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国際特許分類[H01J37/09]の内容

国際特許分類[H01J37/09]に分類される特許

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【課題】イオンビームの発熱に起因したメンブレンの撓みというイオン注入用ステンシルマスクの欠陥を低減し、優れた耐熱性や耐久性を有してイオン注入精度を向上するイオン注入用ステンシルマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】支持層11上にエッチングストッパー層12を形成する工程と、エッチングストッパー層12上に第1の薄膜層13を形成する工程と、第1の薄膜層13上に第2の薄膜層14を形成する工程と、支持層11に開口部17を形成する工程と、第1の薄膜層13に第1のイオン注入用貫通孔パターン110を形成する工程と、第2の薄膜層14に第2のイオン注入用貫通孔パターン114を形成する工程とを含むイオン注入用ステンシルマスクの製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】イオンビームの径と強度を制御できるイオンビーム照射装置を提供する。
【解決手段】イオンビームが通過する絞り開口51が設けられた絞り装置20を有するイオンビーム照射装置5であって、絞り装置20は、絞り開口51内に位置する一の配置中心を中心とした円の円周に沿って並べられている。三個以上の遮蔽羽根22と、絞り開口51を取り囲む枠体21と、枠体21に対して位置が固定された回転軸とを有している。絞り開口51の外周は、各遮蔽羽根22の一辺であって配置中心に対面する辺である縁取り辺の一部によって構成されている。絞り開口51の外周と枠体21の間は遮蔽羽根22で遮蔽され、遮蔽羽根22は回転軸を中心に所定角度回転可能に構成され、遮蔽羽根22を同角度回転させ、絞り開口51の大きさを変更させる制御部を有するイオンビーム照射装置5である。 (もっと読む)


【課題】
撮像する度に発生する異なる歪を算出し、画像毎に異なる歪補正をすることによって、高感度での欠陥検出を可能とし、かつ、歪の無い検査画像を出力する。
【解決手段】
検査画像をビーム走査方向に長い小領域に分割し,領域毎に参照画像と位置合せを行い,検査画像と参照画像の歪状態を補正し、歪補正した検査画像と参照画像の差分を演算して欠陥を検出し、欠陥箇所の歪補正した検査画像と参照画像とをGUI上に表示するようにした。 (もっと読む)


【課題】本発明は電子線照射装置の電子線安定化方法及び装置に関し、フィールドエミッション形電子銃を用いた場合でも照射電流を安定化することができる電子線照射装置の電子線安定化方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】電流を検出可能な絞りを複数用意し、これら複数の絞りの絞り検出電流と、対応する電子線照射電流との関係をテーブルとしてメモリ21に記憶させておいて、電子線照射電流が小さい領域では、前記複数の絞り検出電流を加算したものを絞り検出電流とし、電子線照射電流が大きい領域では、前記複数の絞りのうち、特定の絞りの検出電流をそれぞれ検出電流として用いて、電子線照射電流のフィードバック制御を行なうように構成する。 (もっと読む)


【課題】粒子ビームのビーム電流の正確な調整を良好に行い、粒子ビームのモジュールとは無関係のビーム経路を限定する絞りユニットおよび絞りユニットを備える粒子ビーム装置を提案する。
【解決手段】粒子ビーム装置は、粒子を生成する粒子ビーム発生器(2)と、試料(16)に粒子ビームを集束する対物レンズ(10)と、第1コンデンサレンズ(6,6a,6b,6c)および第2コンデンサレンズ(7,7a,7b,7c)と、粒子ビーム発生器(2)と第1コンデンサレンズとの間に配置した第1絞りユニット(8)と、第1コンデンサレンズと第2コンデンサレンズとの間に配置した第2絞りユニット(9)とを備える。第1コンデンサレンズ(6)は、相互に無関係に第2絞りユニットに対して調整可能な第1極および第2極片(6a,6b)を備え、第2絞りユニットは、第1圧力を有する真空の第1領域と、第2圧力を有する真空の第2領域とを相互に分離する圧力段階絞りである。 (もっと読む)


