【課題】従来に比して、二次電子発生効率を向上することができ、且つ、二次電子発生効率の経時劣化を低減することができる二次電子発生電極の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る二次電子発生電極の製造方法は、表面に二次電子発生層を有する二次電子発生電極の製造方法において、基板１０上に、二次電子発生層４０を形成するための触媒金属が基板１０へ拡散することを防止するための拡散防止層２０を形成する拡散防止層形成工程と、拡散防止層２０上に触媒金属からなる触媒層３０を形成する第１触媒層形成工程と、基板１０の温度を上昇して、触媒金属を拡散防止層２０上にアイランド状に分布する第２触媒層形成工程と、触媒金属を触媒として拡散防止層２０上に酸化マグネシウムからなる二次電子発生層４０を形成する二次電子発生層形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】超格子構造を利用して電子のエネルギー状態を単色化させ、量子効率を向上させることで、所望の超高輝度性能を達成するのに好適な光陰極半導体素子を提供する。
【解決手段】光陰極半導体素子１０１は、第１半導体からなる井戸層１０３と、当該第１半導体よりバンドギャップが大きい第２半導体からなる障壁層１０４と、が複数交互に積層した超格子構造１０２を備え、当該井戸層１０３および当該障壁層１０４のそれぞれの厚さは、当該超格子構造１０２の電子のエネルギー状態において伝導帯に生ずるミニバンドの下限と、価電子帯に生ずるミニバンドの上限と、の間のバンドギャップが所望の大きさとなる厚さを上限とし、当該伝導帯に生ずるミニバンドのバンド幅と、当該ミニバンド内のエネルギー状態密度と、が所望の大きさとなる厚さを下限とするように構成する。 （もっと読む）

【課題】
電子源あるいは電子増倍機構を持つ電子源は、現在よりも桁違いの長い寿命、大きな電流、高い品質、つまり輝度が高く、時間幅の狭い、発生数の高い電子源が求められている。
【解決手段】
ダイヤモンド膜に、ギャップエネルギーより十分高い数百eVから数百keV程度以上のエネルギーの1次高エネルギー励起量子を入射させて、この膜の価電子帯の電子を伝導帯へ励起することにより、空孔電子対を1次高エネルギー励起量子の数よりも百倍から十万倍程度以上多く生成し、この電子群をダイヤモンド膜内外の電界或いはこれらと共に拡散によって、負電子親和力を持つ表面層から百倍から十万倍程度以上の２次電子を引き出す。 （もっと読む）

【課題】光電素子及びこれを用いたランプ及びディスプレイパネルを提供する。
【解決手段】基板(10)と、基板に形成され、表面に複数の局部的電界集中端部を有する導電性電界強化層(12)と、導電性電界強化層上に形成される２次電子放出物質による電子増幅層(13)と、電子増幅層上に形成される光電物質層(14)と、を備える光電界素子である。これにより、応用分野が広く、発光素子の場合に低電圧で高輝度を実現できる。 （もっと読む）