従来システムの低い解像度及び甚だしい直線性要求を克服する高データレート電子ビームスポット格子アレー像形成システムが提供される。実施形態は、像形成されるべき物体の表面上に互いに離間されたスポットのアレーを同時に照射するための電子ビーム発生器と、上記スポットと上記物体の表面との相互作用の結果として放出される後方散乱電子及び又は二次電子を収集して、上記物体表面の照射部分の像を形成するための検出器とを備えた像形成システムを含む。機械的システムが、上記スポットのアレーの軸にほぼ平行な方向に基板を移動し、その基板が走査方向（ｙ方向）に上記スポットアレーを横切って移動されたときに、上記スポットは、機械的な交差走査方向（ｘ方向）にギャップを残さない経路をたどる。サーボ又は可動ミラーのような補償装置が、可動ステージにおける機械的な不正確さを補償し、これにより、像形成精度を高める。他の実施形態では、基板に対して異なる角度で配置された多数の検出器が電子を収集し、基板表面の多視点像形成を与える。
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【課題】 ２枚以上の絞りの荷電粒子光学的な相対位置を精度良く測定し、補正できるようにする。
【解決手段】 複数枚の絞りとしてアパーチャアレイ３とレンズアレイ４を有し、前記複数枚の絞りのうち、アパーチャアレイ３とレンズアレイ４の荷電粒子光学的な相対位置を、露光に使用する開口群１９，２１以外の標的として測定用開口を用いて測定する測定手段を設ける。前記標的は、前記絞り内に配置された、測定用開口２０，２２及びファラデーカップ１７である。 （もっと読む）

荷電粒子ビームをブランクにするための装置である。
ビーム・ブランキング・ユニット(1)は、サポート・プレート(15)に据え付けられた、第1および第２のブランキング・プレート(2, 3)を含む。
ストッパ(4)は、機械的および電気的に、第1のブランキング・プレート(2)に接続される。 （もっと読む）

荷電粒子により試料を調査及び／又は改変する装置、特には走査電子顕微鏡が提供される。この装置は、荷電粒子のビーム（１，２）と、該荷電粒子のビームが通過する開口（３０）を持つ遮蔽エレメント（１０）とを有し、該開口（３０）は充分に小さく、上記遮蔽エレメント（１０）は上記試料の表面（２０）に対して十分に接近して配置されて、上記荷電粒子のビームに対する該表面における電荷蓄積効果の影響を減少させる。 （もっと読む）

本発明は、荷電粒子ビーム装置に関する。本装置は、荷電粒子を放出するためのエミッタ（１２）と、放出された荷電粒子を少なくとも２つの独立した荷電粒子ビームに分離するための少なくとも２つのアパーチャ（３６）を有するアパーチャ構成（２６；８６）と、少なくとも２つの独立した荷電粒子ビームを合焦するための対物レンズ（１８）とを備え、独立した荷電粒子ビームが焦点面内の同じ位置上に合焦される。 （もっと読む）

本発明は、複数の電子ビーム（５９）を放出する電子放出デバイス（５０）に関するものである。本発明によるデバイスは、電子ビーム（６９）を放出する複数の放出源（６１）を備えている第１構造（６）と、複数のダイヤフラム開口（８）を備えている第２構造（７）と、を具備し、第１構造と第２構造とが、ハイブリッド化手段（９）によってハイブリッド化されている。
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荷電粒子ビームを発生させる荷電粒子源と、前記荷電粒子ビームのビーム経路中に配置された多孔プレートとを備えた粒子光学装置である。前記多孔プレートは、所定の第１のアレイパターン状に形成された複数の開孔を有し、前記多孔プレートの下流側で前記荷電粒子ビームから複数の荷電粒子小ビームが形成され、前記複数の小ビームにより、第２のアレイパターン状に配置された複数のビームスポットが前記粒子光学装置の像平面に形成される。前記粒子光学装置は、前記荷電粒子ビーム及び／又は前記複数の小ビームを操作するための粒子光学素子をさらに備える。前記第１のアレイパターンは、第１の方向に第１のパターン規則性を有し、前記第２のアレイパターンは、前記第１の方向に電子光学的に対応する第２の方向に第２のパターン規則性を有する。前記第２のパターン規則性は、前記第１のパターン規則性よりも高い。 （もっと読む）

粒子ビームがモノクロメータフィルタアセンブリに入る前にこの粒子ビームを成形するためのアパーチャプレートを有する粒子光学装置。この装置は、少なくとも１つのアパーチャを有し、かつ通常の動作状態において前記モノクロメータフィルタアセンブリに対して調節可能である。このため、前記粒子ビームを成形するために使用される前記アパーチャの大きさは変更することが可能であり、従って、前記モノクロメータフィルタアセンブリに入るビーム電流は変化させることができる。

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【課題】 マスクと半導体基板とを挟ギャップ化し高解像の露光を実現すると共に、万が一マスクと半導体基板とが接触した場合にもマスクの破損を回避できるリソグラフィー用のダイヤモンドウェハ、マスクブランクス及びマスク並びにダイヤモンドウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】 ダイヤモンドウェハ１３は、透過膜１２の被転写体側の面であって照射光等の吸収体１６を配設する部位にガスクラスターイオンビームの照射によって表面粗さがＲｍｓ＝０．１〜１０ｎｍの底面１７ｃを有する凹部１７が設けられたことを特徴とする。マスクブランクス１０ａは、ダイヤモンドウェハ１３の凹部１７の底面１７ｃ上に吸収膜１６ａが形成されたことを特徴とする。マスク１０は、吸収膜１６ａを所望の転写パターンに形成してなる吸収体１６の厚さをＴ、凹部１７深さをＨとすると、Ｔ≦Ｈであることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 電磁場分布の空間変化が場所により大きく異なる試料を観察した場合でも、視野の各部分に適したコントラストで像を得ることができる顕微鏡を提供する。
【構成】 走査型透過電子顕微鏡に、電子線を分離するバイプリズム、電子線の干渉縞の透過できるスリット、および電子線の強度および偏向を検出できる検出器を付加した。
【効果】 １つの顕微鏡を走査ローレンツ電子顕微鏡と走査干渉電子顕微鏡として使うことができ、両者を使いわけることにより、視野の各部分に適したコントラストで像を得ることができる。 （もっと読む）