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国際特許分類[H01J37/317]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 電子管または放電ランプ (32,215) | 放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの (7,637) | 物体の局所的な処理のための電子ビームまたはイオンビーム管 (1,896) | 物体の特性をかえるためのものまたはその上に薄層を形成するためのもの,例.イオン注入 (931)

国際特許分類[H01J37/317]に分類される特許

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【課題】イオンビーム照射装置において、安価かつ簡単な構成で、広範囲に渡って基板割れの検出を行う。
【解決手段】基板8の裏面と対向する面に1つ以上の開口部を有する基板支持部材9と、基板8を搭載した基板支持部材9を駆動させて、イオンビーム3の少なくとも一部が基板8上に照射される照射領域とイオンビーム3が基板8上に照射されない非照射領域に基板8を搬送する基板駆動機構と、基板8の下流側でイオンビーム3が照射される位置に配置されたビーム電流計測器11を備えたイオンビーム照射装置1で、照射領域内に基板8が搬送されているときに、ビーム電流計測器11によって計測されたビーム電流の計測値に基づいて、基板割れの有無を検出する。 (もっと読む)


【課題】試料に断面を形成した後、試料ステージの移動等の動作を行うことなく、直ちに当該断面についての断面情報を取得することのできる試料解析装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム鏡筒7と、イオンビーム鏡筒17と、制御手段25,23とを備え、イオンビーム15の照射により試料9が切削加工され、これにより露出された試料9の断面を解析対象面として該断面に電子ビーム5を照射し、これによる試料9の断面情報を検出する試料解析装置において、電子ビーム5の光軸6に直交する面に対して所定の傾斜角度となる断面が試料9に形成されるように、試料9へのイオンビーム照射時におけるイオンビーム走査のスキャンローテーション量が制御部25,23により設定可能とされ、該スキャンローテーション量に基づくイオンビーム走査により試料9に形成された断面に対して正面側に、試料9の断面情報を検出するための検出器9が配置されている。 (もっと読む)


【課題】FIB動作用のイオン・モードまたはSEM動作用の電子モードで動作するユーザが選択可能な構成を有する単一カラム誘導結合プラズマ源を提供すること。
【解決手段】X線検出器が装着されていれば、エネルギー分散型のX線分光分析が可能である。ユーザは、イオン・モードまたはFIBモードで試料を調製するようにICPを選択的に構成し、次いで電子モードまたはSEMモードを選択するスイッチを実際に動かし、EDSまたは他のタイプの分析を使用して試料を分析することができる。 (もっと読む)


【課題】エネルギー線照射システムにおいて、異なる寸法のワークに効率的にエネルギー線を照射できるコンパクトで低コストの搬送機構を実現する。
【解決手段】異なる寸法のワークW1、W2がそれぞれ搭載される第1、第2ワークホルダ31a、32aと、各々のワークホルダを各々のワーク授受領域とエネルギー線照射領域AR1との間で進退移動させる進退機構33と、互いに異なる位置に設けられた第1及び第2ワーク収容部21a、22aと、第1のワーク授受領域にある第1ワークホルダ31aと第1ワーク収容部21aとの間でワークW1を搬送する第1搬送アームと、第2のワーク授受領域にある第2ワークホルダ32aと第2ワーク収容部22aとの間でワークを搬送する第2搬送アームとを設けた。 (もっと読む)


【課題】イオン電流量の低下を抑えつつ、原料ガスの使用量を低減させることが可能なイオン注入装置及びイオン注入方法を提供する。
【解決手段】イオン注入装置10は、イオンビ−ムを引き出すイオン源12と、半導体基板30(ターゲット)にイオン注入を行う注入室20と、注入室20へガスを導入するガス導入部11を備えている。そして、注入室20へ導入されるガスは、原料ガスと不活性ガスとの混合ガスであり、原料ガスのみを注入室20へ導入したときのイオン電流量が最大となる流量をXaとしたときに、混合ガスの総流量が0.7Xa以上、且つ、原料ガスの流量が0.4Xa以上(原料ガスがBFを主体として構成される場合は、原料ガスの流量が0.3Xa以上)となるように設定されている。 (もっと読む)


【課題】リボンビームの角度均一性およびドーズ量均一性を向上させる方法を提供する。
【解決手段】リボンビームの均一性向上装置は第一の補正器―バーアセンブリ302と、その下流に距離Dだけ離れた位置に配置された第二の補正器―バーアセンブリ304とから構成される。各補正器は磁心部とその周りに配された複数のコイルを含み、コイルは個々に励起される。リボンビーム30の各ビームレット31〜37は第一の補正器で個々に偏向される。例えば、ビームレット32は小さな角度θで偏向される。各ビームレットは第二の補正器の位置で空間的に再配置され、ドーズ量均一性を向上できる。さらに、各ビームレットは第二の補正器で偏向されて平行にされる。すなわち角度均一性を向上できる。 (もっと読む)


【課題】ビームを形成する目的に対して望ましい小さなエネルギー幅を得るために、荷電粒子ビーム・システム内でのプラズマとの容量結合を低減させる。
【解決手段】集束荷電粒子ビーム・システム用の誘導結合プラズマ源200は、プラズマとの容量結合を低減させるため、プラズマ室102内に導電性シールド202を含む。この内部導電性シールドは、バイアス電極106またはプラズマ104によってプラズマ源と実質的に同じ電位に維持される。この内部シールドは、プラズマ室の外側においてより幅広いさまざまな冷却方法を使用することを可能にする。 (もっと読む)


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