【課題】 薄片化試料の配置状況に応じて、正確かつ簡単に気体イオンビームの照射角度を制御することが可能な荷電粒子ビーム装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 試料を加工して薄片化試料２を作成するとともに薄片化試料２を観察する集束イオンビーム装置３、及び薄片化試料２を観察する走査型電子顕微鏡４と、薄片化試料２の表面に気体イオンビーム１２を照射して仕上げ加工をする気体イオンビーム照射装置５と、薄片化試料２が固定され且つ少なくとも1以上の回転軸を有する試料ステージ６と、試料ステージ６に対する薄片化試料２の位置関係を認識する試料姿勢認識手段７と、薄片化試料２の表面または裏面に対する気体イオンビーム１２の入射角度を所望の値にするために、姿勢認識手段７により認識した試料姿勢と気体イオンビーム照射装置５の取り付け角度に基づき試料ステージ６を制御する試料ステージ制御手段８を具備する。 （もっと読む）

【課題】 特に重合、架橋、グラフト、殺菌、滅菌、印刷インキ定着等に利用される３００ｋｅＶ程度以下の低エネルギー電子線等の荷電ビームの照射量を、発熱を防止しつつ、また高コスト化することなく、正確にかつ高速で測定することができる照射量モニタ及び照射量測定方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板２上に、高抵抗ダイヤモンド層１が形成されており、その電子線照射領域は基板２が除去されて、ダイヤモンド層１のみが単独で存在する。この電子線照射領域におけるダイヤモンド層１の表裏両面に電極３及び４が形成されている。各電極３，４には、夫々導線５、６が接続されており、導線５，６を介して電極３，４にバイアス電圧を印加するようになっている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は上記状況に鑑み、試料を迅速に冷却することができ、熱ドリフトを軽減して加工精度を向上させることが可能な集束荷電粒子ビームを用いた加工装置の提供。
【解決手段】 集束荷電粒子ビームにより観察・加工される試料を微小化し、微小試料のみを局所的に冷却する。あるいは、熱ドリフトを緩和可能な構造を有する試料載置部を使用する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、電子源から放出されて加速された電子ビームを物質に照射した状態でスキャンして加熱し、対向して配置した基板上に当該物質を蒸着させる電子源装置におけるスキャン方法および電子源装置に関し、画面上で電子ビームのスキャン波形の１点を指定すると当該１点をもとにスキャン波形を作成したり、作成したスキャン波形が所望でないときは当該スキャン波形の１点を指定すると当該１点をもとにスキャン波形に部分修正を施し、顧客が簡易に試料（材料）の溶けあとが可及的に平坦で有効利用されるように調整可能にすることを目的とする。
【構成】 画面上でスキャンしようとするスキャン波形の１点が指定されると、当該１点をもとにスキャン波形を生成するステップと、生成したスキャン波形を波形発生器に送信してスキャン波形で電子ビームを物質に照射した状態でスキャンして加熱させるステップとを有する電子源装置におけるスキャン方法である。 （もっと読む）

【課題】 装置設置スペースの低減と、装置構成を複雑化することなくメンテナンス性を改善することができる荷電粒子加速器およびそのメンテナンス方法を提供する。
【解決手段】 高電圧ターミナル３と、この高電圧ターミナル３に接続された加速管４とが高圧タンク２内に配置されており、高圧タンク２内に絶縁性ガスは圧縮乾燥空気とし、高圧タンク２の内部には、メンテナンス空間Ｍ１と非メンテナンス空間Ｍ２とに仕切る仕切体３２が非気密的に設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ加工とＳＥＭ観察の繰返しによる加工断面の奥行き方向のＳＥＭ観察において、加工断面が奥行き方向に移動することに伴って発生するＳＥＭ観察の観察視野ずれと焦点ずれを補正する。
【解決手段】断面加工領域の表面の高さと傾き情報を加工に先立って算出し、これらの情報を利用して、加工時における加工断面の移動量に応じたＳＥＭ観察の観察視野ずれと焦点ずれを予測し、この予測値に従ってＳＥＭを制御する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、電子源から放出されて加速された電子ビームを１８０度以上回転させて物質に照射して加熱し、対向して配置した基板上に当該物質を蒸着させる電子源装置におけるスキャン方法および電子源装置に関し、電子源から放出された電子ビームを１８０度、あるいは更に回転させてルツボ内の試料に照射する際に、照射する面積が変わった場合に電子ビームによる照射密度を均一に自動調整することを目的とする。
【構成】 電子ビームを前記物質に照射するときに当該照射する電子ビームのＸ方向およびＹ方向に走査する面積に対応して当該Ｘ方向およびＹ方向の一方あるいは両方の走査周波数を調整し、当該面積内をほぼ均一に前記電子ビームで照射する電子源装置におけるスキャン方法である。 （もっと読む）

【課題】
試料とマスクとの遮蔽位置調整を精度良く行うに際して、調整に手間取らずに簡便に行うことのできる、又、試料とマスクが密着していることを確認できるイオンミリング装置、およびイオンミリング方法を提供する。
【解決手段】
マスクと試料との遮蔽位置関係の調整時に、試料マスクユニットを設置した試料マスクユニット微動機構は、試料微動ベースから取り外されて光学顕微鏡の固定台に装着され、マスクは試料に対する遮蔽位置関係が前記マスク位置調整部によって調整され、イオンミリング時に、試料に対する遮蔽位置関係が調整されたマスクを備えた試料マスクユニットを設置した試料マスクユニット微動機構が位置決め用の軸と穴によって再現性のある決まった位置で試料微動ベースに戻される。又、光学顕微鏡には別の固定台を設け、固定台に試料マスクユニットを設置し、試料とマスクが密着しているかどうかを確認できる。 （もっと読む）

【課題】 １つの装置でウエーハと微小サンプルの両方を扱えるようにし、一連のウエーハ、微小サンプルの加工、高解像度の分析等の処理を簡単にする。
【解決手段】 イオンビーム３は収束、走査偏向され、微小サンプル５上の所望の微小領域に照射される。照射された部分はスパッタ、除去される。このエッチング加工処理により、サンプルに穴あけ加工、切断加工、薄膜化加工を行うことができる。電子ビーム４は収束、走査偏向され、微小サンプル５の上の所望の微小領域に照射される。微小サンプル用ホルダ７に保持・搭載された微小サンプル５に照射するイオンビームや電子ビームは、ウエーハ６やウエーハホルダ９上に搭載した微小サンプル１０に照射する場合よりも、対物レンズとサンプルとの距離であるワーキングディスタンス（ＷＤ）を短くできるため、より細く収束することができる。従って、加工、観察、分析をより高解像度に行うことができるという利点がある。 （もっと読む）

【課題】イオンビームで研磨された試料を固定した試料ホルダはSEM試料台支持部に取り付けるに際して試料ホルダとＳＥＭ試料台支持部との間に取り付けのために用いられて来た中間材を設けることなく取り付けることができ、以って両者間の距離を短くし、試料ホルダをＳＥＭ試料台支持部に近接配置できるようにする。
【解決手段】試料ホルダ２３に試料３の研磨されて観察される面の裏側の面に、ＳＥＭ試料台支持部に設けたおねじ部５３に直接ねじ挿入されるめねじ穴５２を設け、当該おねじ部を当該めねじ部に直接ねじ挿入することによって、試料を固定した前記試料ホルダをSEM試料台を介さずに直接ＳＥＭ試料台支持部に固定される。 （もっと読む）