【課題】粒子ビームによって活性化された反応ガスを用いて物体を加工する加工システムであって、小型のガス供給装置を用いた加工システムを提供する。更に、加工中に物体を検査して、加工状態を監視及び制御できる加工システムを提供する。
【解決手段】システムは粒子ビームカラム２６と、物体３３を載置する物体ホルダ２４と、ガス供給装置２８とを備える。物体ホルダは、基台２０と、該基台に対して移動可能な第１テーブル２１と、該第１テーブルに対して移動可能な第２テーブル２２と、該第２テーブルに対して回転可能な第３テーブル２３とを備えて構成され、ガス供給装置２８はカニューレ３０とガスリザーバ３１を備え、ホルダ３２によって第１テーブル２１に固定されている。粒子ビームカラム２６で物体３３を加工した後、該粒子ビームカラムを用いて物体から放出される電子を電子検出器１７で検出し加工部の顕微鏡画像を取得する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、加工対象物を広範囲でかつ適切に加工することが可能なビーム加工装置を提供すること。
【解決手段】ビーム加工装置は、ワークの加工を行うためのビームを出射するビーム出射源３と、ビーム出射源３から出射されたビームが通過するビーム通過路８を有する真空チャンバー４と、ビーム通過路８に連通しビーム通過路８を通過したビームが通過する通過空間２０およびワークに向けてビームを出射する出射孔１７ａを有する局所真空チャンバー９と、ワークに照射されるビームの焦点を調整するために出射孔１７ａの下方に配置される被照射部材３５を有する焦点調整手段７とを備えている。このビーム加工装置１は、ビームを用いて真空チャンバー４および局所真空チャンバー９の外部の大気圧中に少なくとも一部が配置されるワークの加工を行う。 （もっと読む）

【課題】従来の改質方法と比較して、より簡単および安定的に表面処理の効果や持続性を向上させる基板の表面処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】被加工物に集束イオンビームを選択的に照射することにより該被加工物のあらかじめ決められた領域に表面改質部を形成する表面改質方法であって、該集束イオンビームの照射は表面改質用ガスの雰囲気中においてなされ、および該集束イオンビームの照射によって該表面改質用ガスの成分を該被加工物の内部に導入することを特徴とする表面改質方法。 （もっと読む）

気体混合物中の複数のプロセス気体から形成されるガス・クラスター・イオン・ビームを制御する方法および装置。本方法および装置は、気体分析器（３０８、３６０、４１４、５０２、５５２）で気体混合物の組成に関係する気体分析データを測定し、検出されたパラメータに応じて作業対象物（１５２）の照射を修正することに関わる。気体分析データは、気体ソース（２３０、２３２）からガス・クラスター・イオン・ビーム装置（３００、３５０、４００、５００、５５０）に流れる気体混合物の組成のサンプルから、あるいはガス・クラスター・イオン・ビーム装置（３００、３５０、４００、５００、５５０）の真空容器（１０２）内の残留気体のサンプルから導出できる。

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【課題】集束イオンビームを照射して加工する時に針状試料の先端の頂点周辺の汚染を抑えるとともに、針状試料の機械的な強度の低下を抑えたアトムプローブ用針状試料の加工方法及び集束イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】針状試料１０を、その先端１１側が集束イオンビームＢの進行方向Ｄ先方を向きかつ基端１２側が集束イオンビームの進行方向後方を向くように、集束イオンビームの進行方向に対して針状試料の軸線Ｃ１が鋭角をなすように傾斜させて配置する。そして、針状試料をその軸線を中心に回転させながら、針状試料の先端に集束イオンビームを照射して加工する。 （もっと読む）

【課題】共通のイオンビームカラムを用いて試料の加工とダメージ層の除去とを迅速に実行することができるイオンビーム加工装置及び試料加工方法を提供する。
【解決手段】ガスイオン源１１から引き出されたイオンビーム１２を試料３１に導くイオンビーム光学系と、イオンビーム１２を通過させてイオンビーム１２の断面を成形する開口１５ａ〜１５ｃを有するマスク１５と、ガスイオン源１１に印加する加速電圧及びマスク１５の動作を制御するイオンビームカラム制御部１８とを備え、イオンビームカラム制御部１８は、マスク１５の開口１５ｂ，１５ｃに通して断面成形した高速加工用のイオンビーム１２を投射して試料３１又は試料片５０を加工する手順と、高速加工用のイオンビームに比較して加速電圧を下げ、加工後の試料３１又は試料片５０の観察面にイオンビーム１２を投射して観察面のダメージ層を除去する手順とを実行可能である。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、加工対象物を広範囲で加工することが可能なビーム加工装置を提供すること。
【解決手段】ビーム加工装置は、ビームが通過する第１空間１６および第１空間１６の周囲に壁部１４ａを介して配置される第２空間１７が形成される局所真空チャンバー９と、第１空間１６、第２空間１７を真空状態とするための吸気手段とを備えている。ワークに対向する対向部１５は、ワークに向けてビームを出射するための出射孔２２ａを有する第１対向部１８と、出射孔２２ａの外周側に配置される開口部３２を有する第２対向部１９と、第２対向部１９の変形を防止するための変形防止部２０、１９ｄとを備えている。第１対向部１８と第２対向部１９との間には、開口部３２を介して局所真空チャンバー９の外部に連通しかつ第２空間１７の一部となる対向部間空間１７ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】長期間に亘って安定して動作するパルス電子ビーム発生装置およびこの装置を用いたパルス電子ビーム成膜装置を得る。
【解決手段】パルス状の電子ビームを発生するためのパルス電子ビーム発生部（８a）と、絶縁材料で構成された中空のチューブであって、パルス電子ビーム発生部（８a）に連結され、発生させた電子ビームをターゲット表面に案内するためのガイドチューブ（８ｂ）とを備えるパルス電子ビーム発生装置（８）において、ガイドチューブ（８ｂ）の側面に、その長手方向と交差する方向に高さを有する絶縁材料のフィン（８ｃ）を、ガイドチューブ側面をほぼ一周するように設ける。 （もっと読む）

【課題】炭化水素ガスやＷ（ＣＯ）₆等のガスを導入を積極的にメインチャンバー中に導入し、ＳＥＭ解析と同時に、ＳＥＭ解析に用いる電子ビームを用いてマーカーとしての堆積物を試料に堆積させる場合には精密にガス流量を制御する必要があり、差動排気システム等を導入する必要が生じる。メインチャンバー内部に複雑な構成を備えるため、真空系の内壁面積が増加する。そのため、脱ガスの量が増加し、到達真空度の低下を招くという課題がある。
【解決手段】メインチャンバー８内部に、炭化水素ガスの分圧よりも高い分圧を維持しうるフッ素系の揮発ガス３５を放出するマーキング源６を導入する。フッ素は通常雰囲気内には含まれず、また検出感度が高い物質である。そのため、高いコントラストを有するマーカー３を形成可能なマーキング装置１００を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、荷電粒子線による試料の加工と、その加工断面のモニターと、を高スループットで実現することに関する。
【解決手段】
ＦＩＢ加工途中の断面構造の観察を、断面を削っているイオンビームにより試料から発生する二次粒子像を用いて観察し、少なくとも二つ以上の断面を作製し、加工と加工断面のモニターを行いながら試料の加工を進めれば、所望領域の場所と大きさが未知であっても、所望の領域を失うことなく正確な試料加工が可能である。 （もっと読む）