【課題】
本発明の目的は、接触精度やプローブ操作性を向上させることに関する。
【解決手段】
本発明は、試料ステージ移動制御とプローブ移動制御を、観察画像上において同一の座標系を用いて制御することにより、試料ステージの停止誤差をプローブ制御移動量として位置決め可能とする。また、観察画像を利用してプローブの先端位置を把握し、画像上の基準位置におけるプローブ座標を記憶する。本発明により、マイクロメートルオーダの試
料位置への正確なプローブ接触操作が容易となる。 （もっと読む）

【課題】イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】イオンビーム装置は第１軸１４２に沿って放射されるイオンビーム１７０を発生させるためのイオンビーム源１１０と、イオンビームを整形するよう適合された開口ユニットと、所定の質量のイオンビームのイオンを偏向角でもって偏向するよう適合された収差補正型偏向ユニット１６２を含む。収差補正型偏向ユニットは電場を発生させるための電場発生コンポーネントと、実質的に電場に直交する磁場を発生させるための磁場発生コンポーネントを含む。装置は所定の質量とは異なる質量のイオンをブロックし、かつ既定の質量を有するイオンがその内部に侵入可能となるよう適合された質量分離開口部１５４と、第１軸に対して傾斜した第２光軸を有する対物レンズ１２４を更に含む。 （もっと読む）

可動マウント（１１２、１１４）に取り付けられた少なくとも１つの電極（１０２、１０４、１０６）を備える、イオンビーム加速装置（１００）。
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【課題】イオンビーム加工装置では、イオンビームの異常状態を、試料に照射する電流でしか検知できなかったため、原因探索による補正ができず、安定な加工が実現できていなかった。
【解決手段】
第１、第２のブランカ１２８、１３４とファラデーカップ１３０、１３４を用い、第１、第２のブランカ１２８、１３４のオンオフを切り替えて、投射マスク１１５の上下２箇所でビーム電流をモニタする。これにより、投射マスク１１５の損傷を抑えながら、イオンビームの異常情報を取得し、異常原因の切り分け、異常の補正が可能となる。このため、イオンビームによる安定加工を実現することができ、イオンビーム加工装置を安定的に使用することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】近接効果の補正計算エラー等の異常の有無を自己診断するとともに、異常箇所の特定を容易にする電子線描画システムおよびその制御方法を提供する。
【解決手段】基板の表面に電子線を照射して所望の図形パターンを描画する電子線描画手段２と、近接効果の影響を考慮して描画図形パターンに対応する電子線の照射量を補正した補正照射量を描画領域中の小領域毎に算出する補正照射量演算手段４０とを備えた電子線描画システム６０において、上記補正照射量で電子線を照射した場合に基板に蓄積されるエネルギー量を算出し、このエネルギー量を所定の理論値と比較して誤差を算出し、補正照射量演算手段４０の動作の精度を判断する制御手段３７と、表示手段６７と、上記補正照射量を可視的に階層化した情報を上記小領域毎に表示手段６７に表示させるデータ検証支援手段６１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】放電管の内部表面でのプラズマ損失を低減できるプラズマ源，それを用いた高周波イオン源，負イオン源，イオンビーム処理装置，核融合用中性粒子ビーム入射装置を提供することにある。
【解決手段】絶縁物で構成された放電管５と、放電管５の周囲に配置されたコイル３とを有する。コイル３に高周波を印加することで、放電管５の内部にプラズマを生成する。導体であるファラデーシールド４は、放電管５とコイル３の間に設置されるとともに、複数のスリット４Ｓを有する。複数の永久磁石６は、複数のスリットの間であって、ファラデーシールド４の外側に設置され、放電管５の内部に多極磁場Ｂを生成する。 （もっと読む）

【課題】金属皮膜の付着を低減して、イオン源性能の低下を減少できる高周波イオン源を提供することにある。
【解決手段】高周波イオン源は、石英円筒管４の外周に配置され、高周波電流が流されるコイル３と、石英円筒室にガスを流すことにより生成されたプラズマからイオンビームを引き出す多孔型引出電極２とを有する。石英円筒管４の内面に近接して第２の石英円筒管１３が配置される。第２の石英円筒管１３は、石英製の短冊状部材１３Ｃが周方向に間隔をおいて配列されることにより、軸方向に長いスリット１３Ｄが周方向に複数個形成されている。 （もっと読む）

【課題】０．１ｍｍ以下の微小領域を局所的に加熱して微小領域を溶融接合することができる電子線溶融装置を提供する。
【解決手段】電子ビームを発生して走査する電子線集束偏向部１と、被加工物を保持して移動可能なステージ８と、ステージ８を収容する加工室２と、電子ビーム照射点で発生する二次電子または反射電子を検出するための検出器１０とを備え、電子線集束偏向部１により、被加工物の所望の位置に電子ビームを照射し、被加工物を溶融接合する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム装置により、簡易なプロセスにより急峻なエッジの膜を形成する。
【解決手段】デポジション加工を行った際に形成されたハロー成分３３の形状から、当該ハロー成分３３を除去した時に急峻なエッジとなるような、加工目標のイオンビーム照射プロファイル（ドーズ分布）を得る。そして、エッチングを行う際のイオンビーム１照射当りのドーズ分布を用いて、加工の目標とするドーズ分布に近似するよう、イオンビームの照射位置及びドーズ分布を算出する。ガラス基板３４へエッチング用ガスを吹き付けながら、算出された照射位置及びドーズ分布に従ってイオンビームを照射し、エッチング加工を行う。これにより、ドーズ分布３５のようにイオンビームが照射され、デポジション膜３２に対し急峻なエッジが得られる。 （もっと読む）

【課題】３次元形状の被処理物に対しても処理温度を制御することにより、良好な処理面が得られる電子ビーム表面処理装置およびその処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム表面処理装置が、電子ビームを発生する電子ビーム発生手段と、電子ビームを収束する電子ビーム収束手段と、収束された電子ビームを偏向して被処理物上で走査させる電子ビーム偏向手段と、電子ビーム発生手段、電子ビーム収束手段、および電子ビーム偏向手段に接続され、これらの手段を制御する制御手段と、制御手段に接続されたシミュレータと、被処理物の情報を記憶する記憶手段とを含み、シミュレータは、記憶手段に記憶された被処理物の情報を用いて、表面処理中の被処理物の温度分布を計算し、制御手段は、温度分布に基づいて選択された電子ビーム照射条件を用いて、電子ビーム発生手段、電子ビーム収束手段、および電子ビーム偏向手段を制御する。 （もっと読む）