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国際特許分類[H01J37/248]の内容

国際特許分類[H01J37/248]に分類される特許

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【課題】低コストのパルス電子ビーム発生装置を提供する。
【解決手段】パルス電圧が印加される一次コイル、及び、この一次コイルとコアを共有する二次コイルを備え、樹脂モールドされ、大気側に設置された高圧パルス電圧発生部と、前記高圧パルス電圧発生部の前記二次コイルに電気的に接続されたエミッターと、前記エミッターから電子ビームを引き出すアノードと、前記エミッターと前記アノードとの間に位置し、前記エミッターに電気的に接続されるとともに前記エミッターから引き出した電子ビームを収束するウエネルトと、前記エミッター、前記ウエネルト、及び、前記アノードを真空状態の内部に収容する真空容器と、を備えたことを特徴とするパルス電子ビーム発生装置。 (もっと読む)


【課題】検査物の急速放電のためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームシステム100の変調器900が、インダクタ400に供給する変調信号を生成するように構成され、インダクタ400が、この変調信号を受け取って、荷電粒子ビームシステム100のための供給電圧信号をインダクタンスにより変調する。供給電圧信号の変調により、荷電粒子ビームシステム100により生成された荷電粒子ビームの焦点距離を変更する。 (もっと読む)


【課題】荷電粒子線装置の高電圧変動を測定する簡単な構造の測定装置を備える高圧電源ユニットを提供する。
【解決手段】高圧電源ユニット100は、高電圧を供給する少なくとも一つの高電圧ケーブル101及び高電圧を測定する測定装置105を備え、測定装置105はケーブルの長手軸線に沿って延在する内部導体と絶縁体及びシールドより形成されるの少なくとも一つの第1のキャパシタ108を有し、第1のキャパシタ108のシールド電圧を測定装置105により測定する。 (もっと読む)


【課題】パルスビームを高周波化できるとともに、パルスビームの最大値や最小値の値を任意にコントロールでき、品質の高い溶接を可能にする電子ビーム加工機を得ることである。
【解決手段】電子銃の陰極とバイアス電極間に電圧を印加して電子ビームを制御するバイアス電源が、直列に接続された、高安定電源と高応答電源とで形成されており、高安定電源が、ビーム電流を計測する電流検出回路から出力されたビーム電流信号に基づき、ビーム電流をフィートバック制御する電圧を出力し、高応答電源が、パルス信号発生器で発生したパルス基準信号により制御されたパルス電圧を出力するものである。 (もっと読む)


【課題】電子銃の異常放電を効果的に抑制することのできる電子銃のコンディショニング方法および電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】加熱により電子を放出するカソードと、カソードとの間でバイアス電圧が印加されるウェネルトと、カソードとの間に加速電圧が印加され、カソードから放出された電子を集束して電子ビームを形成するアノードとを備えた電子銃に対し、アノードとウェネルトの間に電圧を印加してこれらの表面に放電を生じさせる電子銃のコンディショニング方法である。アノードとウェネルトの間への電圧の印加は、電圧を所定値まで増加させた後にこの所定値を超えない範囲で電圧を周期的に変化させて行う。そして、放電の停止を確認し所定時間が経過してから、電圧を周期的に変化させての電圧の印加を停止する。 (もっと読む)


【課題】チップを装置から取り出すことなくチップ先端のピラミッド構造の再生を図ること。
【解決手段】針状のチップ1と、チップ1にガスを供給するガス供給部と、チップ表面に吸着したガスをイオン化してイオンビームを引き出す引出電極4と、チップ1と引出電極4の間に電圧を印加する電圧供給部27と、チップ表面と同じ金属をイオンビームが照射される面に備えたチップ再生電極と、を有する荷電粒子ビーム装置を提供する。 (もっと読む)


本発明は、第1の金属部分と、第1の金属部分に対して、好ましくは至近距離に位置付けられた第2の金属部分とを含む高電圧遮蔽配置に関連する。配置中に含まれる前記第2の金属部品は、前記第1の金属部品に比して、比較的負の電荷をもたらす電位に設定される。前記第2の金属部品は、1つ以上の端部と、絶縁体とを備える。前記第2の金属部品は、前記第1の金属部品に面している絶縁体によって、少なくとも部分的に封じ込められる。 (もっと読む)


【課題】 放電原因解消のための電力遮断回数を最小にする。
【解決手段】 直流高圧発生装置16、電子銃5、電子銃5のフィラメント6とアノード8間の電圧から放電を検出する手段、放電検出手段からの放電信号が特定時間続いているか否かを検知する検知回路、検知回路からの信号に基づきトリガ信号を発生するトリガ発生回路24、フィラメント6とアノード8間の電流を遮断する遮断手段18a、両電極間の電流遮断状態を非遮断状態に戻す正常復帰信号発生回路20を備え、トリガ発生回路24からのトリガ信号に基づいて前記両電極間の電流を遮断状態にし、トリガ信号に基づいて正常復帰信号発生回路20により遮断状態を遅延して非遮断状態に戻す様に成しており、非遮断状態に戻した時に検知回路から発生される信号又はトリガ信号をカウントし、カウント値に応じて正常復帰信号発生回路20により遮断状態を非遮断状態に戻す際の遅延時間を設定する様に成した。 (もっと読む)


【課題】
荷電粒子源の異常放電を正確に検出可能な荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】
荷電粒子源12と、該荷電粒子源12に加速電圧を印加する加速電圧源3と、
コアCにギャップGを有し前記加速電圧源3と荷電粒子源12間に1次側巻き線が接続されたトランス30と、
該トランスの2次側巻き線N2に流れる電流又は発生する電圧に基づいて1次側巻き線N1に流れる電流を検出する1次側電流検出回路と、
該1次電流検出回路の出力に基づいて放電を検出する放電検出回路を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 (もっと読む)


【課題】フィラメント電流値を自動的に調整することが可能な電子ビーム加工装置を提供する。
【解決手段】電子ビームを照射する照射手段(5,1)と、照射手段(5,1)から照射された電子ビームのビーム電流を検出し、該検出したビーム電流実測値とビーム電流指令値との差分に応じたバイアス電圧値を取得する取得手段(3)と、照射手段(5,1)が電子ビームを照射する際に使用するフィラメント電流値を調整する調整手段(4)と、を有し、調整手段(4)は、取得手段(3)が取得した複数のバイアス電圧値を基に、バイアス電圧値の変化率を算出し、該算出したバイアス電圧値の変化率が所定の目標値に収束するように、フィラメント電流値を調整する。 (もっと読む)


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