【課題】基板から試料を抽出するための効率的な方法。
【解決手段】集束イオンビームのようなビームを使って複数回の重なり合う切り込みを入れて試料のまわりに溝を作り、次いで当該試料の下を切って切り離す。切り込みの側壁が垂直でないため、重なり合う切り込みは以前の切り込みによって形成された傾きのある側壁上に入射する。大きな入射角のため、切削スピードが大幅に向上し、複数回の重なり合う切り込みを行って広い溝を生成することに必要な時間は、試料の周に沿って単一の深い切り込みを入れるよりも短くできる。 （もっと読む）

【課題】断面試料作製時に、ボイド、異種物質由来の凹凸の発生を抑え、観察／分析に好適な試料断面を作製する。
【解決手段】イオンビーム２の光軸（Ｚ軸）に対し試料３をチルト振動させて、試料３の加工面３ａが傾斜軸方向（Ｙ軸方向）に向いた面状態と、その面状態から加工面３ａの試料台側部分が加工面３ａのマスク側部分よりも傾斜軸方向（Ｙ軸方向）に突出したチルト面状態との間での、試料３の加工面３ａの傾斜及び傾斜回復を繰り返すことにより、加工面３ａにイオンビーム２が低角度照射し、ボイド６１、異種物質６２由来の凹凸６３を抑える。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＭによる観察を正確に行うことが可能な電子顕微鏡観察用試料の作製方法を提供する。
【解決手段】支持部材１０の面上に試料片２０を固定した電子顕微鏡観察用試料の作製方法であって、支持部材１０の面上を深さ方向に切り欠く溝部３０を形成する工程と、試料片２０の加工面Ｓが溝部３０と交差するように当該試料片２０を支持部材１０の面上に固定する工程と、溝部３０の深さ方向に沿って試料片２０の加工面Ｓを薄膜状に加工する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】微小な特定箇所を劈開して断面を得ることができるミクロ断面加工方法の提供を提供する。
【解決手段】試料表面２ａに、観察対象３が含まれる線状の断面予想位置３Ｌを決定する工程と、断面予想位置に対して、集束イオンビーム２０Ａを垂直または傾斜角を持って照射させ、断面予想位置の前方の位置で断面１０を形成する工程と、断面の両端部に集束イオンビームを照射させ、断面予想位置より後方の位置まで延びる側面切込み１２、１２を形成する工程と、断面予想位置より後方の位置まで延びる底部切込み１４を形成する工程と、側面切込みから断面予想位置に沿って集束イオンビームを照射させ、底部切込みに接続する楔１６，１６を形成する工程と、試料の断面予想位置より前方の部位２ｘに衝撃を加え、楔で挟まれた断面予想位置の近傍を劈開させ、劈開面Ｓを形成する工程とを有するミクロ断面加工方法である。 （もっと読む）

【課題】サンプリング動作中にステージを移動させることなく試料から試料片を短時間に取り出すことができるイオンビーム加工装置及び試料加工方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ３１を保持する試料ステージ３３と、イオン源１１で発生したイオンビーム１２をマスク１５によってプロジェクションビームに成形するプロジェクション光学系を有し、イオンビーム１２を試料面に斜めに照射可能な第１イオンビームカラム１０と、第１イオンビームカラム１０よりもイオンビーム２２を細く絞ることが可能なイオンビーム光学系を有し、第１イオンビームカラム１０と同時にイオンビーム２２を試料面に垂直に照射可能な第２イオンビームカラム２０と、イオンビーム１２，２２の照射により加工した試料片５０をウェーハ３１から摘出するマニピュレータ４２と、摘出した試料片５０を保持するカートリッジ５１とを備える。 （もっと読む）

