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国際特許分類[H01J37/30]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 電子管または放電ランプ (32,215) | 放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの (7,637) | 物体の局所的な処理のための電子ビームまたはイオンビーム管 (1,896)

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【課題】被加工物に照射される荷電粒子ビームの照射ドーズ量を高精度に制御することが可能な荷電粒子ビーム加工技術を提供する。
【解決手段】ガスクラスターイオンビーム8を被加工物11に照射して加工を行うガスクラスターイオンビーム加工装置M1において、ガスクラスターイオンビーム8を整形するアパーチャ10の上流側に、加工中に被加工物11と同時にガスクラスターイオンビーム8が照射される電流計測部9を配置し、加工中に実時間で、ガスクラスターイオンビーム8の電流値を計測して累積ドーズ量を把握し、目的の照射ドーズ量となるように照射時間を制御する。 (もっと読む)


【課題】 試料の薄膜加工終了を正しく判定して実行することができるイオンビーム加工装置を提供すること。
【解決手段】 イオンビーム加工開始時刻tから所定期間Tにおいては、第1光源7の輝度と第2光源8の輝度は、オペレータが像を観察しやすい明るさに任意に可変設定される。そして、イオンビーム加工開始時刻tから所定期間Tが経過して時刻tとなると、輝度設定手段16は第1光源7の輝度を所定期間Tにわたって所定値aに固定設定すると共に、第2光源8の輝度を所定期間Tにわたって所定値bに固定設定する。加工終了判定手段18は、輝度a,bの光で照らされた試料5の像を加工終了判定用画像として撮像手段9から取り込んで加工終了判定を行う。前記輝度aおよびbは、加工終了判定が正確に行えるように設定されたものであり、予め実験により求められたものである。 (もっと読む)


【課題】加工パターン検出用のマークの検出確率と加工位置の再現性を向上させ、加工パターンの自動加工を円滑化することができる集束イオンビーム装置、集束イオンビーム装置を用いた試料加工方法及び試料加工プログラムを提供する。
【解決手段】加工パターンの加工前にマーク登録時の視野倍率よりも低いマーク検出用の視野倍率でマークを検出し、登録したマークと検出されたマークの位置を比較して位置ずれ量を算出し、イオンビーム偏向領域をシフトさせてマーク登録時の視野倍率に戻してマークを再検出する。その後、マーク登録時の視野倍率で検出されたマークと登録時のマークの位置を比較してマーク登録時の視野倍率で再度位置ずれ量を算出し、そのずれ量分だけ加工パターンの登録位置から加工用のイオンビーム照射位置をシフトさせて加工パターンの加工を実行する。 (もっと読む)


【課題】磁気ディスク媒体に形成する微細パターンの描画が高速、高精度に、かつ近接効果補正が簡易に行え、基板全体で一定のドーズ量で描画可能とする。
【解決手段】レジスト11が塗布された基板10上に電子ビームEBを走査して、微細パターン12のエレメント13の形状を描画する際に、描画データに基づき、基板10の所定回転位置でオン信号により電子ビームを照射し、その回転に追従して回転方向に描画し、オフ信号で描画を停止するオン・オフ制御で1周分を描画した後、ビーム照射位置を半径方向に移動させてオン・オフ制御による描画を繰り返すもので、エレメント配置の疎密程度に応じ、密配置部のエレメント描画では、オン・オフ制御のオン時間を、疎配置部の同一エレメント描画でのオン時間より短く設定してドーズ量を調整し、近接効果補正を行う。 (もっと読む)


【課題】 電子ビーム照射で変質しやすい試料を、操作性やスループットを損なわずに正確にイオンビームエッチング加工する手段を提供する。
【解決手段】 イオンビーム鏡筒1と電子ビーム鏡筒2を有し、イオンビームによるエッチング加工中の試料の状態を電子ビームによる観察あるいは計測可能な装置において、第一に加工部分全体を含む電子ビームによる二次信号による観察像を取得し、第二に前記観察像の中で照射可能領域7と照射禁止領域8を設定し、第三に前記照射可能領域7のみに電子ビーム照射を制限する。 (もっと読む)


