【課題】飛行時間型二次イオン質量分析装置において、試料へ照射される一次試料へ照射される一次ビームの広がりを、数値あるいは実験的で求め、この広がりをボケ関数として用い、画像復元することにより、ボケを低減する。
【解決手段】収束し短パルス化させたイオンビームまたはレーザービーム（一次ビーム）を試料表面へ位置を変えながら照射し、飛行時間型二次イオン質量分析計により取得した質量スペクトルから質量/電荷比ごとに信号強度を二次元表示した質量分析顕微鏡像の画像処理方法において、試料表面に到達する一次ビームの形状を理論的に、または実験的に求め、これをボケ関数として表現し、該ボケ関数を用いて画像を復元することである。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＭ像取得のためのシステムを導入することなく、エミッターの先端構造の確認を図ること。
【解決手段】チップ１にガスを供給し、引出電極４に電圧を印加し、チップ１からイオンビーム１１を放出する集束イオンビーム装置において、電圧を変化させ、イオンビーム１１の電流量を測定する電流測定部１１１と、電流測定部１１１で測定した測定データと標準データとを比較処理する処理部１１４とを備え、チップ先端構造を検査する集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＭ像取得のためのシステムを導入することなく、エミッターの先端構造の確認を図ること。
【解決手段】チップ１にガスを供給するガス供給部と、イオンビーム１１を引き出す引出電極４と、イオンビーム１１の照射方向を調整するガンアライメント電極９とを有する集束イオンビーム装置であり、チップ１の先端の一つの原子から放出されたイオンビームを通過させる開口部１０ａを有するアパーチャ１０と、開口部１０ａを通過したイオンビーム１１の電流量を測定する電流測定部と、を有する集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】複雑な調整機構を用いることなく安定したビームの照射を図ること。
【解決手段】針状のチップ１と、チップ１にガスを供給するイオン源用ガスノズル２とイオン源用ガス供給源３からなるガス供給部と、チップ１との間で電圧を印加し、チップ１の表面に吸着したガスをイオン化してイオンを引き出す引出電極４と、イオンを試料１３に向けて加速させるカソード電極５からなるイオン銃部１９を備え、イオン銃部１９とレンズ系の間に配置された第二のアパーチャ１０と、試料１３にイオンビーム１１を集束させる集束レンズ電極６と対物レンズ電極８からなるレンズ系を備えている集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】複雑な調整機構を用いることなく安定したビームの照射を図ること。
【解決手段】針状のチップ１と、チップ１にガスを供給するイオン源用ガスノズル２とイオン源用ガス供給源３からなるガス供給部と、チップ１との間で電圧を印加し、チップ１の表面に吸着したガスをイオン化してイオンを引き出す引出電極４と、イオンを試料１３に向けて加速させるカソード電極５からなるイオン銃部１９を備え、イオン銃部１９より試料１３側に位置し、イオン銃部１９から放出されたイオンビーム１１の照射方向を調整するガンアライメント電極９と、試料１３にイオンビーム１１を集束させる集束レンズ電極６と対物レンズ電極８からなるレンズ系を備えている集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、ターゲットに像を、像をターゲットに転送するための複数の荷電粒子小ビームを使用して投影するための、荷電粒子を基本としたリソグラフイシステムであって、このシステムは、荷電粒子源と、コリメータレンズと、アパチャーアレイと、ブランキング手段と、ビーム絞りとを備え、前記複数の荷電粒子小ピームを発生させるための電子光学集合体を有する荷電粒子カラムと、前記ターゲットに前記複数の荷電粒子小ビームを投影させるためのプロジェクターとを具備する。前記プロジェクターは、前記電子光学集合体に対してプロジェクターを移動させるための少なくとも１つのプロジェクターのアクチュエータによりリソグラフイシステム内で移動可能であり、前記プロジェクターのアクチュエータは、前記プロジェクターを機械的に駆動し、移動の少なくとも１自由度をプロジェクターに与え、前記自由度は、システムの光軸を中心とした移動に関連している。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線の状態が変化しても、容易に光軸の調整を可能とする荷電粒子線装置、及び荷電粒子線装置の調整方法を提供する。
【解決手段】アライメント偏向器の偏向条件を第１の状態にしたときに、光学素子を少なくとも２つの状態に変化させたときの試料像間の第１のずれを検出し、アライメント偏向器の偏向条件を第２の状態にしたときの試料像間の第２のずれを検出し、当該２つのずれの情報に基づいて、前記アライメント偏向器の動作条件を決定する。 （もっと読む）

【課題】被加工物が絶縁性材料である場合に、精度良くイオンビームによる形状加工を行う。
【解決手段】イオンビーム３によって光学素子材料５を加工するイオンビーム加工において、まず、絶縁性材料からなる開口部材を有する電流密度測定手段６に、イオンビーム３と電子ビーム８を照射してイオンビーム３の電流密度分布を測定する。このように測定された電流密度分布によってイオンビーム３の単位除去形状を検知し、作成された加工プログラムに従って、イオンビーム３を電子ビーム８とともに光学素子材料５に照射し、形状加工を行う。 （もっと読む）

【課題】高効率且つ高精度にビーム軸の位置ずれを検出して補正する荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビームのビーム軸の位置ずれ補正方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置１は、電子ビームを照射する電子銃２と、電子ビーム１５のビーム軸の下流方向に順次配置されたアライナ１４と、ブランキング電極６と、偏向器７と、第１成形アパーチャ１１とを有する。第１成形アパーチャ１１上には、位置ずれ検出電極１３が設けられている。ブランキング電極６と偏向器７を駆動して電子ビーム１５の軌道を制御し、電子ビーム１５を位置ずれ検出電極１３に照射する。位置ずれ検出電極１３を構成する各電極部に流れ込む電流量から電子ビームのビーム軸の位置ずれに関する情報を取得する。この情報は、アライナ１４にフィードバックされて電子ビームのビーム軸が補正される。 （もっと読む）