【課題】 電子線を使う半導体検査装置のスループットを向上する。
【解決手段】
電子線を試料に向けて照射する電子源１４・６と、該試料を保持する試料ステージ１４・２２と、該電子ビームの試料へ向けた照射によって該試料の表面の情報を得た電子を検出する検出器１４・４と、該検出器１４・４に検出された電子に基づいて試料表面の画像を生成する画像処理ユニット１４・５と、電子源１４・６から試料ステージ１４・２２への１次電子光学系と試料ステージ１４・２２から検出器１４・４への２次電子光学系を分離するウィーンフィルタ１４・３と、を備え、電子銃１４・６から放出された電子線はウィーンフィルタ１４・３においてクロスオーバを形成すると共に、試料表面から放出された放出電子はウィーンフィルタ１４・３においてクロスオーバを形成し、１次電子光学系と２次電子光学系のクロスオーバの位置は、ウィーンフィルタ１４・３上で異なっている。 （もっと読む）

【課題】高い縦分解能と高い横分解能を同時に実現する。
【解決手段】粒子ビーム顕微鏡は、リング状の円錐形状を有する粒子ビームを生成する照明系を備える。選択的検出系は、対象物領域を通過した粒子の２つの粒子グループにおける一方を選択的に検出するように構成する。第１粒子グループは、散乱せずに、または小さい散乱量で散乱して対象物領域を通過した粒子を含む。第２粒子グループは、対象物領域においてより大きい散乱量で散乱した粒子を含む。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンを観察できる試料観察方法及び装置を提供する。
【解決手段】試料観察方法は、電子ビームを用いて試料のパターンを観察する。この方法は、試料に電子ビームを照射し、電子ビームの照射によって生じるミラー電子を検出し、検出されたミラー電子から試料の画像を生成する。電子ビームを照射するステップは、両側にエッジを有する凹パターンに電子ビームが照射されたときに照射電子が凹パターンにてＵターンしてミラー電子になるようにランディングエネルギーＬＥが調整された電子ビームを試料に照射する。好適な条件は、ＬＥＡ≦ＬＥ≦ＬＥＢ＋５[ｅＶ]である。 （もっと読む）

【課題】高倍率観察でも収差補正が容易な電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡において、球面収差補正装置１４と、前記球面収差補正装置１４と対物レンズ１７との間に設けられる伝達レンズ系１５と、前記球面収差補正装置１４の前段に、光軸２に対して移動可能に設けられる開口絞り１３と、前記伝達レンズ系１５の主面又はその近傍に前記光軸２に対して移動可能に設けられ、電子線の開口角を調整する開口角絞り１６とを備える。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの荷電粒子ビーム（１２３）を発生させるための荷電粒子源（１０１）と、ビームをウェーハ上に投影するための荷電粒子投影器（１０８，１０９，１１０）と、ウェーハ（１３０）を移動させるための可動式のウェーハステージ（１３２）とを具備する荷電粒子リソグラフィ装置（１００）に関する。荷電粒子源、荷電粒子投影器及び可動式のウェーハステージは、真空環境を形成する共通の真空チャンバ（１４０，４００）中に配置されている。真空チャンバは、チャンバ及びドア（４０２）にウェーハをロードするための開口を有する。
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【課題】本発明が解決しようとする課題は、ＦＩＢ鏡筒とＳＥＭ鏡筒を備えたシステムにおいて、ＦＩＢ加工を実行している過程をリアルタイムでＳＥＭ観察する際に、ＦＩＢ照射によって放出される二次電子がＳＥＭ検出信号のノイズとならないようなシステムを提供することにある。
【解決手段】本発明はＦＩＢ鏡筒と、ＳＥＭ鏡筒を備えた複合装置において、ＦＩＢ用のアパーチャに加工形状のスリットを備えることにより、集束したイオンビームの走査ではなく試料面にパターンを転写することによりイオンビーム加工するようにした。 （もっと読む）

【課題】保護対象に作用する磁場の変化を簡単な構成で確実に抑えることが可能な磁場変化抑制機能付き電子機器システムを提供する。
【解決手段】試料分析システム１００は、磁場を形成する超電導マグネット２に対してその磁場の影響を受ける位置に設置される保護対象としての分析装置１と、この分析装置１に作用する磁場の変化を抑える磁場変化抑制装置３とを備えている。磁場変化抑制装置３は、分析装置１を通過する超電導マグネット２からの漏れ磁場２１の磁束を囲むように分析装置１の近傍に配置されて、漏れ磁場２１が変化することに起因してその変化を打消す向きの補正磁場４１ａ，４１ｂを分析装置１に作用させるような誘導電流を発生させる補正コイル４ａ，４ｂを含んでいる。そして、補正コイル４ａ，４ｂは、漏れ磁場２１の磁束を囲むように巻回された超電導線材を有する超電導コイルである。 （もっと読む）

【課題】電子顕微鏡における高分解能像観察時など、電子光学系上に存在する浮遊磁場は像を劣化させる直接的な要因の一つであり、その影響の程度を評価し対策を採ることが必要である。しかし、従来の電子線のスポットを評価・観察する方法では、感度・精度共に十分ではなく、しかも、像観察光学系とは異なる光学条件での測定であるため、測定結果が正しく像観察条件を評価できない場合もあった。
【解決手段】本発明では例えば高分解能像観察光学系において、試料位置を電子光学系の光軸上に変化させて格子像を観察し、格子像のコントラストとそのときの試料位置との関係より、結像に影響を与えている浮遊磁場を定量的に評価する。 （もっと読む）

【課題】不連続的放出パターンを有する荷電粒子エミッタによる荷電粒子装置及び方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置及び方法。装置は、少なくとも２つの放出ピークを含む放出パターンを有するエミッタ（１０２）と、ガンレンズ（１１９、５１９、９１９）と、ダイヤフラム（１２０）とを含み、ガンレンズは、デフレクタ・ユニット（１１０）を含み、デフレクタ・ユニットは、少なくとも２つの放出ピークのうちの放出ピークをダイヤフラムの開口部に向け、それによって少なくとも２つの放出パターンから放出ピークのうちの放出ピークを選択するようになっている。 （もっと読む）

【課題】
走査荷電粒子顕微鏡の走査画像に外部擾乱により障害が現れた場合、外部擾乱を特定するためにその画像から擾乱周波数を簡単に精度よく解析することを目的とする。また、その解析可能な最大周波数を、走査荷電粒子顕微鏡の排気ポンプとしてよく使用するターボ分子ポンプなどの回転周波数である数ｋＨｚまで高めることを目的とする。
【解決手段】
走査画像の像障害である縞パターンのＦＦＴ解析において、Ｙ方向（荷電粒子線の副偏向方向）の一次元ＦＦＴ（１Ｄ−ＦＦＴ）あるいはＸ方向（荷電粒子線の主偏向方向）の一次元ＤＦＴ（１Ｄ−ＤＦＴ）にて行う。また、解析可能な最大周波数を数ｋＨｚまで伸ばすには、荷電ビームの走査速度の速いＸ方向（荷電粒子線の主偏向方向）での１Ｄ−ＦＦＴ（あるいは１Ｄ−ＤＦＴ）解析を行う。 （もっと読む）