【課題】 イオンビームを試料に照射してミリングを行う際、試料におけるイオンビームの照射面を直接冷却することができるイオンミリング装置とイオンミリング方法とを提供する。
【解決手段】試料Sが設置される試料台1と、試料Sに照射するイオンビームを発生させるイオン源2と、試料台1の収納空間を所定の真空に保持する試料チャンバ3と、試料Sを冷却するための気体冷媒を試料チャンバ3内に供給する冷媒供給手段5とを備えるイオンミリング装置である。気体冷媒を試料チャンバ内に供給することで、試料Sにおけるイオンビームの照射面を直接気体冷媒で冷却することができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、加工対象物を広範囲でかつ適切に加工することが可能なビーム加工装置を提供すること。
【解決手段】ビーム加工装置は、ワークの加工を行うためのビームを出射するビーム出射源３と、ビーム出射源３から出射されたビームが通過するビーム通過路８を有する真空チャンバー４と、ビーム通過路８に連通しビーム通過路８を通過したビームが通過する通過空間２０およびワークに向けてビームを出射する出射孔１７ａを有する局所真空チャンバー９と、ワークに照射されるビームの焦点を調整するために出射孔１７ａの下方に配置される被照射部材３５を有する焦点調整手段７とを備えている。このビーム加工装置１は、ビームを用いて真空チャンバー４および局所真空チャンバー９の外部の大気圧中に少なくとも一部が配置されるワークの加工を行う。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、加工対象物を広範囲で加工することが可能なビーム加工装置を提供すること。
【解決手段】ビーム加工装置は、ビームが通過する第１空間１６および第１空間１６の周囲に壁部１４ａを介して配置される第２空間１７が形成される局所真空チャンバー９と、第１空間１６、第２空間１７を真空状態とするための吸気手段とを備えている。ワークに対向する対向部１５は、ワークに向けてビームを出射するための出射孔２２ａを有する第１対向部１８と、出射孔２２ａの外周側に配置される開口部３２を有する第２対向部１９と、第２対向部１９の変形を防止するための変形防止部２０、１９ｄとを備えている。第１対向部１８と第２対向部１９との間には、開口部３２を介して局所真空チャンバー９の外部に連通しかつ第２空間１７の一部となる対向部間空間１７ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の歩留まりを上げることができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 内部を所望の真空雰囲気に設定可能なチャンバ１０と、チャンバ１０内に設けられ、半導体ウェハ２０を載置する載置台３０と、半導体ウェハ２０にエレクトロンビームＥＢを照射するエレクトロンビーム照射機構４０と、載置台３０とエレクトロンビーム照射機構４０との間にエレクトロンビームＥＢを透過させる隔壁５０を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 炭素系材料に対してナノメートルレベルの超微細加工を、その場で確実に確認して加工操作を行い得るようにした、炭素系材料の信頼性に富んだ超微細加工方法を提供する。
【解決手段】 走査型電子顕微鏡を用い、電子顕微鏡を差動排気機構によって、真空度、雰囲気ガスを自在に調整可能とし、電子線を照射することによって被検体炭素材料を高真空下で高分解能に観察することができるとともに、加工の際には、高真空を低真空に切換えて、炭素材料に電子線を照射し、プラズマイオンによって電子線照射された限定された帯電領域をスパッターあるいは酸化燃焼させ、加工領域をナノメートルからミクロンの広範な領域に適宜調整することによって、超微細加工を行い得るようにした。 （もっと読む）