【課題】表面に有機物が形成されている試料の断面を精度よく得ることができる断面加工方法及び断面観察試料の製造方法を提供する。
【解決手段】有機物の層又は構造８を表面に有する試料２に、集束イオンビーム装置１００を用いて集束イオンビームを照射し、試料の断面加工位置Ｌに断面加工を行う方法であって、保護膜となる原料ガスの存在下、断面加工位置を含む試料の表面に集束イオンビームを照射し、有機物の層又は構造の表面に保護膜７ａを形成する保護膜形成工程と、保護膜が形成された断面加工位置に、保護膜形成工程における加速電圧より高い電圧で集束イオンビームを照射し、断面加工を行う断面加工工程とを有する試料の断面加工方法である。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で安価に平面観察用半導体薄片試料を作製することを可能にする集束イオンビーム加工装置の試料ステージおよびこの試料ステージを用いた透過型電子顕微鏡平面観察用半導体薄片試料の作製方法の提供。
【解決手段】試料ステージ面は、該試料ステージ面に対してメッシュ挟持用の傾斜溝を有する。集束イオンビームの照射により試料基板から微小試料片を切り出し、マイクロプローブで分離摘出後、前記試料ステージ面の傾斜溝に挟み込まれたメッシュを、メッシュの側面が前記集束イオンビームに垂直な向きとなるように傾ける。微小試料片の観察平面が集束イオンビームと垂直な向きとなるように前記メッシュの端面に接着した後、傾斜した試料ステージを回転軸の周りに１８０度回転させる。集束イオンビームを照射して透過型電子顕微鏡平面観察用半導体薄片試料を作製する。 （もっと読む）

【課題】 試料の薄膜加工終了を正しく判定して実行することができるイオンビーム加工装置を提供すること。
【解決手段】 イオンビーム加工開始時刻ｔ_０から所定期間Ｔ_２においては、第１光源７の輝度と第２光源８の輝度は、オペレータが像を観察しやすい明るさに任意に可変設定される。そして、イオンビーム加工開始時刻ｔ_０から所定期間Ｔ_２が経過して時刻ｔ_１となると、輝度設定手段１６は第１光源７の輝度を所定期間Ｔ_１にわたって所定値ａに固定設定すると共に、第２光源８の輝度を所定期間Ｔ_１にわたって所定値ｂに固定設定する。加工終了判定手段１８は、輝度ａ，ｂの光で照らされた試料５の像を加工終了判定用画像として撮像手段９から取り込んで加工終了判定を行う。前記輝度ａおよびｂは、加工終了判定が正確に行えるように設定されたものであり、予め実験により求められたものである。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム照射で変質しやすい試料を、操作性やスループットを損なわずに正確にイオンビームエッチング加工する手段を提供する。
【解決手段】 イオンビーム鏡筒１と電子ビーム鏡筒２を有し、イオンビームによるエッチング加工中の試料の状態を電子ビームによる観察あるいは計測可能な装置において、第一に加工部分全体を含む電子ビームによる二次信号による観察像を取得し、第二に前記観察像の中で照射可能領域７と照射禁止領域８を設定し、第三に前記照射可能領域７のみに電子ビーム照射を制限する。 （もっと読む）

【課題】
昨今の高速加工を目的とした荷電粒子線装置では、荷電粒子線の電流値の増大化するため、開口を有するマスクの寿命が益々短くなってくる。マスク交換周期が短くなると、荷電粒子線装置のスループットの低下が問題となってくる。本発明の目的は、荷電粒子線加工装置において、照射ビームの電流増加によるマスク寿命の問題を解決し、装置のスループットを向上させることに関する。
【解決手段】
本発明は、開口を有するマスクに、荷電粒子源の加速電圧とアース電位の間の電位を印加することに関する。また、該マスクを電気的に絶縁して配置することに関する。マスクに入射するエネルギーを低下させ、ビームによるマスクの損傷の程度を小さくすることで、長寿命化が可能となる。本発明により、開口部を有するマスクの交換周期が長くなって荷電粒子線装置の安定稼動が実現可能となり、高スループットの荷電粒子線装置を提供することが可能となる。 （もっと読む）