【課題】フォトカソードの分光感度曲線の概要を、その製造時にリアルタイムで知ることができるとともに、一定品質を得るための製造条件を特定しやすく、さらには研究開発にも寄与できるフォトカソードの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体結晶からなる光吸収層上に、アルカリ金属又はこれらの酸化物などからなる被覆層を形成してなるフォトカソードの製造方法において、前記被覆層の形成中に、ピーク波長が互いに異なる複数の単波長光を交互に照射し、各単波長光からの光照射による放出電流にそれぞれ基づいて、前記被覆層の形成態様を制御するようにした。 （もっと読む）

光電陰極デバイスの量子効率を高める技術を開示する。当該技術は、光電陰極デバイスの光学的厚さを増すことができる一方で、同時に、デバイスの真空の中へ電子が逃げる確率を上げることができる。当該技術は、特に、検出器と画像化とに役立つ。１つの実施形態では、光電陰極の表面に作成されたコーナーキューブのアレイを有する光電陰極デバイスを提供する。コーナーキューブアレイは、光電陰極層と同じ材料で作られている。デバイスは、例えば、ＵＶと、可視と、ＩＲの光スペクトルにおいて動作する検出器又は画像増倍管であり得る。デバイスは、利得媒体と、陽極と、読み出しデバイスとを更に含み得る。デバイスを形成する技術も提供されている。 （もっと読む）

【課題】電子増倍を用いる真空管用の電子増倍構造において、浮遊イオンに対する遮蔽能力及び放出された電子の損失の減少という点で性能を向上させる。
【解決手段】真空管の入光窓（２）に対して対向的関係にあるように配置された入射面（７）と、真空管の検出窓（３）に対して対向的関係にあるように配置された出射面（８）と、浮遊イオンを遮蔽するイオン障壁メンブレン（１０）とを備え、イオン障壁メンブレン（１０）が、グラフィンを含む少なくとも一つの原子層を備える。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属部材の加熱を安定して行うことができるアルカリ金属発生源を提供する。
【解決手段】アルカリ金属発生源１は、アルカリ金属蒸気を発生させる原料を含有するペレット１６をケース２０に収容したものである。ケース２０には、裏面１８ｂ又は内部に抵抗加熱部２１が設けられたセラミックス基板１８が収容され、セラミックス基板１８の裏面１８ｂからは、基端側がセラミックス基板１８に固定された通電ピン２４が突出している。通電ピン２４は抵抗加熱部２１に電気的に接続されると共に、その基端側の面２４ａがセラミックス基板１８の表面１８ａよりも内側に位置している。ペレット１６は、セラミックス基板１８の表面１８ａ側に位置している。このような構成により、通電ピン２４からの電流はペレット１６には流れず、抵抗加熱部２１だけに流れることになる。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属部材の加熱を安定して行うことができるアルカリ金属発生源を提供する。
【解決手段】アルカリ金属発生源１は、第１のケース部２８と第２のケース部３０とで構成されたケース２０に、アルカリ金属蒸気を発生させる原料を含有するペレット１６を収容したものである。ケース２０には、ペレット１６の他に、裏面１８ｂ又は内部に抵抗加熱部２１が設けられたセラミックス基板１８が収容され、抵抗加熱部２１には通電ピン２４が電気的に接続されている。セラミックス基板１８は、第１のケース部２８と第２のケース部３０とで挟まれるようにしてケース２０に収容され、セラミックス基板１８の表面１８ａ側には、ペレット１６が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 電子の入射に応じて蛍光を発する蛍光体を提供する。
【解決手段】 電子線検出器では、ライトガイドにより、化合物半導体基板の蛍光出射表面を光検出器の光入射面に光学的に結合し、且つ、化合物半導体基板と光検出器とを物理的に接続し、もって、化合物半導体基板と光検出器とを一体化している。化合物半導体基板が入射した電子を蛍光に変換すると、ライトガイドが当該蛍光を光検出器に導き、光検出器が蛍光を検出することで、入射した電子線を検出する。 （もっと読む）

【課題】特定波長の光の検出感度に優れ、且つ容易に製造可能な光電陰極、およびそのような光電陰極を用いた電子管を提供すること。
【解決手段】光電陰極１のアンテナ層６に光が入射すると、入射光に含まれる特定波長の光がアンテナ層６の表面プラズモンと結合し、アンテナ層６の貫通孔１４から近接場光が出力される。出力される近接場光の強度は、特定波長の光の強度に比例しており、且つ当該光の強度よりも大きい。また、出力される近接場光は、光電変換層４にて吸収可能な波長を有している。光電変換層４は、貫通孔１４から出力された近接場光を受光する。光電変換層４における貫通孔１４の周辺部分は、近接場光を吸収し、近接場光の強度（受光量）に応じた量の光電子（ｅ⁻）を発生する。光電変換層４にて発生した光電子（ｅ⁻）は、光電陰極１の外部に出力される。 （もっと読む）

【課題】実効的な量子効率について高い値を示すことができる光電面、それを備える電子管、及び光電面の製造方法を提供すること。
【解決手段】 光電面１０は、入射光を透過する基板１２と、ＨｆＯ_２からなる中間層１４と、下地層１６と、アルカリ金属を含む光電子放出層１８とを備える。すなわち、光電面１０は、基板１２と光電子放出層１８との間に形成された中間層１４を備える。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体を用いた光電陰極において、広いダイナミックレンジを実現すると共に、高速でのゲート動作が可能な光電陰極及び電子管を提供すること。
【解決手段】
電子管に適用可能な光電陰極１０は、基板１１と、基板１１上に形成され、化合物半導体から構成されると共に、光の入射に応じて光電子放出面１４Ｅから光電子を放出する光吸収層１４と、基板１１から光吸収層１４に至る部位を同電位とするように、光電子放出面上１４Ｅに形成されると共に光電子放出面１４Ｅを露出する開口１５Ｈを有する電極層１５と、を備える。 （もっと読む）

整流接合を有する新規な光電陰極を提案し、各種装置及び暗視用器具における光電陰極に拡張可能なカラーイメージングを可能とすることである。
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