【課題】簡単な構成で高周波特性を向上させることが可能なＭＥＭＳリレーを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳリレーは、可動部形成基板２に設けられたアーマチュア２４を電磁石装置４によって動かすことにより、信号線１３に設けられた固定接点１４と可動部形成基板２に設けられた可動接点２７とが接離する。ＭＥＭＳリレーは、信号線１３を囲むシールド構造部６を備える。可動部形成基板２は、可動部２３と接点保持部２８とが第１半導体基板２０を用いて形成され、フレーム部５は、第１半導体基板２０に比べて抵抗率の低い第２半導体基板５０を用いて形成され、シールド構造部６においてベース基板１に形成された第１シールド部６１に電気的に接続される第２シールド部６２を兼ねている。カバー基板３は、第１半導体基板２０に比べて抵抗率の低い第３半導体基板３０を用いて形成され、第２シールド部６２に電気的に接続される第３シールド部６３を兼ねている。 （もっと読む）

【課題】信号の反射によるオン時の損失を低減することができるスイッチを提供する。
【解決手段】基板１０の上面１００には、入力端子１３−出力端子１４間を接続するストリップ導体からなる線路導体１１と、線路導体１１とは所定の間隔を空けて配置された接地パッド１２とが形成されている。可動子は、線路導体１１および接地パッド１２に対向する位置に可動接点３０を有しており、可動接点３０は、可動子の移動に伴って線路導体１１および接地パッド１２に対して接離する。可動接点３０が線路導体１１および接地パッド１２の両方から離れた状態では、線路導体１１は入力端子１３−出力端子１４間に信号を通過させるための信号伝送路を形成する。一方、可動接点３０が線路導体１１および接地パッド１２の両方に接触した状態では、線路導体１１と接地パッド１２とは可動接点３０を介して短絡し、入力端子１３−出力端子１４間において信号が遮断される。 （もっと読む）

【課題】既存の部材を利用して構造の簡素化を図りつつ、固定接点のインピーダンス整合の乱れを抑制することができる電磁リレーを得ることを目的とする。
【解決手段】固定接点３５１、３５２、３５３に、ベース部材（ベースブロック）３５の実装面に対して略直角に折曲させる一段目折曲部３５１Ｂ１、３５２Ｂ１、３５３Ｂ１と、固定接点３５１、３５２、３５３の先端部をベースブロック３５の実装面に沿う方向に折曲させる二段目折曲部３５１Ｂ２、３５２Ｂ２、３５３Ｂ２とを設ける。グランド部材として機能するサブベース３１に、固定接点３５１、３５２、３５３の基端部３５１Ｃ、３５２Ｃ、３５３Ｃと一段目折曲部３５１Ｂ１、３５２Ｂ１、３５３Ｂ１とに至る外側を覆う覆い部３１Ｋを設ける。 （もっと読む）

【課題】構造体の平面サイズの大型化を抑制しつつ伝送損失の低減を図ることが可能で且つ信号線を囲む接地導体の形成が容易な配線構造を備えた構造体およびＭＥＭＳリレーを提供する。
【解決手段】接地導体５は、ベース基板１の一表面側で信号線１３の幅方向の両側に形成された第１のグランド配線５１，５１と、ベース基板１に形成されて各第１のグランド配線５１，５１に電気的に接続されたビアからなる第２のグランド配線５２，５２と、ベース基板１の他表面側において第２のグランド配線５２，５２同士を電気的に接続し信号線１３に並行する第３のグランド配線５３と、カバー基板３におけるベース基板１との対向面側に形成された第４のグランド配線５４と、中間基板２において空洞部２７の両側に形成され各第１のグランド配線５１，５１と第４のグランド配線５４とを電気的に接続する貫通スリット配線からなる第５のグランド配線５５，５５とを有する。 （もっと読む）

【課題】誘電損失が小さく伝達特性が優れた伝送線路を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ構造体に用いられる伝送線路は、対向する表面Ｆ１及び裏面Ｆ２を有し、且つ表面Ｆ１に第１の凹みＣａ１が形成された誘電体基板２１と、第１の凹みＣａ１の底面ＢＴ上に配置され、且つ高周波を伝送する信号配線１０と、表面Ｆ１上に配置され、且つ信号配線１０から電気的に絶縁された表面グランド電極１１と、誘電体基板２１の裏面Ｆ２上に配置された裏面グランド電極１４とを有する。 （もっと読む）

