【課題】膜厚に起因するピークシフトの影響を除去することである。
【解決手段】薄膜試料Ｗに向かって電子線を照射する電子線照射部と、前記電子線の照射によって薄膜試料Ｗから発生する光）Ｌを分光し、検出する光検出部と、前記光検出部からの出力信号を受信して光）Ｌのスペクトルのピーク波長である測定ピーク波長を算出するピーク波長算出部４１と、膜厚既知の標準試料により得られた膜厚とその膜厚におけるピーク波長である基準ピーク波長との関係を示す基準データを格納する基準データ格納部Ｄ１と、前記基準データから前記薄膜試料Ｗの膜厚に対する基準ピーク波長を算出する基準ピーク波長設定部４２と、前記測定ピーク波長及び前記基準ピーク波長をパラメータとして、前記薄膜試料Ｗの状態を分析する分析部４３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程において電子顕微鏡を用いて試料の材料分析を簡便に行う。
【解決手段】材料分析装置１は、試料１２に電子線ＥＢを照射する電子銃１３と、試料１２の表面から飛び出す反射電子ＲＥを検出する電子検出部１４と、電子検出部１４による反射電子ＲＥの検出強度に応じて試料の材料を分析する材料分析部３０を備え、材料分析部３０は、原子量Ｎ１、Ｎ２が既知の材料Ａ１、Ａ２に電子線ＥＢを照射したときの反射電子ＲＥを電子検出部１４で検出した検出強度Ｂ１、Ｂ２に基づき、ある材料に電子線ＥＢを照射するときの反射電子ＲＥを電子検出部１４で検出した検出強度とその材料の原子量との間の近似一次式を決定する近似式決定部３３と、決定した近似一次式に従って試料１２に電子線ＥＢを照射したときの反射電子ＲＥを電子検出部１４で検出した検出強度Ｂｘから、試料１２の材料の原子量Ｎｘを決定する原子量決定部３４とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で高輝度なイオンビームが得られるイオン源を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係るイオン源１０は、微小開孔２２を有し、内部に原料ガスが供給される容器２０と、ビーム軸Ｋ方向に沿って延びると共に先端が尖り、この先端を微小開孔２２に向けて容器２０内に配置される電界電離電極２３と、を備え、ビーム軸Ｋ方向と直交する共通の平面上での微小開孔２２の開孔面積２２ｓと電界電離電極２３の断面積２３ｓとの差であるガス噴出面積Ｇｓが電界電離電極２３の先端又は前記先端よりも僅かに基部側で最小になると共に他の位置では前記最小の面積よりも大きくなるように、容器２０の微小開孔２２を規定する内周面２２ａが形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より弱い電界で原料ガスを電界電離してイオン化できるイオン源を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、イオンビームを照射するためのイオン源１０であって、容器２０に供給される原料ガスをラジカル化する誘電体バリア放電手段５０を備え、誘電体バリア放電手段５０は、第一電極５２及びこの第一電極５２に対向する第二電極５３とこれら第一及び第二電極５２，５３間に印加するための交流電源５４とを有し、第一及び第二電極５２，５３は、少なくとも一方が誘電体で被覆されると共に、電界電離電極２３の後端よりも後方側で且つ原料ガスが当該第一及び第二電極５２，５３間を通過した後、容器２０に供給されるような位置に配置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】二次イオン質量分析法において、二次イオン強度の変化を簡便に抑制できる技術を提供する。
【解決手段】一次イオンの試料表面への照射中に、試料電流値の変化に応じて、一次イオンの入射方向に対する試料ステージの角度を変更することにより、一次イオンの試料表面への入射角度を補正する。 （もっと読む）

【課題】二次イオン検出手段の先端部分の汚染成分となる付着物を効率良く除去し、高精度の二次イオン質量分析を確実に行う。
【解決手段】ガス導入手段２０によりガスを真空チャンバー１０内に導入し、引き出し電極４の近傍を局所的に低真空状態に調節し、この状態で、プラズマ発生機構３０により、引き出し電極４に所定の電圧を印加することでグロー放電によりプラズマ１１を発生させ、引き出し電極４をプラズマ１１に晒して清浄化する。 （もっと読む）

【課題】試料から汚染成分を除去するための高温熱処理等の処理を要することなく、簡便且つ迅速に正確な試料分析を行なう。
【解決手段】ホルダー板１２の表面のうち、試料１から散乱したイオン等が衝突し易い、試料１との対向面を絶縁性薄膜１３で被覆する。この絶縁性薄膜１３により、その被覆部分が帯電して試料と異なる電位となり、所謂チャージアップ現象により絶縁性薄膜１３の部分からの二次イオンの放出が抑止される。 （もっと読む）

【課題】試料の大きさに影響されない低転送倍率の試料測定装置を提供することである。
【解決手段】エネルギ線ＥＢを試料Ｗに照射することにより生じる光ＣＬを測定する試料測定装置１であって、試料Ｗを収容する試料収容部２と、前記試料収容部２内の試料Ｗにエネルギ線ＥＢを照射するエネルギ線照射部３と、前記エネルギ線ＥＢが照射された試料Ｗから生じる光ＣＬを集光する集光ミラー４１と、前記集光ミラー４１により集光された光ＣＬを受光して、前記試料収容部２外に伝送する光ファイバ４２と、を備え、前記光ファイバ４２が、前記試料収容部２内において、前記集光ミラー４１に近い支持部４２ａと、前記集光ミラー４１から遠い支持部４２ｂとで支持されている。 （もっと読む）

【課題】測定時間を短縮して従来にはない高精度の測定が可能になるように、偏極率が18%を超える高い偏極率をもった偏極イオンビームを発生させる方法とその装置を提供する。
【解決手段】偏極イオンビーム発生方法は、２^３Ｐ_０への遷移に対応するＤ_０線に波長調整した円偏光と直線偏光とを互いに直角の照射方向から準安定ヘリウム原子へ照射して光ポンピングすることを特徴とする構成を採用した。 （もっと読む）

【課題】ヘリウムイオンビームを用いて、表面・界面の原子配列を解析する装置に用いるイオンビーム発生装置に関し、簡便で汎用性のあるイオンビームの大電流化方法を提供する。
【解決手段】イオンビーム発生装置は、高周波放電によりヘリウムプラズマを発生させる高周波放電管１と、波長調整可能で光ポンピングが可能なレーザ発生装置１３と、レーザ発生装置からのレーザ光を高周波放電管内に照射するレーザ照射装置と、レーザ光の波長を観察する観察装置とからなる。イオンビーム発生方法は、高周波放電によるヘリウムプラズマ中に波長１０８３ｎｍのレーザ光を照射して光ポンピングする。 （もっと読む）