【課題】本発明は、電界放出陰極素子及びそれを利用した電界放出表示装置に関する。
【解決手段】本発明の電界放出陰極素子は、絶縁基板と、第一電極と、第二電極と、少なくとも一つの陰極エミッタと、二次電子放出エミッタと、を含む。前記第一電極及び前記第二電極は、相互に間隔をあけて設置され、前記絶縁基板の一つの表面に設置される。前記陰極エミッタは、前記第一電極に電気的に接続される。前記二次電子放出エミッタは、電子放出面を有する。前記二次電子放出エミッタは、前記陰極エミッタに対向して、該陰極エミッタと間隔をあけて設置される。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性の解析システム及び解析方法において、形成遅れ時間と統計遅れ時間を高精度に分離し、並びに、一つまたは複数の電子放出源のエネルギー状態密度を同定することができる技術を提供する。
【解決手段】休止時間ｔ_ｉ、温度Ｔに対するアドレス放電遅れ時間ｔ_ｄの計測データを入力する。計測データの累積数から放電確率頻度と既放電確率を算出する。プライミング電子の電子放出時定数ｔ_ｓ^exp（ｔ_ｉ，Ｔ）を算出する。電子放出源のエネルギー状態密度の関数を設定し、活性化エネルギーの平均値、分散値、実効数の探索範囲、探索幅を設定する。電子放出源のエネルギー状態密度とウインドウ関数の重なり積分によりプライミング電子の電子放出時定数ｔ_s^th（ｔ_ｉ，Ｔ）を算出する。ｔ_ｓ^exp（ｔ_ｉ，Ｔ）とｔ_ｓ ^th（ｔ_ｉ，Ｔ）の平均二乗誤差が最小となる活性化エネルギーの平均値、分散値、実効数を決定する。 （もっと読む）

【課題】 実用性の高いアルカリフリーの二次電子増倍電極及びそれを用いた光電子増倍管を提供する。
【解決手段】 バンドギャップが大きい酸化マグネシウム（ＭｇＯ）にバンドギャップが小さい酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混ぜて混晶としたＭｇ_ｘＺｎ_{（１−ｘ）}Ｏを二次電子増倍電極として用いることで、バンドギャップを制御して二次電子放出比特性を向上させることができ、実用性の高い二次電子増倍電極を提供することが可能になる。 （もっと読む）

画像増強装置（３００）及びそのための電子増倍装置（３１２）が開示されている。１つの画像の光子（３０８）が光電陰極（３０６）に衝突し、これが光子を電子に転換させる。電子増倍装置が光電陰極からの電子を増倍させて増大した数の電子を作り出す。センサー（３１４）は該増大した数の電子を捕捉して増強した画像を生成する。電子増倍装置は、半導体構造（３２０）を収納する電子ボンバードデバイス（ＥＢＤ）である。半導体構造は、電子を受け入れるための入力表面（３２０ａ）及び増大した数の電子を通過させるための発出表面（３２０ｂ）を有する。半導体構造は、該半導体構造を通って発出表面上の発出領域まで電子の流れを導くようにドープされる。
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開示された事項は、複数の電子線放出マイクロソースから成った第１の構造と、第１の構造によって放出された電子を収集するための、また前記収集に続いて二次電子放出を実行するための、第１の構造とは対抗する側の第２の構造と、を有する数個の電子ビームを備えた電子放出デバイスに関する。本発明は特に、直接書き込みリソグラフィの分野に適合する。
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この発明は、アルカリ金属を安定的に発生させることのできる光電面又は二次電子放出面を形成するためのアルカリ金属発生剤等に関する。当該アルカリ金属発生剤（１）は、入射光に対応して光電子を放出する光電面、又は入射電子に対応して二次電子を放出する二次電子放出面の形成に使用される。特に、当該アルカリ金属発生剤（１）は、アルカリ金属イオンをカウンターカチオンとする少なくとも一種のモリブデン酸塩からなる酸化剤と、前記イオンを還元するための還元剤とを少なくとも含む。モリブデン酸塩はクロム酸塩よりも酸化力が弱いので、還元剤との酸化還元反応がクロム酸塩の場合に比べて緩やかに進行し、反応速度の制御が容易である。
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この発明は、アルカリ金属を安定的に発生させることのできる光電面又は二次電子放出面を形成するためのアルカリ金属発生剤等に関する。当該アルカリ金属発生剤（１）は、入射光に対応して光電子を放出する光電面、又は入射電子に対応して二次電子を放出する二次電子放出面の形成に使用される。特に、当該アルカリ金属発生剤（１）は、アルカリ金属イオンをカウンターカチオンとする少なくとも一種のバナジウム酸塩からなる酸化剤と、前記イオンを還元するための還元剤とを少なくとも含む。バナジウム酸塩はクロム酸塩よりも酸化力が弱いので、還元剤との酸化還元反応がクロム酸塩の場合に比べて緩やかに進行し、反応速度の制御が容易である。
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この発明は、アルカリ金属を安定的に発生させることのできる光電面又は二次電子放出面を形成するためのアルカリ金属発生剤等に関する。当該アルカリ金属発生剤（１）は、入射光に対応して光電子を放出する光電面、又は入射電子に対応して二次電子を放出する二次電子放出面の形成に使用される。特に、当該アルカリ金属発生剤（１）は、アルカリ金属イオンをカウンターカチオンとする少なくとも一種のタングステン酸塩からなる酸化剤と、前記イオンを還元するための還元剤とを少なくとも含む。タングステン酸塩はクロム酸塩よりも酸化力が弱いので、還元剤との酸化還元反応がクロム酸塩の場合に比べて緩やかに進行し、反応速度の制御が容易である。
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本発明は、イメージ増強管のためのマイクロチャネルプレートを提供し、ここで、プレートは、プレートの横断表面間を長手軸方向に延びる複数のマイクロチャネルを有する。各マイクロチャネルは、プレートの表面の近位末端において第１の開口部を形成する第１の部分を備える。第１の部分は、この表面から長手軸方向に延び、遠位端における第１の開口部と実質的に同じ開口部で終結する、壁を備える。マイクロチャネルはまた、壁の第２の部分を備え、この第２の部分は、遠位端における第１の開口部から長手軸方向に延び、さらなる遠位端における第２の開口部に向かって先細になっている。近位端における第１の開口部は、遠位端における第１の開口部の直径と実質的に同じ直径を有する。第１の開口部はまた、第２の開口部よりも広い。
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