説明

国際特許分類[H01J43/04]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 電子管または放電ランプ (32,215) | 二次電子放出管;電子増幅管 (159) | 電子増倍器 (158)

国際特許分類[H01J43/04]の下位に属する分類

国際特許分類[H01J43/04]に分類される特許

1 - 10 / 10


【課題】光検出の装置および方法を提供する。
【解決手段】特に顕微鏡、分光計またはカメラ用の光検出装置は、複数の単一光子アバランシェダイオード(SPAD)のアレイで構成される少なくとも1つのシリコン光電子増倍管(SiPM)を含み、このアレイは面積が入射光より大きく、特定の最低強度の光が当たるSPADだけがアクティブ化され、および/または分析される。この装置を利用する方法。 (もっと読む)



Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_ipc_list.php on line 285

【課題】 実効的な量子効率を向上させることができる光電陰極、そのような光電陰極を備える電子管及び光電子増倍管を提供する。
【解決手段】 光電陰極1A,1Bにおいては、Laを含む結晶性の材料からなる下地層200が支持基板100A,100Bと光電子放出層300との間に設けられ、光電子放出層300に接触している。これにより、例えば光電陰極1A,1Bの製造工程における熱処理時に、光電子放出層300に含まれるアルカリ金属の支持基板100A,100B側への拡散が抑制される。更に、この下地層200は、光電子放出層300で発生した光電子eのうち支持基板100A,100B側へ向かう光電子の進行方向をその反対側に反転させるよう機能していると推察される。 (もっと読む)


【課題】低コストで断熱効率の優れた光電子増倍管保持装置を提供する。
【解決手段】フォトマル8を熱的に周囲から遮断するために、フォトマル8とソケット1および回路基板3を1個の筐体内の収納し、さらに、数本の支柱12上に鍔板4を固定することによって、さらに基板2からの熱伝導を最小限に抑える。ソケット1はフォトマル8を搭載した状態で、底板11と筐筒15と上板16によって囲まれた一つの部屋の中に保持されている。筐筒15はアルミニウム引抜材を用いた角型パイプを本実施例では用いた。底板11と上板16もアルミニウム板を用いた。さらに、断熱性を持たせるために筐筒15と上板16の外面には、断熱材17の板を張り付けてある。4本の支柱12の上にソケット1に付属している鍔板4が、上側挟持板13と下側挟持板14に挟まれた状態で、留めネジ5によって固定されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、より高い開口比(OAR)をもたらす非対称実装パターンを有するマイクロチャンネルプレートを製造する装置及び方法を提供する。
【解決手段】マイクロチャンネルプレートを作製するブールは、(a)各セットが六角形状境界ファイバーを形成するように配置された少なくとも2セットのファイバー列と、(b)2セットの六角形状境界ファイバーの間に配設される追加ファイバー列とを有する。追加ファイバー列は、水平方向に方向付けされた境界ファイバーの上に実装される水平方向に方向付けされたファイバー列を有する。水平方向に方向付けされた境界ファイバー列におけるファイバーは、追加ファイバー列における2つの連続するファイバーに隣接して実装され、ファイバーの三角形態配列を形成する。ファイバーの三角形態配列は、少なくとも90%の最大開口比(OAR)を形成する。 (もっと読む)


【課題】 応答速度を確保しつつ光検出感度の向上を図ることが可能な電子管を提供すること。
【解決手段】 この電子管1は、内部が真空に保持された外囲器2と、外囲器2の入力面板3の真空側に形成された光電面10と、外囲器2の内部において光電面10と対向するように設けられ、光電面10から放出された電子を電気信号に変換する半導体素子11と、外囲器2の内壁に沿って光電面10と半導体素子11との間で所定の間隔を空けて、光電面10に電気的に独立されて配設され、電子を通過させる開口部をもった複数の電極とを備え、複数の電極のうち光電面10に最も近い位置に配置された中間電極6aには、光電面10に対して正の電圧が印加され、複数の電極のうち中間電極6aと半導体素子11との間に配置された中間電極6bには、中間電極6aに印加される電圧以下の電圧が印加される。 (もっと読む)


【課題】紫外光を検出する光電子増倍管において、ソーラブラインド特性を高精度に実現できる光電子増倍管を提供する。
【解決手段】光電子増倍管1は、被検出光を取り込むための受光面板11を有する真空容器10と、真空容器10内に設けられ、被検出光を光電変換して光電子を放出する光電面20と、二次電子放出面を有し真空容器10内に配設された複数段のダイノード25a〜25hを含み、光電面20から放出された光電子を二次電子増倍する電子増倍部24とを備える。光電面20は、AlGa1−XN(0≦X<1)を含む。電子増倍部24の複数段のダイノード25a〜25hのうち、光電面20から光電子を受ける第1段目のダイノード25aを含んで連続するダイノード25a〜25dは、ベリリウム銅合金基板と、該ベリリウム銅合金基板に形成された酸化ベリリウムを含む二次電子放出面とを有する。 (もっと読む)


【課題】 量子効率の高い光電面及びそれを備える電子管を提供する。
【解決手段】
光電面10において、基板12上にバッファー層14、第1のGaN層16、及び第2のGaN層18がこの順で形成されている。第2のGaN層18にはMgがドープされており、第2のGaN層18は活性層として機能する。第2のGaN層18でのキャリア濃度は、5.0×1017cm−3以下である。また、第2のGaN層18に対してラマンスペクトル測定を行うことによって得られる波数735cm−1でのラマンピーク強度に対する波数144cm−1でのラマン強度の強度比は、0.22以下である。 (もっと読む)


時間分解能の極めて早いガンマ線検出装置を提供する。シンチレーター結晶としてCsBr(臭化セシウム)を用い、光電子増倍管としてMCP内蔵タイプを用いることにより、ガンマ線検出において従来の値を大きく上回る時間分解能を得られる。
(もっと読む)


【課題】電極の少なくとも一つの電圧バイアスを変調することにより、ゲート回路が、光電子増倍管の感応性をON状態とOFF状態とに切り換える。
【解決手段】ゲート回路は、低電圧トリガ信号に応答して電圧パルスを光電子増倍管302の光電陰極304又はその他の電極に静電容量的に結合させる。分圧器312ネットワークと、光電子増倍管を静電的にバイアスするために使用される高電圧供給源とが、ゲート回路構成要素にパワーを与え、ゲート電圧パルスを伝達する。立上り及び立下り時間,電圧スイング振幅及び持続時間を含む電極ゲートパルス特性は、レジスタ値,キャパシタ値,ゲート回路と分圧器ネットワークのツェナーダイオード特性によって調整できる。この回路は、マイクロチャネルプレートやイメージインテンシファイアのような関連の装置をゲートするためにも使用できる。 (もっと読む)


1 - 10 / 10