【課題】改善されたイオンビームにより基板を加工するための方法、及び基板を加工するためのイオンビーム装置を提供する。
【解決手段】本発明は、イオンビーム装置(1) のイオンビーム源(1.1) によって発生し、基板(2) を加工するために基板(2) の表面(2.1) を向いたイオンビーム(I) により基板(2) を加工するための方法に関する。イオンビーム(I) は、炭素含有材料から少なくとも部分的に形成されたオリフィス板(1.3) によって導かれる。本発明によれば、炭素と反応する遊離体(E) が、イオンビーム(I) によってオリフィス板(1.3) から放出された炭素が酸化するように方向性のある流れでオリフィス板(1.3) と基板(2) との間に導かれる。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線の軌道の安定化に有利な荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】この荷電粒子線装置は、荷電粒子線を被処理体に導く電子光学系の少なくとも一部を収容する第１の筐体１０と、被処理体を保持して移動可能な基板保持部を収容する第２の筐体１１と、第１の筐体１０と第２の筐体１１との接続部分に設けられ、第２の筐体１１から第１の筐体１０に流れる電流を低減する絶縁体３１と、第１および第２の筐体１０、１１を通じた閉磁路を形成し、かつ、接続部分を介して第１および第２の筐体１０、１１の外部から内部に向かう電磁波を低減する機構２０、３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウェハ検査において異物や欠陥を見つけた場合に、これら異物等の発生原因を探求するための電子顕微鏡を用いたウェハエッジ観察に関する好適な方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハを保持する試料ステージ２４と、半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系と、電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器１５，２３と、電子線の照射により半導体ウェハから発生するＸ線を検出する検出器３４，３５と、傾斜角度が可変のカラム１６とを備え、試料ステージ２４により、半導体ウェハのエッジの欠陥位置にカラム１６の撮像視野を移動し、カラム１６を傾斜させた状態で、半導体ウェハのエッジに電子線を照射する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ電子デバイスの製造に使用されるイオン注入装置の真空室やビームラインの構成部品からの残留物を洗浄する。
【解決手段】残留物を有効に除去するため、構成部品は、残留物を少なくとも部分的に除去するのに十分な時間の間かつ十分な条件下で、気相反応性のハロゲン化物組成物と接触させられる。気相反応性のハロゲン化物組成物は、残留物と選択的に反応し、一方で、真空室のイオン源領域の構成部品と反応しないように選択される。 （もっと読む）

【課題】鏡筒自身の重量を増加させることなく、鏡筒を高剛性化し、鏡筒へ作用する振動を低減させる荷電粒子装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子装置は、筒形の鏡筒と、該鏡筒の内部に設けられた荷電粒子線光学系と、該鏡筒に設けられた試料ステージと、前記鏡筒を支持する支持装置と、を有し、前記支持装置は、前記鏡筒の軸線方向に沿って設定された複数の支持点にて前記鏡筒を単純支持する単純支持構造を有し、前記鏡筒の支持点は、前記鏡筒を両端が自由端である梁と看做したときの梁の振動の節の位置に対応する位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】不純物導入層形成装置の静電チャックの性能劣化を抑制する。
【解決手段】静電チャック保護方法は、真空環境で揮発性を有する物質を含む異物の付着を妨げるための保護表面２３を、露出されたチャック面１３に提供することと、チャック面１３に静電吸着された基板Ｗに、真空環境で揮発性を有する物質を含む表層を形成するプロセスを実行するために、保護表面２３を解除することと、を含む。保護表面２３は、チャック面を取りまく真空環境に低真空排気運転を実施しているときに提供されてもよい。 （もっと読む）

【課題】電子顕微鏡において、試料観察領域への干渉磁界の影響を軽減する装置及び方法を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡１０の試料チャンバー２０のチャンバー壁２１に、Ｘ、Ｙ、Ｚそれぞれの方向の磁界補償コイル４１を収容する領域を設け、試料３０やレンズアパーチャ１８近傍の高感度領域に於ける外部の干渉磁界を磁気センサー４２により計測して、それぞれの磁界補償コイル４１の磁界を調整し補償する磁界補償用のシステム４０を構成する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、電子銃あるいは試料から放出あるいは反射されたスピン偏極した電子線を任意の方向に回転させるスピン偏極装置に関し、簡略な構造にして照射系全体をコンパクトにすることを目的とする。
【構成】電子銃から放出、あるいは試料から放出または反射されたスピン偏極した電子線をフォーカスさせる第１のコンデンサレンズと、第１のコンデンサレンズで電子線がフォーカスされた点がレンズ中心であって、かつ電場および磁場を発生可能な多極子を有するスピン回転器と、スピン回転器を構成する多極子に、指定された角度だけ電子線のスピンを回転させかつ電子線を直進させるウィーン条件を満たす電圧および電流を印加するウィーン条件発生手段と、スピン回転器でスピンの回転された電子線をフォーカスする第２のコンデンサレンズとを備える。 （もっと読む）

【課題】ｎＡレベルのきわめて小さい電流値の電子線を利用して反射電子像回析パターンを生成することができる反射高速電子回析装置を提供する。
【解決手段】反射高速電子回析装置１０は、真空チャンバーの内部に着脱可能に設置された蒸着源１４ａ〜１４ｃと、試料１１に形成された薄膜に向かって電子線２８を発射する電子銃１５と、薄膜の表面において反射した反射電子から生成される反射電子像回析パターンを映し出す蛍光スクリーン１８と、反射電子を電流増幅するマイクロチャンネルプレート１７ａ，１７ｂとを有する。反射高速電子回析装置１０では、ｎＡのレベルのエミッション電流値の電子線２８を電子銃１５から薄膜に向かって発射する。 （もっと読む）

【課題】大量に保持体を形成できる試料保持体、同保持体を用いた試料観察・検査方法、及び、試料観察・検査装置を提供する。
【解決手段】開口１５０ｂが形成された本体部１５０ａと、開口１５０ｂを覆う試料保持膜１５０ｃとを備える試料保持体１５０を用い、支持手段３１１への接触により支持された状態で、試料保持体１５０の試料保持膜１５０ｃにおける開放された第１の面に保持された試料３１５に、試料保持膜１５０ｃにおいて真空雰囲気に接する第２の面側から、試料保持膜１５０ｃを介して、試料観察又は検査のための一次線３２０が照射可能である。 （もっと読む）