国際特許分類[H01J37/30]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 電子管または放電ランプ (32,215) | 放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの (7,637) | 物体の局所的な処理のための電子ビームまたはイオンビーム管 (1,896)

国際特許分類[H01J37/30]の下位に属する分類

国際特許分類[H01J37/30]に分類される特許

1 - 10 / 150


【課題】熱による厚み方向への変形を防止する引き出し電極を備えたイオンミリング装置を提供する。
【解決手段】加速電極20aに形成され加速電極20aの取り付け位置を位置決めする基準穴25aと、加速電極20aに形成され加速電極20aの取り付け位置を案内する案内穴26aと、電極取り付け板に立設された基準穴25aと係合する加速電極保持軸40と、電極取り付け板に立設された案内穴26aと係合する加速電極案内軸41と、基準穴25aおよび案内穴26aの周囲を加速電極20aの厚み方向に押圧する圧縮コイルバネと、を有し、案内穴26aは基準穴25aの中心と加速電極20aの中心を結ぶ直線上に設けられ、直線に沿って長穴形状に形成されている。 (もっと読む)


【課題】効率的にイオンミリング加工を行えるイオンミリング装置を提供する。
【解決手段】プラズマを生成するプラズマ生成室10と、プラズマ生成室10に連通する処理室40と、プラズマ生成室10から処理室40へイオンビームを引き出す複数の引き出し電極20,21,22と、複数の引き出し電極20,21,22から選択された一つの引き出し電極をプラズマ生成室10の開口部18に移動させるスライドテーブル30と、を備える。 (もっと読む)


【課題】表面が任意の初期形状の被加工物でも表面を平坦に加工できるイオンミリング装置を提供する。
【解決手段】イオンビーム源10として第1イオンガン11と、第2イオンガン12と、を備え、第1イオンガン11を制御する第1制御部29aと、第2イオンガン12を制御する第2制御部29bと、イオンビームが照射される位置に基板14を搭載し回転する基板ホルダー35と、を備え第1イオンガン11は、第1イオンガン11の中心軸C1が基板ホルダー35の中心を通る位置に配置され、第2イオンガン12は、第1イオンガン11と同じ方向にイオンビームが出射され、かつ第2イオンガン12の中心軸C2が基板ホルダー35の中心から偏心した位置に配置されている。 (もっと読む)


【課題】試料依存性があるFIB加工において、作業者の個人差の影響を受けることなく、希望の形状に効率良く加工できるようにする。
【解決手段】イオン源で発生されたイオンビームを試料に照射するイオンビーム光学システム装置とその制御装置と、試料の構成元素を検出する元素検出器とその制御装置と、元素検出器で特定された元素に基づいて試料の加工条件を自動設定する中央処理装置とを荷電粒子線装置に実装する。 (もっと読む)


【課題】 従来の滞留時間制御による局所加工方法では、加工に伴うワークの温度変化による加工レートの変動を考慮していなかったため、加工精度が悪かった。
【解決手段】 本発明は、局所加工ツールによる第一の加工量を設定する工程(工程1)と、
第一の加工量と前記ワークの温度・加工レートから前記ワークの第一の加工時間分布を求める工程(工程2)と、第一の加工時間分布に従い加工した際のワーク温度を求める工程(工程3)と、求められた前記ワーク温度と、前記温度・加工レートと、前記第一の加工時間分布から、第二の加工量を求める工程(工程4)と、第一の加工量と前記第二の加工量との差である、加工誤差量に応じて、第二の加工時間分布を設定する工程(工程5)と、
第二の加工時間分布に基づき、前記局所加工ツールが前記ワークを加工する工程と、を有することを特徴とする局所加工方法である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、低加速電圧でのイオン電流の制御を容易にしつつ、カソードに付着するリデポジションによる影響を抑制することを目的とするイオンミリング装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、イオンガンの内部に配置され、正電圧が印加されるアノードと、当該アノードとの間に電位差を発生させることによってイオンを発生させるカソードを備えたイオンミリング装置において、カソードは、前記ガス供給源によってガスが供給される空間と、前記イオンが照射される試料側の空間を分圧すると共に、前記イオンを通過させる開口を備え、当該開口を通過したイオンを試料に向かって加速させる加速電極を備えたイオンミリング装置を提案する。 (もっと読む)


【課題】パルスビームを高周波化できるとともに、パルスビームの最大値や最小値の値を任意にコントロールでき、品質の高い溶接を可能にする電子ビーム加工機を得ることである。
【解決手段】電子銃の陰極とバイアス電極間に電圧を印加して電子ビームを制御するバイアス電源が、直列に接続された、高安定電源と高応答電源とで形成されており、高安定電源が、ビーム電流を計測する電流検出回路から出力されたビーム電流信号に基づき、ビーム電流をフィートバック制御する電圧を出力し、高応答電源が、パルス信号発生器で発生したパルス基準信号により制御されたパルス電圧を出力するものである。 (もっと読む)


【課題】
試料へのダメージが少なく加工効率に優れたイオンミリング装置、更には平面加工および断面加工にも柔軟に対応できる処理能力の高い装置を提供する。
【解決手段】
個別に制御可能な複数のイオン銃3を一つ試料室5に設け、このイオン銃3に対応して複数の試料1を試料ステージ8に設置する。複数のイオン銃3および試料ステージ8は制御装置9によって個別に制御可能であり、複数のイオン銃3を同時に作動させ、試料ステージ8をスイング又は傾斜・回転するすることで、複数の試料を同時に平面加工もしくは断面加工する。 (もっと読む)


【課題】従来のシリコンの水素化物やハロゲン化物を原料ガスとして用いたデポジションに比べ、高速な半導体膜デポジションが可能な荷電粒子ビーム装置を提供すること。
【解決手段】荷電粒子源1と、集束レンズ電極2と、ブランキング電極3と、走査電極4と、試料9を載置するための試料台10と、荷電粒子ビーム照射により試料9から発生する二次荷電粒子7を検出する二次荷電粒子検出器8と、シクロペンタシランを原料ガスとして収容するリザーバ14と、原料ガスを試料9に供給するガス銃11と、を備える荷電粒子ビーム装置を用いる。 (もっと読む)


【課題】真空シール部および配管接続部が簡単な構造であって、配管接続部のシール強度が大きく、メンテナンス容易である真空シールおよび配管接続機構を提供する。
【解決手段】真空容器1に挿通する第一のパイプ2の大気側端部に、流体を供給するための第二のパイプ20をOリング52とともに接続し配管接続部を形成する。そして、第一のパイプ2をハウジング21を介して真空容器1に固定し、Oリング50、51を用いて真空シール部を形成する。さらに、第二のパイプ20の鍔部24とハウジング21とをスタッド26により連結する。 (もっと読む)


1 - 10 / 150