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国際特許分類[H01J1/34]の内容

国際特許分類[H01J1/34]に分類される特許

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【課題】各種特性を向上させることのできる光電陰極を提供する。
【解決手段】光電陰極10において、基板12上に中間層14、下地層16、及び光電子放出層18をこの順で形成する。光電子放出層18は、SbとBiを含有し、光の入射により光電子を外部に放出する機能を備えており、光電子放出層18には、SbBiに対して32mol%以下のBiが含有されている。 (もっと読む)


【課題】ブランカを用いない光スイッチング電子源及びそれを用いた電子線描画装置を提供する。
【解決手段】光スイッチング電子源1は、光源2と、光源2からの断続光が照射されることで電子を発生する電子発生部3と、を備え、電子発生部3は、光励起によって電子を発生する電子源9と、電子源から電子を引き出す電極7と、電子を引き出す電源8と、を備えている。電子源9は、pn接合又はpin接合9a等を用いることができ、pn接合9ap層6a又はn層6bが突起形状を有していてもよい。pn接合9aがアレイ状に配設されていれば、複数の電子線12を発生することができる。さらに、電子発生部3の電子出射側に電子線整形部4が配設されていてもよい。電子線整形部4は、アインツェルレンズ41と、アインツェルレンズ用電源11と、から構成することができる。 (もっと読む)



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【課題】単純な製造プロセスで実現でき、強度の異なる2種類の波長の光が入射されても広い波長領域に感度を有する光電陰極を提供すること。
【解決手段】この光電陰極1は、第1の波長の光と、第1の波長より長い第2の波長の光であって、第1の波長の光の強度より低い強度を有する光とを検出する透過型光電陰極であって、第1及び第2の波長の光が、光入射側の面10aに入射するP型の半導体基板10と、第1及び第2の波長の光を吸収して光電子を生成するP型の光吸収層12と、光電子を加速するP型の電子放出層13と、電子放出層13上に積層されたN型のコンタクト層14と、半導体基板10の光入射側の面10a上及びコンタクト層14上のそれぞれに形成された裏面電極16及び表面電極15とを備え、半導体基板10上には光入射側の面10aに光吸収層12に向けて伸びる凹部18が形成されている。 (もっと読む)


【課題】 実効的な量子効率を向上させることができる光電陰極、そのような光電陰極を備える電子管及び光電子増倍管を提供する。
【解決手段】 光電陰極1A,1Bにおいては、Laを含む結晶性の材料からなる下地層200が支持基板100A,100Bと光電子放出層300との間に設けられ、光電子放出層300に接触している。これにより、例えば光電陰極1A,1Bの製造工程における熱処理時に、光電子放出層300に含まれるアルカリ金属の支持基板100A,100B側への拡散が抑制される。更に、この下地層200は、光電子放出層300で発生した光電子eのうち支持基板100A,100B側へ向かう光電子の進行方向をその反対側に反転させるよう機能していると推察される。 (もっと読む)


光電陰極デバイスの量子効率を高める技術を開示する。当該技術は、光電陰極デバイスの光学的厚さを増すことができる一方で、同時に、デバイスの真空の中へ電子が逃げる確率を上げることができる。当該技術は、特に、検出器と画像化とに役立つ。1つの実施形態では、光電陰極の表面に作成されたコーナーキューブのアレイを有する光電陰極デバイスを提供する。コーナーキューブアレイは、光電陰極層と同じ材料で作られている。デバイスは、例えば、UVと、可視と、IRの光スペクトルにおいて動作する検出器又は画像増倍管であり得る。デバイスは、利得媒体と、陽極と、読み出しデバイスとを更に含み得る。デバイスを形成する技術も提供されている。 (もっと読む)


【課題】超格子構造を利用して電子のエネルギー状態を単色化させ、量子効率を向上させることで、所望の超高輝度性能を達成するのに好適な光陰極半導体素子を提供する。
【解決手段】光陰極半導体素子101は、第1半導体からなる井戸層103と、当該第1半導体よりバンドギャップが大きい第2半導体からなる障壁層104と、が複数交互に積層した超格子構造102を備え、当該井戸層103および当該障壁層104のそれぞれの厚さは、当該超格子構造102の電子のエネルギー状態において伝導帯に生ずるミニバンドの下限と、価電子帯に生ずるミニバンドの上限と、の間のバンドギャップが所望の大きさとなる厚さを上限とし、当該伝導帯に生ずるミニバンドのバンド幅と、当該ミニバンド内のエネルギー状態密度と、が所望の大きさとなる厚さを下限とするように構成する。 (もっと読む)


【課題】炭素繊維の先端とゲート電極との距離の基板内ばらつきが抑制された炭素繊維装置及び炭素繊維装置の製造方法を提供する。
【解決手段】カソード電極20、絶縁膜30及びゲート電極40を積層するステップと、絶縁膜30及びゲート電極40を貫通するホール50を形成してカソード電極20の電子放出面20aを露出させるステップと、電子放出面20a上に炭素繊維100を成長させながら、炭素繊維100とゲート電極40との接触によるカソード電極20とゲート電極40間の短絡をリアルタイムで監視するステップと、短絡を検知した場合にゲート電極40と接触する炭素繊維100を切断するステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】各種特性を向上させることのできる光電陰極を提供する
【解決手段】光電陰極10において、基板12上に中間層14、下地層16、及び光電子放出層18をこの順で形成する。光電子放出層18は、SbとBiを含有し、光の入射により光電子を外部に放出する機能を備えており、光電子放出層18には、SbBiに対して32mol%以下のBiが含有されている。 (もっと読む)


【課題】従来のフォトカソード装置においては、量子効率が低く、寿命が短く、高製造コストであった。
【解決手段】石英プリズム1に入射された紫外レーザ光UVはアルミニウム層2に入射角θで入射する。アルミニウム層2において紫外レーザ光UVによって表面プラズモン共鳴光を励起し、表面プラズモン共鳴光の光電効果を利用してアルミニウム層2の石英プリズム1の反対側表面である光電面から光電子を放出する。入射角θは、全反射領域において紫外レーザ光UVのアルミニウム層2の光入射面での反射率Rが最小となるプラズモンディップ角である。 (もっと読む)


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