【課題】被加工物表面にガスを供給して集束ビームで前記ガスを活性化させながら加工するとともに、加工の進行状況をモニタリングできる加工システムを提供する。
【解決手段】加工システム1は開口部19から排気される真空容器2内に電子ビーム8を発生させる電子源3、集光/偏向要素21、集束レンズ11、二次電子検出器17、およびスタック23とガス導管39と物質リザーバ41とからなるガス供給装置20を備え、第3導管部30からガスを物体33の表面33aに供給し電子ビームでガスを活性化させながらを物体に照射し、堆積またはアブレーションにより加工する。また、電子ビームを走査させ、物体から発生した二次電子を二次電子検出器で検出し電子顕微鏡画像を取得して、加工の進行状況をモニタリングする。 (もっと読む)


【課題】高速かつ高精度なエッチングが可能な加工試料の加工装置および薄膜試料の生産方法の提供。
【解決手段】ホルダ50と、イオン銃20と、電子銃10とを備える。ホルダ50は、互いに略平行な表面および裏面を有すると共に、表面および裏面の距離として厚さが定義される加工試料を把持する。また、イオン銃20は、アルゴンイオンを放出し、ホルダ50に把持された加工試料の裏面に、アルゴンイオンを照射する。そして、電子銃10は、電子を放出し、ホルダ50に把持された加工試料の表面に電子を照射するように構成される。また、マイコン30は、電流検出器40が測定した透過電子の電流密度を基にして、イオン銃20が放出するアルゴンイオンの電流密度を制御する。 (もっと読む)


【課題】 成膜工程における基板の加熱処理とイオン処理を、同じ位置において連続的に実施することができるイオン照射処理装置及びイオン処理方法を提供する。
【解決手段】 基板7とイオン源用金属板3の間に配置された筒状のアースシールド5と、アースシールド5の基板側端部近傍に移動可能に設けられ、表面が黒色化処理された遮蔽板6(6a、6b)とを備えている。イオン処理を行わない時には、遮蔽板6がアースシールド5の開口部を覆ってイオン源用金属板3と基板7の間を遮蔽するので、イオン照射により加熱された遮蔽板6で基板7を加熱処理することができる。また、イオン処理時には、遮蔽板6a、6bが移動してアースシールド5の開口部を開くため、加熱処理後でも基板を移動させることなくイオン源用金属板3と対向した基板7上にイオン処理をすることができる。 (もっと読む)


【課題】
本発明の目的は、荷電粒子線加工装置において、剥離膜等の異物がビーム通過穴を塞ぐ事による不具合を解決し、装置のスループット低下を防止することに関する。
【解決手段】
本発明は、スパッタ膜の剥離等によって発生する異物がビーム通過穴を塞ぐ可能性のある箇所に不活性ガスなどのガスを照射することに関する。ガスを当該部に照射する方法として、ガスノズルを用いることが望ましい。または、不活性ガスの通路を、ビーム通過穴を有する部品の周囲の構造物内部に形成し、その照射口よりガスを照射する。本発明により、荷電粒子線装置の安定稼動が実現可能となり、高スループットの荷電粒子線装置を提供することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】 集束荷電粒子ビーム照射位置近傍のサンプルの温度を測定し、高精度な微細加工を行う集束荷電粒子ビーム加工方法及び装置を提供する。
【解決手段】 穴開き構造の走査熱顕微鏡カンチレバー1またはカンチレバーから探針先端が突き出した構造の走査熱顕微鏡探針を使用して、ビーム照射位置近傍のサンプル6の表面温度を測定できるようにする。走査熱顕微鏡で集束荷電粒子ビーム3照射によるサンプル6表面の温度上昇測定し、所定温度を超える場合には加工を中断し、温度が下がるまで待つ。あるいはサンプル6表面の温度をモニターし、サンプル6表面の温度が真空内の温度とほぼ同じになってから集束荷電粒子ビームエッチング加工またはデポジション加工を開始する。あるいはサンプル6の温度を測定し、サンプルがヒーター等の加熱により所定の温度になってから集束荷電粒子ビームエッチング加工またはデポジション加工を行う。 (もっと読む)


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