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国際特許分類[H01J37/31]の内容

国際特許分類[H01J37/31]に分類される特許

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【課題】表面に有機物が形成されている試料の断面を精度よく得ることができる断面加工方法及び断面観察試料の製造方法を提供する。
【解決手段】有機物の層又は構造8を表面に有する試料2に、集束イオンビーム装置100を用いて集束イオンビームを照射し、試料の断面加工位置Lに断面加工を行う方法であって、保護膜となる原料ガスの存在下、断面加工位置を含む試料の表面に集束イオンビームを照射し、有機物の層又は構造の表面に保護膜7aを形成する保護膜形成工程と、保護膜が形成された断面加工位置に、保護膜形成工程における加速電圧より高い電圧で集束イオンビームを照射し、断面加工を行う断面加工工程とを有する試料の断面加工方法である。 (もっと読む)






【課題】
昨今の高速加工を目的とした荷電粒子線装置では、荷電粒子線の電流値の増大化するため、開口を有するマスクの寿命が益々短くなってくる。マスク交換周期が短くなると、荷電粒子線装置のスループットの低下が問題となってくる。本発明の目的は、荷電粒子線加工装置において、照射ビームの電流増加によるマスク寿命の問題を解決し、装置のスループットを向上させることに関する。
【解決手段】
本発明は、開口を有するマスクに、荷電粒子源の加速電圧とアース電位の間の電位を印加することに関する。また、該マスクを電気的に絶縁して配置することに関する。マスクに入射するエネルギーを低下させ、ビームによるマスクの損傷の程度を小さくすることで、長寿命化が可能となる。本発明により、開口部を有するマスクの交換周期が長くなって荷電粒子線装置の安定稼動が実現可能となり、高スループットの荷電粒子線装置を提供することが可能となる。 (もっと読む)


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