【課題】ＦＩＢ動作用のイオン・モードまたはＳＥＭ動作用の電子モードで動作するユーザが選択可能な構成を有する単一カラム誘導結合プラズマ源を提供すること。
【解決手段】Ｘ線検出器が装着されていれば、エネルギー分散型のＸ線分光分析が可能である。ユーザは、イオン・モードまたはＦＩＢモードで試料を調製するようにＩＣＰを選択的に構成し、次いで電子モードまたはＳＥＭモードを選択するスイッチを実際に動かし、ＥＤＳまたは他のタイプの分析を使用して試料を分析することができる。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線元素分析を行う前段階においてＸ線分析に適した試料上の位置を評価・判別でき、分析者が高い信頼性を確保した分析を手戻り無く、短時間に行うことができる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】 Ｘ線検出器を備えた荷電粒子線装置において、Ｘ線検出器１２（２５〜３０）のＸ線検出面と同軸上に第一の反射電子検出器１５がＸ線検出器１２と一体もしくは独立して配置され、Ｘ線検出器１２によりＸ線信号を、第一の反射電子検出器１５により反射電子信号を同時もしくは個別に検出する。 （もっと読む）

【課題】ｎＡレベルのきわめて小さいエミッション電流値の電子線を利用して反射電子像回析パターンを生成することができる反射高速電子回析方法を提供する。
【解決手段】反射高速電子回析方法は、蛍光スクリーン１８の直前に配置されて反射電子を電流増幅するマイクロチャンネルプレート１７ａ，１７ｂを含み、ｎＡのレベルのエミッション電流値の電子線２８を電子銃１５から薄膜表面に向かって発射し、マイクロチャンネルプレート１７ａ，１７ｂによって電流増幅された反射電子を蛍光スクリーン１８に入射させ、反射電子から生成される反射電子像回析パターンを蛍光スクリーン１８に映し出す。 （もっと読む）

【課題】ｎＡレベルのきわめて小さい電流値の電子線を利用して反射電子像回析パターンを生成することができる反射高速電子回析装置を提供する。
【解決手段】反射高速電子回析装置１０は、真空チャンバーの内部に着脱可能に設置された蒸着源１４ａ〜１４ｃと、試料１１に形成された薄膜に向かって電子線２８を発射する電子銃１５と、薄膜の表面において反射した反射電子から生成される反射電子像回析パターンを映し出す蛍光スクリーン１８と、反射電子を電流増幅するマイクロチャンネルプレート１７ａ，１７ｂとを有する。反射高速電子回析装置１０では、ｎＡのレベルのエミッション電流値の電子線２８を電子銃１５から薄膜に向かって発射する。 （もっと読む）

【課題】短い距離でイオンビームを平行化できるイオンビームの平行化装置を提供する。
【解決手段】第1ベース層と、その上に形成された第1導電層と、これらの層を貫通する複数の第1貫通孔とを有する第1基板50aと、第2ベース層と、その上に形成された第2導電層と、これらの層を貫通し、複数の第1貫通孔と対応するように形成された複数の第2貫通孔とを有する第2基板50bとを備え、複数の第1貫通孔および第2貫通孔はそれぞれベース層内の壁面部分が電気絶縁性を有し、第1基板50a及び第2基板50bは、第1導電層及び第2導電層を同じ方向に向け且つ複数の第1貫通孔それぞれが対応する第2貫通孔と対向するように配置される。 （もっと読む）

【課題】イオン液体を含有する溶液をエレクトロスプレー法により気相中に放出させることを用いるイオンビーム発生装置において、イオン液体は蒸気圧がほとんど無いため、真空中でも揮発せず、真空容器中にイオン液体が蓄積してしまうという課題があり、また、二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）用の一次イオンビーム源として応用する場合には、二次イオンの生成量の増大が課題となっており、前記課題を解決できる装置及び方法を提供する。
【解決手段】不揮発性であるイオン液体とは別に、揮発性を有する別の液体をも、エレクトロスプレー用細管（キャピラリー）に供給し、両成分からなるイオンビームを生成することにより、真空容器中に蓄積するイオン液体の総量を低下させることができ、また、二次イオン生成量も増大できる。 （もっと読む）

【課題】気体電界イオン源を用いて試料表面でスポットサイズ１０ｎｍ以下のイオンビームを有する汎用性、長器信頼性に優れたイオン顕微鏡を実現する。
【解決手段】イオン源の導電性電極先端１８６の材料と形状を最適化して表面に三量体の原子層を形成し、極低温状体で動作させることにより気体ヘリウムとのイオン化効率を向上する。試料からオージェ電子、二次イオン、二次中性粒子、一次中性粒子、散乱イオン及び光子等の追加の粒子を検出することにより試料についての情報を決定するように構成する。 （もっと読む）

【課題】高精度に試料の不純物濃度分布を測定する方法を提供する。
【解決手段】本発明の試料の不純物濃度分布を測定する方法は、走査工程、フィルタ工程、二次電子の強度を測定する強度測定工程、ハイパスフィルタ１７のカットオフエネルギー値Ｅｃを段階的にＮ−１回上昇させる工程、及び、二次電子の強度のエネルギー分布曲線ＲＬ、ＲＨを評価する工程とを備える。カットオフエネルギー値Ｅｃの各段階において、走査工程、フィルタ工程、及び、強度測定工程が行われる。ｍを１以上Ｎ以下の任意の整数、ｐを１以上Ｎ−１以下の任意の整数、ｍ段階目のカットオフエネルギー値ＥｃをＥ_ｍ、カットオフエネルギー値ＥｃがＥ_ｍである際に測定された二次電子の強度をＩ_ｍとしたとき、Ｉ_ｐ＋１−Ｉ_ｐの値を、Ｅ_ｐ以上Ｅ_ｐ＋１以下のエネルギーを有する二次電子の強度とみなす。 （もっと読む）

【課題】ＴＯＦ−ＳＩＭＳの一次イオンに使用できるほど短いパルス幅のＧＣＩＢを射出できるＧＣＩＢ銃を提供する。
【解決手段】
イオン化室３０から射出されたＧＣＩＢを予め決められた時間だけ通過させる第一のシャッター部４１と、第一のシャッター部４１を通過したＧＣＩＢのうち予め決められた質量範囲外のＧＣＩＢを除去する選別部５９とを有している。選別部５９は、ＧＣＩＢを交互に反射して往復移動させる第一、第二のミラー電極５１ａ、５２ａと、第一、第二のミラー電極５１ａ、５２ａの間に配置され、前記質量範囲内のＧＣＩＢを、予め決められた時間だけ通過させる第二のシャッター部５３と、を有し、前記質量範囲内のＧＣＩＢを選別部５９から射出する。 （もっと読む）

【課題】本発明はＸ線分析方法及び装置に関し、ステージ走査でも良好なドリフト補正を行うことができるＸ線分析方法及び装置を提供する。
【解決手段】試料上の面分析領域の内部を複数のブロックに分けて、ブロック内での各ラインのステージ走査に基づく特性Ｘ線の測定が第１ブロックから各ブロック毎に順次行うようにされており、各ブロックにおいて最初に走査が行われるラインについてのステージ走査の開始前に、試料の電子線走査画像を取得し、第２ブロック以降における特性Ｘ線の測定開始時においては、当該ブロックにおいて取得された電子線走査画像と、その直前のブロックにおいて取得された電子線走査画像との照合を行って、ステージのドリフト量を求め、該ドリフト量に基づいて電子線のビームシフトを行うことにより、試料上での電子線の照射位置を補正してから当該ブロック内での特性Ｘ線測定を開始するように構成する。 （もっと読む）