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国際特許分類[H01J1/304]の内容

国際特許分類[H01J1/304]に分類される特許

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【課題】電子放出素子と被熱交換体との間にホール電極を設けることにより、ヒートシンクによらずにイオン風生成のための電界形成を行い、いかなるサイズや形状の被熱交換体に対しても高い熱交換性能が発揮される熱交換装置およびその用途を提供する。
【解決手段】
電極基板と薄膜電極とそれらの間に挟まれた電子加速層とを有する電子放出素子と、前記薄膜電極から離れて前記薄膜電極に対向し、少なくとも1つの貫通孔を有するホール電極とを備え、前記電子放出素子と前記ホール電極とを空気中に設置して、前記電極基板と前記薄膜電極との間に第1電圧を印加し、前記薄膜電極と前記ホール電極との間に第2電圧を印加したとき、前記第1電圧によって、前記電極基板で生成された電子が前記電子加速層で加速されて前記薄膜電極から空気中に放出され負イオンを生成し、前記第2電圧によって前記負イオンからなるイオン風が生成されて前記貫通孔を通過して被熱交換体へ放出されるように構成された熱交換装置。 (もっと読む)


【課題】一層効率の良い新規なフィールドエミッションランプを提供することを目的とする。
【解決手段】真空空間内に形成された電子放出源、ゲート電極及び蛍光体層を備えた反射型フィールドエミッションランプであって、前記電子放出源は、透光性部材の表面に形成され、前記ゲート電極は、前記電子放出源に対して間隙を空けて覆うように形成され、
前記蛍光体層は、前記ゲート電極に対向するように配置された導電性部材の表面に形成され、前記電子放出源は、前記ゲート電極との間に電界が形成されて、電子線を放出し、前記蛍光体層は、前記ゲート電極との間に電界が形成されて、前記電子線が衝突することにより励起発光し、前記電子放出源は、前記透光性部材の表面に前記発光光線を通過させるスペースを形成するように配置され、該発光光線は該スペースを通過して外部に取り出される。 (もっと読む)


【課題】金属水酸化物または金属酸化物からなる微細構造体を容易に、導電性基板上に規則的に配列させて作製できる微細構造体の製造方法および該製造方法を用いて得られる複合体の提供。
【解決手段】導電性基板13上に、側鎖に液晶性分子構造を有する両親媒性ブロック共重合体を溶媒に溶解した溶液を塗布して両親媒性ブロック共重合体膜11を形成する。次に、両親媒性ブロック共重合体膜11が形成された導電性基板13に対して熱処理を行って、該両親媒性ブロック共重合体膜11内を、親水相と疎水相とに相分離させ、相分離構造膜14とする。その後、導電性基板13に対して電解析出処理を行う。これにより、相分離構造膜14の親水相15の位置に、金属水酸化物または金属酸化物からなる微細構造体16が形成される。電解析出処理の後、さらに、相分離構造膜14のみを除去する工程を行ってもよい。 (もっと読む)


【課題】ダイヤモンドにドナー元素が均一に添加されたナノ多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド1は、炭素と、該炭素中に原子レベルで分散するように添加されたV族元素3と、不可避不純物とで構成される。該多結晶ダイヤモンド1の結晶粒径は500nm以下である。上記多結晶ダイヤモンド1は、V族元素が炭素中に原子レベルで分散するように添加され、結晶粒径が10μm以下である黒鉛に、高温高圧プレス装置内で熱処理を施すことで作製可能である。 (もっと読む)


【課題】電子放出材料の電極基板からの剥離を防止し、かつ電子放出源マトリックスの硬化度を最適化して活性化処理時に起毛しやすく、電子放出特性の良好な電子放出源用ペーストおよびそれを用いた電子放出素子を提供すること。
【解決手段】電子放出材料、シリコーン、および一般式(1)で表されるシラン化合物を含む電子放出源用ペースト。 (もっと読む)


【課題】電子放出源の位置を正確に規定し、画素間の漏洩の無い電界放出ディスプレイを提供する。
【解決手段】基板100の上に形成されたカソード電極110と触媒層130の上に感光性レジスト層140をコートし、パターン形成後に焼結させて所定位置にホールを形成し、ホール内にプラズマCVDでカーボンナノチューブ150を成長させる。更に感光性レジスト160を用いて直接電極上に画素単位に区画するスペーサ162を形成し、画素間の漏洩を防止する。 (もっと読む)


【課題】エミッション開始電界が低く、しかも十分なエミッション電流を得ることができる冷陰極電子源を提供する。
【解決手段】カソード電極およびその上に形成された電子放出部を有する冷陰極電子源において、電子放出部に活性化処理された金属酸化物を用い、当該活性化処理が金属酸化物の中に新たにエミッションに寄与する部位を形成し、且つエミッションに寄与しない部位又は悪影響を及ぼす部位を取り除く処理であることを特徴とする冷陰極電子源である。 (もっと読む)


【課題】冷電極を用いてシート状のビームを発生させることのできる、シート状ビーム発生装置を提供する。
【解決手段】平板型電極1と、接地電極7と、平板型電極1と接地電極7との間に電圧を印加する電源3と、平板型電極1と接地電極7が収容される真空容器4と、真空容器4の外部に設けられ平板型電極1から発生する粒子ビームを誘導する磁場を発生させる磁場発生コイル6とを備えた。平板型電極1の表面に粒子ビームを発生させるための粒子ビーム発生部2を形成した。粒子ビーム発生部2は略均一の粗さを有する。 (もっと読む)


【課題】ダイヤモンド膜が設けられた雰囲気から酸素を取り除き、水素が離脱したダイヤモンド表面に酸素が吸着しないようにすることができる電子放出素子を提供する。
【解決手段】容器4内に容器4内の酸素を取り除くための酸素吸着剤8を設ける。このように容器4内に酸素吸着剤8を設けることにより、容器4内に存在する酸素を酸素吸着剤8に吸着させることができ、容器4内から酸素を除去することができる。このため、エミッタ電極1およびコレクタ電極2を構成するダイヤモンド膜の各表面1a、2aから水素が離脱したとしても、水素が抜けたダングリングボンドに酸素が吸着することを防止することができる。したがって、電子放出の確率の低下、発光効率、電界放出電子の放出確率、熱電子発電の発電効率の低下を防止できる。 (もっと読む)


【課題】触媒や各種の電子的用途への応用が期待できる新規なナノ・マイクロ突起体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Arイオンスパッタリングの閾値エネルギーが25eV以下で、表面拡散の活性化エネルギーが1.6eV以下の貴金属からなる板に、低真空下で高エネルギービームを照射して、スパッタされた金属原子のエネルギー源方向への表面拡散により形成・成長されたことを特徴とするナノ・マイクロ突起体。Arイオンスパッタリングの閾値エネルギーが25eV以下で、表面拡散の活性化エネルギーが1.6eV以下の貴金属からなる板に、低真空下で高エネルギービームを照射して、金属原子のエネルギー源方向への表面拡散により複数の小突起体が合体されてなる大突起体を形成することを特徴とするナノ・マイクロ突起体の製造方法。 (もっと読む)


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