【課題】インピーダンスの不整合を抑制する伝送線路を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ構造体に用いられる伝送線路であって、伝送線路は、対向する第１の主表面Ｆ１及び第２の主表面Ｆ２を有し、且つ第１の主表面Ｆ１に第１の凹みＣａ１が形成された誘電体基板２１と、第１の主表面Ｆ１上及び第１の凹みＣａ１の内部に配置され、且つ高周波を伝送する信号配線１０とを備える。第１の凹みＣａ１の側面の少なくとも一部は、当該側面の法線が第１の主表面Ｆ１の法線に対して鋭角に交わる傾斜面ＷＡ１を成す。信号配線１０の一部１０ａは傾斜面ＷＡ１上に配置されている。傾斜面ＷＡ１上に配置された信号配線の一部１０ａは、第２の主表面Ｆ２上に配置された裏面電極１３に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】電磁リレーを小型化する。
【解決手段】ａ接点２およびｂ接点３を１組ずつ備え、それらがスライド変位するカード８に共通に駆動され、さらに２組の接点２，３が前記カード８のスライド方向（矢符８２方向およびその反対方向）とは直交方向に並んで配設され、それらの間に前記カード８のスライド方向に延びる絶縁隔壁４６が配設されて２組の接点２，３間が区画される電磁リレー１において、前記絶縁隔壁４６を、その外方端４６ｃから、内方側に可動接点端子２２が設けられるａ接点２側に、該ａ接点２を取り囲むように延設し、その延設部４６ｄに対応して、前記カード８は、該ａ接点２側の腕部８８で、可動接点端子２２からはみ出るオーバーハング部分を切り欠き、反対のｂ接点３側の腕部８９に比べて、距離Ｌだけ短縮する。したがって、ａ，ｂ１組ずつのリレーに小型化しても、絶縁を確保できる。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の伝送ロスを低減することができ、しかも容易に作製することができる配線構造およびＭＥＭＳリレーを提供することにある。
【解決手段】配線構造は、ベース２０と、機能部３０と、カバー４０とを有するＭＥＭＳデバイスに設けられ、伝送線路１０を囲う接地線路１１を含む。接地線路１１は、ベース２０における伝送線路１０の幅方向の一端側の凹所２４及び他端側の凹所２５の内側に形成される第１の導電部１１０及び第２の導電部１１１と、カバー４０における伝送線路１０との対向面に形成される第３の導電部１１２と、機能部３０に設けられ第１の導電部１１０と第３の導電部１１２とを接続する第４の導電部１１３および第２の導電部１１１と第３の導電部１１２とを接続する第５の導電部１１４とで構成される。 （もっと読む）

【課題】電磁継電器の小型化を図りつつ耐雷サージ性を向上することが可能な電磁継電器を得る。
【解決手段】絶縁隔壁８を、アーム部４５に略沿って当該アーム部４５の基端部４５ａ側からカード６の手前となる位置まで突出させることで、接極子５の作動状態（接点部４の閉状態）で、絶縁隔壁８とカード６との干渉を回避するとともに、絶縁隔壁８の先端部４５ｂ側（図中右側）で、アーム部４５と接極子５のカード６より基端部４５ａ側（図中左側）となる部分とを相互に対向させ、接極子５の非作動状態で、アーム部４５と接極子５のカード６より基端部４５ａ側となる部分（他端部５ｂ）とを相互に対向させた部分の間隔δ２を、固定接点４１と可動接点４２との間の間隔δ１以上（δ２≧δ１）とした。 （もっと読む）

改良されたリード・リレー・パッケージ（２２４）が、スタブ容量を低減し、ＲＦ性能を改良するために、信号出力（２０４ａ、２０４ｂ）を電気的に相互接続する、少なくとも１つのブリッジ・フィルタ素子（２０２）を有する２つのフォームＡリレー（２０６ａ、２０６ｂ）を含む、「疑似」フォームＣリレー（２００）提供する。その結果、リード・リレー・パッケージ（２２４）は、１８ＧＨｚ以上のような、非常に高い周波数で動作することができる。さらに、バイア（２６２）が、接地された共平面導波路を模擬するために、支持基板（２２８）を貫通して設けられてよく、また、切り欠きで形作られるＲＦシールド（２５４）が、信号線の経路を通して５０オームのインピーダンス環境をより良く模擬するために設けられてよい。
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