本発明は、荷電粒子ビーム装置を提供する。この装置は、クロスオーバを生成する第１のレンズ（１０１、５１０）と、このクロスオーバの後に位置決めされた第２のレンズ（１０２、５１２）と、中心がクロスオーバと本質的に同じｚ位置にあり、ｘ−ｚ面内で集束的かつ分散的に作用する要素とを備える。さらに、ｘ−ｚ面内およびｙ−ｚ面内で作用する多極子要素が設けられる。第１の荷電粒子選択要素および第２の荷電粒子選択要素を使用して、荷電粒子の一部を選択する。それによって、例えば、荷電粒子ビームのエネルギー幅を狭めることができる。 （もっと読む）

本発明は、例えば、光軸に沿ったｚ軸ならびに第１および第２の面を伴う荷電粒子ビーム用の荷電粒子ビームエネルギー幅低減系に関するものである。この系は、集束的かつ分散的に作用する第１および第２の要素１１０，１１２と、第１の４極子要素（動作時、この場と集束的かつ分散的に作用する第１の要素の場が重なるように位置決めされる）４１０と、第２の４極子要素（動作時、この場と集束的かつ分散的に作用する第２の要素の場が重なるように位置決めされる）４１２と、ビーム方向に、集束的かつ分散的に作用する第１の要素の前で位置決めされた第１の荷電粒子選択要素６１８と、ビーム方向に、集束的かつ分散的に作用する第１の要素の後で位置決めされた第２の荷電粒子選択要素６１６、７１６とを備える。それによって、本来の分散制限なしに、仮想分散源とみなせる場所を実現することができる。 （もっと読む）

本発明は、荷電粒子ビームエネルギー幅低減系を提供する。この系は、ｘ−ｚ面内で集束的かつ分散的に作用する第１の要素（１１０）と、ｘ−ｚ面面内で集束的かつ分散的に作用する第２の要素（１１２）と、集束的かつ分散的に作用する第１の要素と第２の要素の間に位置決めされた荷電粒子選択要素（１１６、１１６ａ、１１６ｂ）と、集束的かつ分散的に作用する第１の要素と第２の要素の間に位置決めされた集束要素（１１４、３１４、７１２、７１４）とを備える。 （もっと読む）

粒子ビームがモノクロメータフィルタアセンブリに入る前にこの粒子ビームを成形するためのアパーチャプレートを有する粒子光学装置。この装置は、少なくとも１つのアパーチャを有し、かつ通常の動作状態において前記モノクロメータフィルタアセンブリに対して調節可能である。このため、前記粒子ビームを成形するために使用される前記アパーチャの大きさは変更することが可能であり、従って、前記モノクロメータフィルタアセンブリに入るビーム電流は変化させることができる。

（もっと読む）