【課題】特殊な試料と特殊な作業時間を特別に用意することなく、高度に調整された荷電粒子線装置の性能を維持し続けることで、半導体製造プロセスの変動に起因した不良を直ちに発見できる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】装置制御機能を用いて電子光学系を検査対象の正焦点位置に移動させ、画像を取得し、画像処理機能を用いて前記検査対象のパターン検索を行う荷電粒子線装置であって、前記装置制御機能を用いて移動した前記検査対象の座標と、前記画像処理機能を用いて特定した前記検査対象の座標との差分値を求める差分値算出部と、前記検査対象における前記差分値のばらつきから前記荷電粒子線装置の性能状態を読み取る差分値分析部と、前記差分分析部の結果に基づき、所定の場合には使用者に警告を行う警告発生部と、を備えることを特徴とする荷電粒子線装置。 （もっと読む）

【課題】プローブ電流と対物開き角を独立に制御し、対物絞り径に応じて所望のプローブ電流量、対物開き角になる荷電粒子ビーム装置を提供する。
【解決手段】コンデンサレンズ4とコンデンサレンズ7の間に対物絞り6を有する構成とし、所望のプローブ電流量になるよう対物絞り6の径に応じて、第1のコンデンサレンズ設定部60の制御値を算出して設定し、所望の対物開き角になるよう対物絞り6の径とコンデンサレンズ設定部60の制御値に応じて、第2のコンデンサレンズ設定部62の制御値を算出し、算出した制御値を第2のコンデンサレンズ62に設定して、対物開き角43を制御する。 （もっと読む）

【課題】被加工物の表面を粗面化することなく、ガスクラスターイオンビームの照射による所望の照射痕を得る。
【解決手段】ソース部１およびフィラメント６で生成されたガスクラスターイオンビーム８を加速電極７で加速して被加工物９に照射するガスクラスターイオンビーム加工装置Ｍにおいて、加速電極７の出射口と被加工物９との間に荷電粒子レンズ１１を配置し、この荷電粒子レンズ１１に設けられ、ガスクラスターイオンビーム８が通過する開口部の形状、および荷電粒子レンズ１１と被加工物９との距離の少なくとも一方を制御することで、荷電粒子レンズ１１の開口部を通過したガスクラスターイオンビーム８を選択的に被加工物９に照射して、被加工物９を粗面化することなく、所望の形状の照射痕を形成する。 （もっと読む）

試料を分析及び／又は加工するための装置及び方法が開示される。装置は、荷電粒子源、及び前記荷電粒子源が放射する荷電粒子の荷電粒子ビームを形成する、少なくとも一つの粒子光要素を備える。装置は、前記荷電粒子ビームから荷電粒子プローブを発生させる対物レンズを更に備える。対物レンズは、粒子光軸を画定する。第１静電偏向要素が、対物レンズの、前記荷電粒子源が放射する荷電粒子の伝播の方向における下流に配置される。静電偏向要素は、前記荷電粒子光軸に垂直な方向に荷電粒子ビームを偏向させ、且つ少なくとも１０ＭＨｚの偏向帯域幅を有する。
（もっと読む）

【課題】
マルチビーム式の荷電粒子線応用装置において、電子光学系と試料を相対的に傾けることなく、試料に対し一次ビームを斜め方向から入射する機能を付与する。
【解決手段】
マルチビーム型の荷電粒子線応用装置において、アレイ状レンズ１０９のレンズ電圧を切った状態でも試料上に合焦させるように、光学系制御回路１３９により、レンズ１４０a、１４０b他を制御する。一次ビーム１０７は試料上の一点に対して複数の方向、すなわち試料ウェハ１１５に対して複数の角度をもって照射され、電子光学系と試料を傾斜させることなく、一次ビーム１０７の試料上到達点を一定に保つ。また、アパーチャーアレイ１０８やアレイ状レンズ１０９に対応して設置されたブランカアレイ１１６を個別に制御することにより、試料ウェハ１１５に照射する一次ビーム１０７の照射角を選択することができる。 （もっと読む）

【課題】一次電子線の光学条件の変化、若しくはウエハ表面に存在する一次電子線の進行方向と直交する電界の発生による二次信号の取りこぼしを最低限に抑え、Ｓ/Ｎの高い尚且つ視野内シェーディングの少ないＳＥＭ画像を得ることができ、被測定物に対して、高精度・高再現性で寸法や形状の計測、欠陥検査等の測定が可能となるパターン検査・測定技術の提供。
【解決手段】二次信号収束用レンズ６９を、前記一次電子線の進行方向上クロスオーバの位置に、若しくはウィーンフィルタ１８により二次信号が前記一次電子線を空間的に分離させ、分離された二次信号の進路上に設置する構成とする。また、前記一次電子線の光学条件（たとえば、前記リターディング電圧や帯電制御電極など）に応じて上記二次信号収束用レンズ６９の設定を変更する手段を備えることで、常に視野内二次信号の取りこぼしに起因するシェーディングが発生しないＳＥＭ像を得ることを可能にする。 （もっと読む）

電子ビームカラムは電子ビームを生成する熱電界放出電子源と、電子ビームブランカと、ビーム整形モジュールと、複数の電子ビームレンズを含む電子ビーム光学系とを備える。１バージョンでは、電子ビームブランカ、ビーム整形モジュール、および電子ビーム光学系の光学パラメータは、約１／４から約３ｍｒａｄの受容半角βを達成するように設定される。受容半角βとは、描画面で電子ビームによって張られる角度の半分である。ビーム整形モジュールはまた、上部および下部投影レンズを使用して単レンズとして動作することもできる。電子ビームカラム用の多機能モジュールについても記載する。
（もっと読む）

【課題】電子カラムにおいて電子放出源と第１の電極との間で低電圧差の方法を使用しながら電子ビームエネルギーを自由に調節することができるように、試料上の最終電極（レンズ層またはフォーカスレンズ）をフローティングさせる方法を提供する。
【解決手段】本発明は、電子ビームを発生させる電子カラムにおいて電子ビームのエネルギーを効率よく変換させるための方法に関する。この方法は、電子ビームが試料に到達するときにエネルギーを自由に調節するために、試料に到達する最終電子ビームが所要のエネルギーを持つように、電圧を電極にさらに印加する段階を含む。
（もっと読む）

【課題】 偏向器の偏向中心と光学系の中間像を正確に一致させた荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】 荷電粒子線を偏向する偏向器１０７と、前記荷電粒子線を収束させるレンズ１０２と、前記レンズによる中間像１０３と共役な位置で、光軸に垂直な平面内における前記荷電粒子線の位置を計測する位置計測手段１１３と、前記位置計測手段により計測される荷電粒子線の位置情報に基づき前記レンズのパワーを調整するレンズパワー調整手段１１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】画像信号をデジタル処理する走査電子顕微鏡において、観察倍率に応じて最深の焦点深度と最良の分解能を得る。
【解決手段】複数の収束レンズ及び絞りの穴径を変化させることにより光学系の開き角を変化させる手段をもち、１画素に相当する視野範囲、いわゆる画素サイズに応じて電子ビーム開き角αを変化させる。 （もっと読む）