【課題】マスク等の多段階のプロセスを使用することなく基材の表面に１ナノメートルの微細な穴あけや幅２ナノメートルの溝掘り、また、これらを組み合わせた加工を行なうことができる加工方法とそのための装置を提供する。
【解決手段】基板４を収めた反応容器５の中に、真空ポンプ等で吸引６しながらハロゲン化合物の気体をハロゲン化合物供給ノズル１から供給し、基板の表面に高い加速電圧の電子線２を照射し、さらに基板に対して電子線の照射方向の磁場３をかけることによって電子線を細く絞り、ナノメートルオーダーの微細で精密な加工を行う。 （もっと読む）

【課題】 透過電子顕微鏡の観察に適した試料を作製することができる試料加工装置を提供する。
【解決手段】 遮蔽材支持手段をなす遮蔽材支持ステージ２３ａの基台１００は、試料Ｓの加工面ＳＡが上下に通過可能とされた切り欠き部１００ａを備える。基台１００上には、供給ホイール１０１、一対の支持ホイール１０２、張力印加ホイール１０３、及び弾性部材１０５が設けられている。供給ホイール１０１から供給された長尺状（ワイヤ状）の遮蔽材Ｍは、一対の支持ホイール１０２の間で架橋されて支持され、この部分の遮蔽材Ｍが試料Ｓの加工面ＳＡの上方に配置される。試料Ｓのエッチング加工時には、遮蔽材Ｍが加工面ＳＡの近傍に介在された状態でイオンビームが照射されて行われる。このとき、張力印加ホイール１０３を介して弾性部材１０５により遮蔽材Ｍに所定の張力が印加される。遮蔽材Ｍの交換時には、供給ホイール１０１から自動的にイオンビームが未照射の遮蔽材Ｍが供給される。 （もっと読む）

【課題】 大口径ウェハ用の探針移動機構ならびにサイドエントリ型試料ステージを試料作製装置、不良検査装置に適用することで、小型で従来と同等の操作性を有する試料作製装置、評価装置を提供する。
【解決手段】 探針ならびにサイドエントリ型試料ステージを、上記イオンビーム照射光学軸とウェハ面の交点を通る傾斜角を持って真空容器を大気開放することなく真空容器に出し入れ可能とする真空導入手段を配した探針移動機構およびサイドエントリ型試料ステージ微動機構用い、さらにサイドエントリ型試料ステージの試料ホルダの試料片設置部分をウェハ面と平行とする回転自由度を有したサイドエントリ型試料ステージを用いる。
【効果】
真空容器の容積が必要最小限の設置面積の小さい小型で使い勝手の優れた、大口径ウェハ用の試料作製装置、評価装置が実現できる。 （もっと読む）

【課題】 試料表面の穴にデポジション膜を正確に形成することができる技術を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、試料表面に穴をあけ又は試料表面の穴にデポジション膜を形成するイオンビーム加工・観察装置に関する。イオンビーム加工・観察装置には、試料表面の穴の深さ又は穴に形成されたデポジション膜の高さを計測する計測器が設けられている。試料表面の穴あけ加工中又は試料表面の穴埋め加工中、穴を含む領域の像と穴の深さ又はデポジション膜の高さが表示される。 （もっと読む）

【課題】 ＴＥＭ観察などに適した良好な薄膜試料を確実に作製できる試料作製方法および試料作製装置を提供する。
【解決手段】 高輝度画素抽出手段１０は、撮像手段８で撮像された試料像に対して、所定のしきい値Ｋより大きな強度を有し、且つ試料の薄膜化に伴ってその強度が前記しきい値Ｋより大きくなった高輝度画素Ｐを抽出する。判定手段１１は、高輝度画素抽出手段１０で抽出された高輝度画素Ｐがその試料像上において所定個数以上連なっているかどうかを判定する。判定手段１１は、高輝度画素Ｐが所定個数以上連なっていると判定した場合、試料へのイオンビーム照射を停止させる信号をイオン銃制御手段１２に送る。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームにより試料体が切除されて観察断面が更新された際に、観察断面に対する電子ビームの焦点を合わせるようにする。
【解決手段】 試料体２００にイオンビームＩＢを照射して観察断面２０２を形成するイオン銃１０２と、イオン銃１０２により形成された観察断面２０２に電子ビームＥＢを照射する電子銃１０４と、観察断面２０２と電子ビームＥＢの焦点との関係を調整する焦点調整部１０６と、イオン銃１０２のイオンビームＩＢの照射による試料体２００の切除量に基づいて、焦点調整部１０６を制御する焦点制御部１０８と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡システムにおける３次元トモグラフィ・イメージ生成のための方法と装置を提供する。
【解決手段】標本の上端表面上に少なくとも２つの縦のマークを備え、それらの間に角度を持たせる。連続するイメージ記録において、それらのマークの位置が決定され、連続するイメージ記録の間において取り出されたスライスの厚さの定量化に使用される。 （もっと読む）

【課題】基板から試料を抽出するための効率的な方法。
【解決手段】集束イオンビームのようなビームを使って複数回の重なり合う切り込みを入れて試料のまわりに溝を作り、次いで当該試料の下を切って切り離す。切り込みの側壁が垂直でないため、重なり合う切り込みは以前の切り込みによって形成された傾きのある側壁上に入射する。大きな入射角のため、切削スピードが大幅に向上し、複数回の重なり合う切り込みを行って広い溝を生成することに必要な時間は、試料の周に沿って単一の深い切り込みを入れるよりも短くできる。 （もっと読む）

【課題】 基板１０２の表面に位置する被観察体１０５の観察面１０７をＳＥＭで観察すると、ＳＥＭでの観測に用いる電子線が蓄積され、観察面１０７がチャージアップしてしまい、観察面１０７に蓄積された電荷の影響により、観察面１０７上に入射された電子が反射されることにより、観察像が白く光り、ＳＥＭによる観察が困難であった。
【解決手段】 集束イオンビームを用いて、被観察体１０５の深さよりも深く、かつ被観察体１０５を囲うような溝状の接地された導電体１０３で被観察体１０５の外周の少なくとも一部を囲むようにした。被観察体１０５の観察面１０７をＳＥＭ観察する際の電子線の照射により蓄積された電荷を効率的に導電体１０３に逃がすことができるため、チャージアップによる断面像の乱れを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】本願の目的は、ウェーハをプロセスに問題となるＧａのような元素で汚染することなく、ウェーハから解析用サンプルを分離方法および装置を提供することにある。
【解決手段】本発明によるイオンビーム加工装置は、真空容器４１を有しており、真空容器内には、デュオプラズマトロン８１、イオンビームレンズ８２、対物絞り８３、などから構成されており、酸素イオンビーム照射とシリコンプローブ３により基板からマイクロサンプル６を摘出する。
【効果】本願によると、半導体デバイス等の歩留向上のために、途中の検査がウェーハを割ることなく実施でき、さらにウェーハをプロセスに問題となるような元素で汚染することなく、解析用サンプルを分離する試料作製方法およびイオンビーム加工装置が提供される。 （もっと読む）