【課題】加工物を機械的に傾斜や移動させることなく、しかも１個の２次電子検出器を用いてでも、ビーム加工中の３次元形状をインラインで高精度に測定することができ、高精度なナノ３次元造型を実施できる集束イオンビーム加工方法と装置を提供する。
【解決手段】イオンビームを照射して３次元形状の除去加工を行う際にイオンビームを加工物の同一箇所に対して通常照射および屈曲傾斜させて照射し、加工点から放出される２次電子を２次検出器により計測することでイオンビーム加工された部分の形状を計測する。 （もっと読む）

【課題】 電子線によるガスデポジション法で作製したものと同サイズ（ナノメートルオーダー）の微細構造を、位置とサイズを自由に制御しつつ、任意の材料、結晶性にて作製することができる新規な作製方法及び作製装置を提供する。
【解決手段】 マスクの原料となる元素を含んだガスを材料上に流しながら、電子線を材料上の所望位置に向かって照射してマスクを形成した後、エネルギービームを照射してマスクで被覆された部分以外の材料部分を取り除くことにより、材料に微細加工を行う。 （もっと読む）

荷電粒子により試料を調査及び／又は改変する装置、特には走査電子顕微鏡が提供される。この装置は、荷電粒子のビーム（１，２）と、該荷電粒子のビームが通過する開口（３０）を持つ遮蔽エレメント（１０）とを有し、該開口（３０）は充分に小さく、上記遮蔽エレメント（１０）は上記試料の表面（２０）に対して十分に接近して配置されて、上記荷電粒子のビームに対する該表面における電荷蓄積効果の影響を減少させる。 （もっと読む）

イオナイザーからガスジェット発生器に向かうイオンの後方抽出を防止するため、シールド用コンダクターと、別個のコンポーネント電気バイアスを利用することでイオナイザーの近辺で発生する過渡現象の頻度を減少させて高電流ガスクラスターイオンビームシステムのビーム安定性を向上させる装置と方法。 （もっと読む）

この発明は、イオンビームに対向して基板を配置して、新たな技術的に規定される特性パターンを形成する、表面をイオンビーム加工するための方法及び装置に関する。この方法では、その時々の基板（８）の表面（１５）上におけるイオンビームの幾何学的な作用パターンを、周知の特性パターン及び新たな技術的に規定される特性パターンに応じて、並びに加工の進捗に応じて、ビーム特性を変化させるか、イオンビームをパルス化するか、或いはその両方を実施することによって調節する。この装置は、Ｙ軸（４）とＸ軸（６）に対して動かすことができる、少なくとも一つの基板（８）を保持するための基板支持体と、基板（８）の加工する表面（１５）に対して垂直なＺ軸（１１）内に有るか、Ｚ軸に対して傾いた軸内に配置することができる、イオンビームを生成するためのイオンビーム源（１）とを有する。イオンビーム源（１）と基板（８）の加工する表面（１５）との間隔を、固定とするか、或いは可変とすることができる。
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本発明は、液体金属イオン源を制御する為のシステム及び方法を提供し、液体金属イオン源は、先端、第１電極、第２電極を備え、上記方法は、（ｉ）第１電圧レベルの範囲内で第１電極を維持し、第２電圧レベルの範囲内で第２電極を維持し、液体金属イオン源のアクティブモード動作中、液体金属イオン源の先端に形成される金属イオンを抽出するステップ、（ｉｉ）第３電圧レベルの範囲内で第１電極を維持し、第４電圧レベルの範囲内で第２電極を維持し、液体金属イオン源のアイドルモード動作中、先端からの金属イオンの抽出をかなり減少させるステップを含む。第３電圧レベルの範囲と、代替え的あるいは追加的に、第４電圧レベルの範囲は、ゼロ電圧レベルを含まない。第１電圧レベルの範囲は、第３電圧レベルの範囲とは異なる。
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本発明は、後方スパッタリングされた材料がイオン生成源に到達する確率を大きく低減するために、１つまたは複数の表面輪郭をイオン・カラム内の衝突領域に追加する。傾斜表面、後方スパッタリングされた材料を捕獲するカップを画定する表面、事前にテクスチャ化およびフォレスト化された表面を含めて、いくつかの異なる表面輪郭が開示される。異なる表面は、任意に組み合わせて使用することができる。後方スパッタリングされた材料がイオン源に到達するのを低減することにより、安定するまでの時間が低減され、作業の安定性が大きく向上し、ソースの寿命が長くなる。 （もっと読む）

【課題】 透過電子顕微鏡用試料の挿入長を一定にするのが容易な試料加工ホルダーを提供する。
【解決手段】 試料加工ホルダーＨＬを、下部保持部材１０と上部保持部材１２と締め付け具１４とで構成し、この締め付け具１４で下部保持部材１０と上部保持部材１２との間隔を調整可能にする。これにより、下部保持部材１０の下方挟持部１０ａと、上部保持部材１２の上方挟持部１２ａとで、透過電子顕微鏡用試料３０を挟んで保持することができるようにする。下部保持部材１０には、下方挟持部１０ａよりも一段高い、当接部１０ｂを形成する。この当接部１０ｂが、透過電子顕微鏡用試料３０を挿入する際の位置決めストッパとしての役割を果たすので、透過電子顕微鏡用試料３０の挿入長を一定にすることができる。 （もっと読む）

【課題】 試料の加工速度、加工量、試料の残り厚さを高精度に自動的に検出でき、電子顕微鏡観察のための薄膜試料を高精度及び高効率に作成可能な集束イオンビーム加工装置を実現する。
【解決手段】 試料ホールダ８には試料５が装填され、試料５はこれに電圧Ｖを印加する電圧電源１６と試料５に流れる電流を測定する電流計１７とに直列に接続されている。電圧電源１６は電圧電源制御部１８に接続され加工中の試料に断続的に電圧が印加され、試料に流れる電流が測定され、試料の抵抗変化がコンピュータ１０により算出される。算出された試料５の抵抗変化から試料の厚み変化が算出され、所定の厚みに加工されたか否かが判断される。加工中の試料の加工体積及び加工速度は、データ表示部１９に表示され、試料が所定の厚みに加工されると、試料の加工が自動的に停止される。 （もっと読む）