【課題】本発明は、焦点深度の深い観察条件においても、高精度なフォーカス調整を実現する。
【解決手段】一次電子線の不要な領域を除去する絞り板に複数の穴径の絞り穴を配置し、絞り穴を変更することで絞り穴を通過する一次電子線の開き角を制御し、集束レンズ、対物レンズのレンズ条件を変化させずに、高分解能と焦点深度の浅い条件に設定することで、フォーカスの合わせ精度を向上させる。 (もっと読む)


イオン注入システムにおいて粒子汚染を低減させるための装置が提供される。該装置は、入口(260)、出口(262)及び自側面内に規定される複数のルーバー(266)を有する少なくとも1つのルーバー加工された側面(264)を有する筐体(250)を有する。イオン注入システムのビームライン(P)該入口及び該出口を通過する。該少なくとも1つのルーバー加工された側面の該複数のルーバーは、該ビームラインに沿って飛行するイオンビームの縁を機械的にフィルタリングするように構成される。該筐体は、2つのルーバー加工された側面(254 A、B)及びルーバー加工された上面(278)を有し得る。該筐体の該入口及び該出口の各幅は、該ビームラインに対し垂直に測定される場合、該2つのルーバー加工された側面の互いに対する位置により略規定される。1つ以上の該ルーバー加工された側面は調節可能に取り付けられており、該筐体の該入口及び該出口の片方又は両方の幅は調節可能である。
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【課題】一様な磁界および一様でない磁界を補償する、妨害電磁界を補償するシステムを提供する。
【解決手段】本発明は、妨害電磁界(一様でない妨害電磁界)を補償するシステムであって、リアル・センサ信号を出力する2つの3軸磁界センサ(3、4)と、保護すべき対象物(2)の周りにケージとして構成され、個別に作動する6つの補償コイル(6)と、6つの入力および6つの出力、ならびに入力側でセンサ信号を受信し、信号を処理して補償コイル(6)用の制御信号にするデジタル・プロセッサを有する制御ユニット(7)とを備え、対象物(2)の位置における妨害電磁界をマッピングする第1の行列乗算によりリアル・センサ信号が変換されて仮想センサ信号になり、制御装置の構成を記述する演算子により仮想センサ信号が変換されて修正された信号になり、第2の行列乗算により修正された信号が変換されてリアル制御信号になり、これらの制御信号が6つの補償コイル(6)に個別に供給される。 (もっと読む)


【課題】 プローブ電流の大小に拘わらず、差動排気絞りの汚染を抑止できる電子線装置を提供する。
【解決手段】 電子線装置101は、内部空間が超高真空に保たれ一次電子ビーム3を発生する電子銃部31と、内部空間が電子銃部31よりも低い真空度に保たれ、電子銃部31で発生した一次電子ビーム3を試料12上に集束させた電子プローブにより試料12の走査を行う鏡体部32と、電子銃部31と鏡体部32との内部空間を連通させるとともに、一次電子ビーム3を通過させる差動排気絞り33と、電子線装置101内の各部を制御するための制御部40とを具備している。さらに、第二陽極4と第一収束レンズ6の間には、相異なる複数の開口径の絞りを持った絞り機構34が配置され、この絞りによって、第一収束レンズ6方向へ進行する一次電子ビーム3のプローブ電流Ipの最大値が決定される。 (もっと読む)


【課題】ビーム制限アパーチャの寿命を延ばし、エミッションを長時間安定に維持することができ、再現良く安定な状態に回復することができる液体金属イオン銃を提供する。
【解決手段】タングステン(W)により形成され、液体金属ガリウム(Ga)を保持するリザーバ36と、Wにより形成されたエミッタ35とを有する液体金属イオン源31と、Wにより形成されたベース46にGaよりなる液体金属材44を載せて形成され、液体金属イオン源31から引き出されたイオンビーム2の通過を許容する開口41を有し、イオンビーム2の径を制限するビーム制限アパーチャ33とを備えた液体金属イオン銃3において、ビーム制限アパーチャ33は、液体金属44を開口41の周囲に集める溝構造45を備える。 (もっと読む)


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