【課題】 ナイフエッジ部材のエッジ部に理想応答からのずれが生じている場合においても、荷電粒子ビームの正確な評価を行う。
【解決手段】 荷電粒子ビーム１を、ナイフエッジ部材４のエッジ部４ｂを横切るように走査し、この走査に伴って検出された荷電粒子ビーム１の信号波形と、エッジ応答関数に基づいてモデル化された評価関数とのカーブフィッティングを行い、この結果に基づいて荷電粒子ビーム１の特徴量を測定する際に、当該評価関数は、エッジ位置の異なる２つのエッジ応答の和からなるエッジ応答関数に基づいてモデル化されている。よって、ナイフエッジ部材４のエッジ部４ｂに理想応答からのずれが生じている場合においても、荷電粒子ビーム１の正確な評価を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】加工形状を厳密に調整するためには粒子ビームを中性化することが必要である。この中性化を、イオンビームの生成条件や加工条件とは独立に制御可能とし、品質の高い中性粒子ビームを得る。
【解決手段】プラズマを生成しイオンビームを射出するプラズマチャンバ１と、イオンビームを中性化するキャピラリ部２と、キャピラリ部を通過したビームを被加工物に照射する加工チャンバ３とを有する中性粒子線ビーム装置であって、キャピラリ部は、キャピラリ中に中性ガスを供給し排気する手段と、それらを制御しキャピラリ中の中性ガス圧を所定値に設定する制御手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】多極子レンズを使用する収差補正器付電子線装置は、光軸調整の際に収差補正器単体の軸合わせ不良と収差補正器以外の部分での軸合わせ不良が、渾然として切り分けがつかず、調整に時間がかかる。
【解決手段】収差補正器を動作させる走査モードと、動作させない走査モードをもち、その両方で対物レンズの物点位置が変わらないように収差補正器、コンデンサーレンズ等の動作を制御する。両モードで試料の２次電子像を比較すれば像倍率やフォーカスは変わらず、収差補正器の効果のみを切り分けて評価、調整でき、軸調整時間の短縮が図れる。 （もっと読む）

【課題】 構造が簡単であり、基材に照射されるイオンビームの照射強度と極めて相関関係の高い検出器における照射強度を正確に測定でき、しかも基材に照射されるイオンビームの照射強度が略目標照射強度となるようにすること。
【解決手段】 真空チャンバ内で蒸発材料を蒸発させて基板及びモニタガラス２５に蒸着させ、基板及びモニタガラス２５にイオンビーム１０を照射して蒸発材料の薄膜を基板及びモニタガラス２５に形成するイオンアシスト蒸着装置において、モニタガラス２５に設けられイオンビーム１０の照射強度を検出する検出器２３と、検出器２３に照射されるイオンビーム１０の照射強度が略目標照射強度となるように、検出器２３が検出する照射強度に基づいてイオンガンに制御信号を出力するイオン電流密度制御部とを備えるイオンビームの照射強度測定装置６であり、その制御信号に基づいてイオンビーム１０をイオンガンが出射する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、磁界型あるいは静電型の１つあるいは複数のレンズから構成される荷電粒子光学系の軸合装置および荷電粒子光学装置に関し、レンズの軸合わせ時に悪影響を与えることなく簡単かつ正確に軸合わせし、かつ軸合わせ後は摩擦力で強固に自動的に固定して再移動を防止することを目的とする。
【構成】 レンズを一定方向に移動させる、圧電素子および摩擦力で固定すると共に一定方向に運動するロータから少なくとも構成される駆動ユニットと、進行波の電圧を駆動ユニットを構成する圧電素子に印加してレンズを移動させて軸合する手段とを備える。 （もっと読む）

耐雑音性が高く、高感度のビーム電流測定を実現することのできる測定装置および測定方法を提供する。
外部磁場遮蔽用の磁気遮蔽部（８）と、前記磁気遮蔽部によって生成された遮蔽空間に配された磁場センサ（２）とを備え、測定すべきビーム電流が生成する磁場を前記磁場センサで測定するビーム電流測定装置であって、前記磁場センサの磁束−帰還電流変換係数を８×１０^−１５ＷＢ／Ａ以上とする。
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【課題】 本発明はＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置に関し、試料の位置決めとＦＩＢ加工を速やかに行なうことができるＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 試料上へのＦＩＢ加工時において、試料上に大小１つずつの参照画像をもつ少なくとも１つの参照画像領域を設定する参照画像設定手段と、ＦＩＢ加工時に前記参照画像領域の画像を読み込む画像読み込み手段２０と、ＦＩＢ加工時に、前記読み込んだ画像からイオンビーム照射前と照射後の画像のずれの方向と量を求める演算制御手段３０と、該演算制御手段３０の出力を受けて画像のずれの方向と量とに基づいて画像のずれを補正してビーム偏向系の補正を行なうビーム偏向系調整手段とを具備して構成される。 （もっと読む）

【課題】ビーム位置補正装置において、ビーム条件の変更によるビーム位置の補正を行う。
【解決手段】ビーム位置補正装置１は、ビームの補正を行うために、ビーム位置を偏位させるビーム偏位手段２３と、ビーム偏位手段２３のビーム偏位量を調整してビーム位置の補正を行う補正手段１０とを備えた構成とし、補正手段１０は、ビーム条件とビーム位置補正量との関係に基づいて、ビーム条件に対応してビーム偏位量を定めることによって、あらかじめ求めておいたビーム条件とビーム位置補正量との関係に基づいてビームを偏位させ、ビーム条件の変更によるビーム位置の補正を行う。 （もっと読む）

【課題】 イオン加速とプラズマ生成とを独立して制御できるホール効果プラズマ加速器を提供する。
【解決手段】 ガス導入口２０５ｂを有する環状加速チャネル２０２と、高周波供給部２１３，２１４と、アノード２０６と、カソード２０７と、中和電子発生部２０７，２１０と、磁界発生手段２０１，２０３ａ，２０３ｂ，２０４と、高周波発振器２１５を有し、導入されたガスは高周波によって電離・プラズマ化し、プラズマの陽イオンはアノード２０６とカソード２０７との間に印加される加速電圧によって加速されて外部に噴射され、プラズマの電子は磁界との相互作用により軸方向の移動が制限される二段式ホール効果プラズマ加速器２００は、加速制御量たる加速電圧２０９でイオンの加速度が制御され、加速制御量と独立制御されるプラズマ化制御量たる高周波出力でプラズマの発生量が制御される。 （もっと読む）

【課題】ビーム断面形状が一方向に長い、幅広形状のイオンビームをターゲット基板に照射して、ターゲット基板にイオンを均一に注入するイオン注入装置であって、イオンビームのビーム幅をターゲット基板のサイズに応じて自在に調整する。
【解決手段】イオン注入装置１は、イオン源１０、イオン分析器１２及び多極子レンズ１４を介して拡がり角度を有するイオンビームＸを生成するとともに、生成されたイオンビームＸの幅方向の拡がりを４重極子デバイス１６により抑制することにより、イオンビームＸを略平行ビームにして幅広形状のイオンビームとする。４重極子デバイス１６は、イオンビームの経路に沿って上流側又は下流側方向に移動して位置決めされて固定される。この後、イオンビームＸの幅方向の拡がりを抑制するようにイオンビームの収束強度が調整される。 （もっと読む）