【課題】多重露光が必要なレジストを用いて振動ノイズの測定を行うに当たって、複数回の露光に起因する図形パターンの位置のノイズ成分を減衰させることなく、簡易かつ確実に定量的に振動ノイズの測定を行うことが可能な荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】位置ずれ測定の指標となるターゲットパターンＴＰの輪郭部における総露光量を設定するステップと、ターゲットパターンＴＰの露光に用いる第１の露光量を設定するステップと、バックグラウンドパターンＢＧＰ露光に用いる第２の露光量を設定するステップと、複数回に分けて露光を繰り返しバックグラウンドパターンＢＧＰを露光するステップと、１度の露光によりターゲットパターンＴＰを形成するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】描画開始の遅延を抑止する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置１は、レイアウトに関するレイアウトデータであってパターンデータ及び複数のパラメータを含むレイアウトデータに対して並列処理を行う並列処理部３１と、レイアウトデータの入れ替えに応じて並列処理部３１に並列処理を実行させる処理命令部４３と、レイアウトデータが入れ替えられた場合、そのレイアウトデータのうちパターンデータ及び並列処理に関するパラメータが不変更であることを検出する不変更検出部３２と、不変更検出部３２による検出に応じて並列処理部３１に並列処理の実行をスキップさせる処理スキップ部３３とを備える。 （もっと読む）

【目的】照射量を繰り返し演算により求める際に、解の収束をより早め、描画時間を短縮することが可能な装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、試料の描画領域が仮想分割されたメッシュ毎に、繰り返し演算により当該小領域内にショットする荷電粒子ビームの繰り返し数第ｎ回目の照射量補正係数を算出する照射量係数計算部６０と、小領域毎に、第ｎ−１回目の照射量補正係数から、繰り返し数ｎ回目に算出された第ｎ回目の照射量補正係数への変化率を第ｎ回目の変化率として演算する変化率計算部６２と、小領域毎に、第ｎ回目の変化率を用いて第ｎ回目の照射量補正係数を補正する照射量係数計算部６５と、小領域毎に、補正された第ｎ回目の照射量補正係数を用いて当該小領域内にショットする荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量計算部７０と、照射量で当該小領域内に所望のパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】長期のダウンタイムの発生を抑え、生産性の低下を抑制する荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供することである。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置は、ステージＳｔを内蔵する描画室１を備え、ステージＳｔ上に支持部材である支持ホルダ４０を介して載置されるマスクＭに、電子ビームを照射して所望のパターンを描画するようにする。ステージＳｔは、支持ホルダ４０を３点で支持する支持ピン４３を有し、支持ホルダ４０は、その一部に導電膜が設けられるとともに、マスクＭを３点で支持する支持部４２を有するように構成される。描画を終えた後は、支持ホルダ４０を描画室１から搬出して、支持ホルダ４０用の収納室に収納するかまたはクリーニングするかを選択するようにする。 （もっと読む）

【目的】パターン面積密度計算と近接効果補正計算とを効率的に行なう荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【構成】描画する際のショット数が互いに略同一になるように描画領域を複数の第１のブロック領域に分割する分割部と、描画領域を、第１のブロック領域のいずれよりも小さい複数の第１の小領域と、第１の小領域よりも小さい複数の第２の小領域とを用いて、第１のブロック領域毎に、パターン面積密度を計算する面積密度計算部と、描画領域を改めて第１および第２の小領域の数が所定の閾値を超えないサイズで複数の第２のブロック領域に分割する分割部と、第２のブロック領域毎に、近接効果補正照射量を計算する補正照射量計算部と、荷電粒子ビームのビーム照射量を近接効果補正照射量を用いて計算するビーム照射量計算部と、試料に所定のパターンを描画する描画部と、を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 （もっと読む）

【目的】斜入射反射光学系を用いた露光装置で生じるシャドーウィング効果の位置依存性誤差について補正可能な描画装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、斜入射反射光学系を用いてパターンが形成されたマスク基板に照明光を斜入射してマスク基板からの反射光を用いてマスク基板に形成されたパターンを被露光基板に転写する露光装置におけるシャドーウィング効果の位置依存誤差を補正する補正値が定義された補正テーブルを記憶する記憶装置１４２と、複数の図形について位置と形状とサイズが定義されたパターンデータを入力し、図形毎に、当該図形の位置に基づいて、補正テーブルから対応する補正値を取得する取得部１２と、図形毎に、補正値を用いて、当該図形をリサイズするリサイズ処理部１４と、荷電粒子ビームを用いて、パターン形成前のマスク基板にリサイズされた図形を描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）