【課題】高分子材料や有機材料等の熱に弱い材料の断面を、イオンビームの熱による影響を抑制し、かつ、短時間で加工可能な集束イオンビームによる高分子材料加工方法及び装置を実現する。
【解決手段】試料７から微小試料片を大電流イオンビームにより切り出す前に、微小試料１８に熱影響を与えない小電流イオンビーム１６により微小試料１８の周囲に熱伝達抑制用の溝１９を形成し、その後、形成した溝１９の外周を大電流イオンビームにより微小試料片を切り出す。試料に熱影響を与えない小電流イオンビームにより微小試料片１８を切り出すことも考えられるが、微小試料片１８を切り出すまでに長時間を要する。試料７に熱影響を与えない小電流イオンビーム１６による溝１９の形成加工は、試料片の切り出し加工より短時間で終了可能である。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、加工対象物を広範囲でかつ適切に加工することが可能なビーム加工装置を提供すること。
【解決手段】ビーム加工装置は、ワークの加工を行うためのビームを出射するビーム出射源３と、ビーム出射源３から出射されたビームが通過するビーム通過路８を有する真空チャンバー４と、ビーム通過路８に連通しビーム通過路８を通過したビームが通過する通過空間２０およびワークに向けてビームを出射する出射孔１７ａを有する局所真空チャンバー９と、ワークに照射されるビームの焦点を調整するために出射孔１７ａの下方に配置される被照射部材３５を有する焦点調整手段７とを備えている。このビーム加工装置１は、ビームを用いて真空チャンバー４および局所真空チャンバー９の外部の大気圧中に少なくとも一部が配置されるワークの加工を行う。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームの切削断面から発生する熱はエポキシ樹脂を介して放熱されるので、放熱効果が小さく、熱損傷のために良好な切削断面が得られなかった。
【解決手段】ＭＥＡサンプル１の両側をケース２内で２つの冷却ブロック３，４によって抑える。冷却ブロック３はケース２に固定され、冷却ブロック４はケース２内で可動とされる。ケース２には集束イオンビーム照射用の窓２ａを設ける。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、加工対象物を広範囲で加工することが可能なビーム加工装置を提供すること。
【解決手段】ビーム加工装置は、ビームが通過する第１空間１６および第１空間１６の周囲に壁部１４ａを介して配置される第２空間１７が形成される局所真空チャンバー９と、第１空間１６、第２空間１７を真空状態とするための吸気手段とを備えている。ワークに対向する対向部１５は、ワークに向けてビームを出射するための出射孔２２ａを有する第１対向部１８と、出射孔２２ａの外周側に配置される開口部３２を有する第２対向部１９と、第２対向部１９の変形を防止するための変形防止部２０、１９ｄとを備えている。第１対向部１８と第２対向部１９との間には、開口部３２を介して局所真空チャンバー９の外部に連通しかつ第２空間１７の一部となる対向部間空間１７ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】試料ステージを傾斜することなく、半導体ウェーハやデバイスなどの電子部品等の試料から所望の特定領域を含む微小試料を、分離または分離準備して、微小領域分析や観察、計測用の試料作製方法およびその試料作製装置を提供すること。
【解決手段】集束イオンビームを試料表面に対して大きくとも９０度未満の照射角度で試料に照射し、目的とする微小試料周辺を取り除き、次に試料ステージを、試料表面に対する垂直線分を回転軸として回転させ、試料表面に対する集束イオンビームの照射角度は固定して試料に照射し、微小試料を分離または分離準備することを特徴とする試料作製方法。 （もっと読む）

【課題】試料作製及び試料観察を効率よく行う。
【解決手段】イオン銃１１のイオンビーム照射口は試料表面に対向するように試料室５内部に設けられ、イオンビーム照射口から試料ホルダー４にセットされた試料表面に直接イオンビームを照射することができるので、大面積の薄片加工が可能となる。またイオン銃１１は希ガスのイオンビームを試料表面に照射するので、試料の材質を問わずに安定的にドライエッチングを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスへの金属汚染の拡散を最小限度に抑制し歩留まりを向上させることができる荷電粒子線加工装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０に接続され非金属イオン種のイオンビーム１１を試料３５に照射するイオンビームカラム１と、イオンビーム１１により試料３５から切り出されたマイクロサンプル４３を摘出するプローブ１６を有するマイクロサンプリングユニット３と、マイクロサンプル４３とプローブ１６とを接着するガスを流出させるガス銃２と、イオンビームカラム１が接続されたと同一の真空容器１１に接続され汚染計測用ビーム１３をイオンビームカラム１によるイオンビーム照射跡に照射する汚染計測用ビームカラム６Ａと、汚染計測用ビーム１３を照射した際にイオンビームカラム１によるイオンビーム照射跡から放出される特性Ｘ線を検出する検出器７とを備えたことを特徴とする荷電粒子線加工装置。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームと遮蔽材を用いる断面試料作製装置において、断面加工の進行状態を素早く簡単に判断し、断面作製位置の変更や修正を短時間に行えると共に、試料の内部構造を知ることができるようにする。
【解決手段】 イオンビームによって加工される試料６の断面を観察するための光学観察装置４０（断面観察手段）備え、イオンビームを照射中若しくは照射を中断した時にシャッタ４１を開けて、加工室１８内の真空を保持したまま試料６の断面を観察できる。また、試料６と遮蔽材１２の相対位置変更するための調整手段を備え、一回の断面加工が終了する毎に断面画像の取り込みと断面位置の微小移動を繰り返し、得られた複数の画像から試料６の立体画像を構成する。 （もっと読む）

【課題】分析試料の膜に与えるダメージを少なくして分析可能な試料を形成することができる分析試料の形成方法を提供する。
【解決手段】分析試料の形成方法は、まず、基板１２上に形成された膜１３のうち膜剥がれが発生した第１膜１３ａと基板１２との間にある異物１４を分析するべく、第１膜１３ａの周囲を、収束イオンビーム加工装置（ＦＩＢ）１５によってカットする。次に、第１膜１３ａにカーボンテープを貼り付けて、カーボンテープを引き上げることにより、第１膜１３ａと第２膜１３ｂとを分離して、第１膜１３ａのみを基板１２上から取り除く。これにより、異物１４の付着した第１膜１３ａの面と基板１２の部分が露出する。 （もっと読む）

【課題】マスク等の多段階のプロセスを使用することなく基材の表面に１ナノメートルの微細な穴あけや幅２ナノメートルの溝掘り、また、これらを組み合わせた加工を行なうことができる加工方法とそのための装置を提供する。
【解決手段】基板４を収めた反応容器５の中に、真空ポンプ等で吸引６しながらハロゲン化合物の気体をハロゲン化合物供給ノズル１から供給し、基板の表面に高い加速電圧の電子線２を照射し、さらに基板に対して電子線の照射方向の磁場３をかけることによって電子線を細く絞り、ナノメートルオーダーの微細で精密な加工を行う。 （もっと読む）