【課題】
ガス電界電離イオン源において，真空粗引き時のコンダクタンス増大化とイオンの大電流化の観点からの引き出し電極穴の小径化とを両立する。
【解決手段】
電界電離イオン源１において，ガス分子イオン化室１５を真空排気するコンダクタンスを可変とする機構を備える。すなわち、ガス分子イオン化室１５からイオンビームを引き出す時と，引き出さない時で，ガス分子イオン化室１５を真空排気するコンダクタンスを可変とする。このコンダクタンスを可変とする機構を構成する部材の一部であるふた３２を、バイメタル合金で形成することにより、ガス分子イオン化室１５の温度に対してコンダクタンスが可変となり、比較低温ではコンダクタンスが比較小となり，比較高温ではコンダクタンスが比較大となる。 （もっと読む）

【課題】膜厚に起因するピークシフトの影響を除去することである。
【解決手段】薄膜試料Ｗに向かって電子線を照射する電子線照射部と、前記電子線の照射によって薄膜試料Ｗから発生する光）Ｌを分光し、検出する光検出部と、前記光検出部からの出力信号を受信して光）Ｌのスペクトルのピーク波長である測定ピーク波長を算出するピーク波長算出部４１と、膜厚既知の標準試料により得られた膜厚とその膜厚におけるピーク波長である基準ピーク波長との関係を示す基準データを格納する基準データ格納部Ｄ１と、前記基準データから前記薄膜試料Ｗの膜厚に対する基準ピーク波長を算出する基準ピーク波長設定部４２と、前記測定ピーク波長及び前記基準ピーク波長をパラメータとして、前記薄膜試料Ｗの状態を分析する分析部４３と、を備えている。 （もっと読む）

【目的】本発明は、走査型電子顕微鏡の対物レンズで細く絞った１次電子ビームで照射した磁区を含む試料の磁区構造を検出する電子線スピン検出器に関し、簡単な構造、かつ試料の１次電子ビーム照射位置に対する見込み角を大きくして高Ｓ／Ｎ比で磁区を極めて高分解能で表示することを目的とする。
【構成】走査型電子顕微鏡の対物レンズと磁区を含む試料との間に設け、１次電子ビームで照射した試料の位置を中心に、周囲に放出された２次電子のスピン偏極を検出する、対称の２つの部分検出部からなるスピン偏極検出器を、複数配置したスピン検出器と、スピン検出器を構成する複数のスピン偏極検出器でそれぞれ検出した２次電子のスピン偏極の違いをもとに試料の１次電子ビームの照射位置のスピン方向を判定するスピン方向判定手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】同定の時間が早く、コンタミネーションおよび帯電が無いと共に、構造欠陥の物質を同定する精度の高い電子ビーム検査方法および装置を実現する。
【解決手段】後方散乱電子の散乱情報を用いて、ばらつきΔＳを含む放出効率の平均値Ｓを求め（ステップＳ３０４）、この平均値ＳおよびばらつきΔＳを用いて、試料５の構造欠陥をなす物質の候補物質を複数選択し（ステップＳ３０５）、さらに電子ビーム２の電子エネルギーを変化させ（ステップＳ３０７）、この候補物質の選択を繰り返し、取得される複数の候補物質情報の中から構造欠陥をなす物質を同定することとしているので（ステップＳ３０８）、高い精度で構造欠陥をなす物質の同定を行うことができ、ひいてはＥＤＳ等を用いることなく安価で、高速で、しかも高い精度の物質同定を行うことを実現させる。 （もっと読む）

【課題】 元素分布および状態分布を二次元的に把握しやすく、また、一度の観測で多数の特定元素分布データを得ることができる、ＳＴＥＭを用いたＥＥＬＳ分析方法およびＥＥＬＳ分析装置を実現する。
【解決手段】 試料表面の座標（Ｘ，Ｙ）の各点でそれぞれ、ＥＥＬＳスペクトルデータを採取する。各ＥＥＬＳスペクトルデータのコア・ロス吸収端及びＥＬＮＥＳ吸収端を探索し、両者のエネルギー損失量の差Ｅｄを（Ｘ，Ｙ，Ｅｄ）の分布像として表示する。Ｅｄは伝導帯の状態密度を反映するので、（Ｘ，Ｙ，Ｅｄ）は状態分布像に相当する。また、各座標のコア・ロス吸収端のデータから元素同定して元素濃度Ｃを（Ｘ，Ｙ，Ｃ）の分布像として表示する。各座標ごとにＥＥＬＳスペクトルデータを採取しているので、一度の観測で複数の元素の濃度分布を計算することができる。 （もっと読む）