【目的】本発明は、電子線ビームで試料を照射して走査し、質量に対応して多くなる反射電子を検出・増幅して反射電子線像を生成する検査装置および検査装置の照射ビームサイズ調整方法に関し、電子線ビームで試料を照射して走査し、質量に対応して多くなる反射電子を検出・増幅して生成した反射電子線像を生成する際に、電子線ビームで試料を照射して走査する条件を倍率変更前と倍率変更後でほぼ同じにし、倍率可変しても適切な濃淡を持つ反射電子線像を生成することを目的とする。
【構成】 倍率の変更指示があったときに、変更指示された倍率にしたときに変更前の条件がほぼ同一となるように電子線ビームのスポットサイズを調整する手段と、調整された後の電子線ビームで変更指示された倍率に対応して試料を照射して走査する手段とを備えた検査装置である。 （もっと読む）

【課題】 試料の描画中に発生する電子ビームの位置異常、電子ビーム照射量等の特性の異常の発生を即座に検出できる電子ビーム装置及びその電子ビーム装置を用いるデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】ブランキングデータに基づいて、電子ビームを偏向制御する偏向制御手段と、偏向制御手段により試料上に照射されるように偏向制御された電子ビームを通過させる開口部、および、前記偏向制御手段により前記試料上に照射されないように偏向制御された電子ビームを遮蔽する遮蔽部を有するアパーチャ手段と、電子ビームが遮蔽部に照射された際に前記アパーチャ手段から発生する光または反射電子及び２次電子のうち少なくとも１つを検出する検出手段と、検出手段の検出結果に基づいて、試料上での照射状態を求める手段と、を備える。
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【課題】
イオンビーム測定子の移動を行うに際して、手間取らずに簡便に行うことのできるイオンミリング装置を提供する。
【解決手段】
イオンビーム測定子が真空チャンバの内部に設けられ、該イオンビーム測定子に連結され、真空排気によって駆動される駆動部を有する他の真空排気系が真空チャンバに連通する真空排気系に連通して設けられ、かつ各真空排気系に一方が開のときに閉、閉のときに開となる弁がそれぞれ設けられる。 （もっと読む）

【課題】 電界放射型電子銃を用いた電子線装置において、エミッション電流の測定を正確に行えるようにする。
【解決手段】 引出電極３に流れる電流Ｉｅを検出するための検出抵抗５と、Ｉｅ計測回路５ａと、加速電圧アンプ６に負帰還をかけるためのフィードバック抵抗７と、電子銃から前記加速電圧アンプに流れる電流Ｉａを検出するための検出抵抗８と、Ｉａ計測回路８ａとを備える。フィードバック抵抗７に流れる電流Ｉｆを、引出電極電源４をｏｆｆした時のＩａとして求める。（Ｉｅ＋Ｉａ−Ｉｆ）をエミッション電流値として求めることにより、加速電圧に電圧降下の影響を及ぼすことなくエミッション電流を正しく計測できる。 （もっと読む）

【課題】電子線描画装置等の荷電粒子線応用装置において、クロスオーバーの位置調整を容易にし、当該装置のスループットを向上させることができる技術を提供する。
【解決手段】コンデンサーレンズ１０７の前側焦点面に、ビーム軸上にクロスオーバー１０４の高さを規定するための鋭利な端面（クロスオーバー規定エッジ２０８）を設ける。クロスオーバー規定エッジ２０８を用いて電子ビームの形状を測定することにより、電子銃が形成するクロスオーバー１０４の高さや光源形成レンズ１０５の抵抗が変化した場合でも、常に、コンデンサーレンズ１０７の前側焦点面におけるビームの形状を確認することが出来る。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームのｙ方向の角度偏差、発散角及びビーム寸法の内の少なくとも一つを簡単な構成によって計測する。
【解決手段】 前段シャッター駆動装置３６によって前段ビーム制限シャッター３２をｙ方向に駆動しつつ、シャッター３２の一辺３４の外側を通過して前段多点ファラデー２４に入射するイオンビーム４のビーム電流の変化を計測して、シャッター３２の位置でのイオンビーム４のｙ方向のビーム電流密度分布を計測する。後段シャッター駆動装置４６によって後段ビーム制限シャッター４２をｙ方向に駆動しつつ、シャッター４２の一辺４４の外側を通過して後段多点ファラデー２８に入射するイオンビーム４のビーム電流の変化を計測して、シャッター４２の位置でのイオンビーム４のｙ方向のビーム電流密度分布を計測する。これらの計測結果を用いて、イオンビーム４のｙ方向の角度偏差、発散角及びビーム寸法の内の少なくとも一つを計測する。 （もっと読む）

