された他方の電１８極とからなる一対、又は複数対の電極を有した静電容量素子を構成する。一方の電極１５と他方の電極１８は、互いの電極の長軸方向が交差するように配置されている。また、一方の電極１５、又は／及び他方の電極１８が少なくとも２つ以上の電極幅を有する。そして、一対、又は複数対の電極は、一方の電極１５を他方の電極１８に対して相対的に移動して形成した場合に誘電体層１２を挟んで誘電体層１２の厚み方向に重なる電極の面積を、連続的、又は段階的に変更可能とされている。 （もっと読む）

【課題】従来の可変容量素子は、容量値の精度が低い問題があった。
【解決手段】本発明の可変容量素子は、第１の電源端子と出力端子ＣＴＯＰとの間に接続される第１の容量素子Ｃ１と、容量切替信号ＣＳＥＬに応じて導通状態が切り替えられる容量選択スイッチＮ１と、第１の容量素子Ｃ１と並列に接続され、かつ、容量選択スイッチＮ１と直列に接続される第２の容量素子Ｃ２と、容量選択スイッチＮ１が遮断状態とされる状態において、出力端子ＣＴＯＰをリセット電圧にリセットする電荷リセット信号ＩＮＩＴＢに応じて、第２の容量素子Ｃ２と容量選択スイッチＮ１とを接続する容量切替ノードＮＤａの電圧と出力端子ＣＴＯＰの電圧とを実質的に同じ電圧に設定する誤差補正回路１０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高いＱ値を維持しながら静電容量の可変域の拡大を実現する、強誘電体を用いた可変容量素子の小型化を目的とする。
【解決手段】本発明は、強誘電体を用いた可変容量素子において、第１及び第２の電極２２、２４の間に接続された強誘電体層２１を備え、前記強誘電体層２１は、自らが内部に持つ圧縮応力Ｙにより立方晶から正方晶へ相変態したペロブスカイト型構造を有することを特徴とする可変容量素子を用いることで、可変容量素子の小型化を実現できるものである。 （もっと読む）

【課題】光照射によって誘電率を変化させることが可能な膜、およびそれを用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ２０は、ガラス基板２１、ゲート電極２２、ゲート絶縁膜２３、半導体層（活性層）２４、ソース電極２５およびドレイン電極２６を備える。ゲート電極２２、ゲート絶縁膜２３および半導体層２４は、この順序でガラス基板２１上に積層されている。ソース電極２５およびドレイン電極２６は、半導体層２４上に形成されている。ゲート絶縁膜２３は、有機重合体と、その有機重合体中に分散された化合物とを含む溶液を、ガラス基板上に形成されたゲート絶縁膜上にスピンコート法によって塗布した。その化合物は、以下の式（１）で表される化合物および以下の（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物である。［化学式（１）および（２）］
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【課題】ＭＥＭＳ素子の信頼性の向上とＭＩＭ素子の特性の向上とを両立する。
【解決手段】本発明の例に関わるＭＥＭＳデバイスは、基板１上に設けられる第１の下部電極１２と、第１の下部電極１２上に設けられ、第１の厚さｔ１を有する第１の絶縁体２０と、第１の下部電極１２上方にアンカーによって中空に支持される可動な第１の上部電極１６とを有するＭＥＭＳ素子１０と、基板１上に設けられる第２の下部電極５２と、第２の下部電極５２上に設けられ、第２の厚さｔ２を有する第２の絶縁体２５と、第２の絶縁体２５上に設けられる第２の上部電極５４とを有する容量素子５０と、を具備し、第２の厚さｔ２は、第１の厚さｔ１よりも薄いことを備える。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構造でかつ簡易な制御により静電容量を制御することが可能な可変キャパシタを得る。
【解決手段】 固定キャパシタＣ１〜Ｃ５は基板３上に実装され、並列に接続されている。ＦＥＴ１〜ＦＥＴ４は、２つの固定キャパシタの間に配置されている。固定キャパシタＣ１〜Ｃ５の各々の一方の電極は、ＦＥＴ１〜ＦＥＴ４の各々のゲート端子と接続されている。固定キャパシタＣ１の他方の電極は各ＦＥＴのソース端子またはドレイン端子と接続されている。一対の引出端子２ａ、２ｂのうち一方の引出端子２ａは固定キャパシタＣ１の一方の電極に接続され、他方の引出端子２ｂは固定キャパシタＣ１の他方の電極に接続されている。 （もっと読む）

【課題】不良素子を含む複数のＭＥＭＳ可変容量素子が集積された可変容量システムの歩留まり及び信頼性を向上させる。
【解決手段】可変容量素子の制御装置１００は、複数の可変容量素子を含む可変容量システム３００の制御を指示する指示手段１０８と、前記指示手段１０８の指示に基づいて、前記複数の可変容量素子を開状態又は閉状態に制御する第１制御手段１０２と、前記第１制御手段１０２によって制御された可変容量素子の容量を検知する容量検知手段１０４と、前記容量検知手段１０４によって検知された容量に基づいて、前記可変容量素子の不良を示す不良素子情報１２４を記憶する記憶手段１２０と、前記記憶手段１２０に記憶された不良素子情報１２４に基づいて、前記可変容量素子を開状態又は閉状態に制御する第２制御手段１０６と、を備えている。 （もっと読む）