【課題】 フィラメントから照射される電子ビームのビーム電流を自動で一定値に制御し、また、生産ラインに組み込まれたＴＦＴアレイ基板検査装置において、ビーム電流の一定値制御を、生産ラインを停止することなく行う。
【解決手段】 熱電子放出によりフィラメントから電子ビームを放出する電子ビーム発生装置１において、フィラメント３を流れるフィラメント電流を制御するフィラメント電流制御手段４，５を備え、電子ビームのビーム電流を検出し、その検出値をフィラメント電流制御手段にフィードバックすることによってビーム電流を一定値に制御する。フィラメント電流制御手段５は、フィラメント３からＴＦＴアレイ基板１０に向けて照射されるビーム電流の検出値をフィードバックすることによって、電子ビームのビーム電流の一定値制御をより有効に行う。 （もっと読む）

【課題】 大電流でしかも均一性の良いシート状のイオンビームをターゲットに照射することができるイオン照射装置を提供する。
【解決手段】 このイオン照射装置では、Ｘ方向に幅広のシート状のイオンビーム４を引き出すイオン源２のプラズマ生成容器８内に、Ｘ方向に伸びているカソード１８を設け、それを電子ビーム源３０からのＸ方向に走査される電子ビーム３８によって加熱して熱電子１９を放出させて、プラズマ１２を生成する。ターゲット６の近傍におけるイオンビーム４のＸ方向のビーム電流分布を計測するビーム計測器５８からのデータに基づいて、制御装置６０によって走査電源５２から出力する走査電圧Ｖ_S の波形整形を行い、イオンビーム４の走査速度を制御して、上記ビーム電流分布を均一化する。 （もっと読む）

本発明のイオンビーム均一性検出器は、平行な平面上に配置されかつ選択された距離によって分離された、多数の水平ロッドと多数の垂直ロッドと含む。クロスオーバー測定点は、水平ロッド及び垂直ロッドの交点によって形成される。垂直ロッドに選択的にかつ順次パルスを加えると同時に水平ロッドにバイアスを加えることによって、クロスオーバー測定点に対する測定値を得ることができる。この測定値は、クロスオーバー測定点でのイオンビームの形状及びビーム強度を決定するのに用いられる。これらの測定値に基づいて、続くイオン注入処理の調整を行うことができ、その結果、所望のビーム形状を与えるとともに、ビーム強度に関する均一性を高める。さらに、種々のクロスオーバー点での二次元の入射角度を示す測定値を得るために、複数対の垂直ロッド及び水平ロッドを用いることができる。
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【課題】荷電粒子線の光学系の光軸に垂直な平面内、もしくは少し傾斜した平面内における回転機構をもった装置の回転操作に伴って発生する観察・加工位置の移動の補正を簡便かつ高精度に実現すること。
【解決手段】荷電粒子線装置における試料ホルダー、絞り装置、バイプリズムなどの、当該回転機構の２次元位置検出器とコンピュータ制御による駆動機構を利用し、さらにコンピュータの演算能力を利用することによって該平面内の回転に伴う移動量を演算によって求め、これを相殺させる様に駆動、制御を行なう。また、ひとつの入力によって複数の回転機構を互いに関連をもって操作させる。 （もっと読む）