【課題】生産装置が加工中のプロセスパラメータと、製品の過去数ロットの実際測定値とを基に、将来生産される製品品質を予測する。
【解決手段】本発明は主に推測モデル手段１００および予測モデル手段２００の二つからなり、その推測方法および予測方法は、実際の生産装置の特性に合わせて選択され、推測モデル手段１００にはバーチャル測定を用いることができる。また、本発明は自己探索手段１６０および自己調整手段１８０をさらに備え、アルゴリズムにより最適なパラメータおよび関数の組み合わせを選択して、新しい生産装置２０の特性および推測／予測精度の要求を満たす。 （もっと読む）

【課題】 ランダム欠陥不良を考慮してビアの歩留まりを算出できるようにする。
【解決手段】 複数のビアのサイズ、複数のビアのランダム欠陥不良の原因となる欠陥のサイズ、及び複数のビアのうちの一のビアと該一のビアに隣接する他のビアとの間の距離に基づいて、一のビアのクリティカルエリアを算出する。 （もっと読む）

【課題】 短時間で致命率を算出することができ、且つその算出精度を高めることができる欠陥解析システム、記録媒体、欠陥解析方法、及び工程管理方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン（半導体）ウエハに対して行われる複数の工程のうちの一つの工程によってシリコンウエハに新たに発生した新規欠陥を抽出するステップＳ１と、新規欠陥の個数を計数するステップＳ２と、新規欠陥の個数を計数した後に、シリコンウエハ１の上に第１、第２一層目銅配線（導電パターン）１１ａ、１１ｂを形成して、ボルテージコントラスト法により新規欠陥と位置が一致する銅配線１１ａ、１１ｂの不良箇所の個数を計数するステップＳ３と、新規欠陥と不良箇所のそれぞれの個数の計数値を用いて、上記一つの工程における新規欠陥の致命率RFを算出するステップＳ４とを有することを特徴とする欠陥解析方法による。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置製造プロセスを、テストピースなしに、所望の工程通り又は修正しながら進行することを可能とする半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 複数の工程からなる半導体装置の製造方法において、前記複数の工程の少なくとも１つにおける実観測データを得る工程と、ａｂｉｎｉｔｉｏ分子動力学プロセスシミュレータ又は経験的ポテンシャルを与えた分子動力学ミュレータにより、前記複数の工程の少なくとも１つにおける予測データを得る工程と、前記予測データと実観測データとを逐次、実時間で比較検定する工程と、前記比較検定により、製造工程因子の設定値と、前記実観測データから推測される前記複数の製造工程因子との間に有意差が認められた場合、前記製造工程因子を逐次実時間で修正処理する工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスを制御するために第１の原理シミュレーションを用いたシステム及び方法を提供することである。
【解決手段】半導体処理ツールによって実行されるプロセスを制御する方法、システム及びコンピュータ可読媒体。前記方法は、前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスに関連するデータを入力することと、前記半導体処理ツールに関連する第１の原理物理的モデルを入力することと、前記入力データ及び前記物理的モデルを用いて第１の原理シミュレーションを実行することとを含む。第１の原理シミュレーション結果は、経験的モデルを構築するために使用され、前記第１の原理シミュレーション結果および経験的モデルの少なくとも一方は、半導体処理ツールによって実行されるプロセスを制御するのに選ばれる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスを容易にする第１の原理シミュレーションを用いたシステム及び方法を提供。
【解決手段】半導体処理ツールによって実行されるプロセスを容易にする方法、システム及びコンピュータ可読媒体。前記方法は、前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスに関連するデータを入力することと、前記半導体処理ツールに関連する第１の原理の物理的モデルを入力することとを含む。そして、第１の原理シミュレーションが、前記入力データ及び前記物理的モデルを用いて実行されて、第１の原理シミュレーション結果が生成され、前記第１の原理シミュレーション結果は、前記半導体処理ツールによって実行されるプロセスを容易にするのに用いられる。 （もっと読む）

【課題】実測データを用いたキャリブレーションを自動化できる半導体素子のシミュレーション装置および半導体素子のシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】パラメータをキャリブレーションする手順を示したキャリブレーション条件を作成して入力する工程と、キャリブレーション条件の一工程分をシミュレータに投入してパラメータの最適値を探索する工程と、実測データを用いてパラメータをキャリブレーションする工程と、キャリブレーション条件の他の一工程分をシミュレータに投入し、パラメータの最適値を探索してから実測データを用いてパラメータをキャリブレーションする操作を、キャリブレーション条件に従って繰り返す工程とを有する半導体素子のシミュレーション方法と、そのようなキャリブレーション条件の入力部を有する半導体素子のシミュレーション装置。 （もっと読む）

【課題】 生産管理システムとシミュレーションシステムの双方に入力可能なプロセスデータを用いる事によりシミュレーションを有効に活用できる製造工程仕様運営システムを提供する。
【解決手段】 このシステムは前記製造プロセスの各工程で用いられる製造装置に指示を行い或いは前記製造装置の制御を行う生産管理システム２と、前記製造プロセスの各工程のシミュレーションを実行するシミュレーションシステム３と、前記生産管理システムと前記シミュレーションシステムの双方の入力データとして使用が可能なプロセスデータを格納する記憶装置及び前記プロセスデータの編集を行う編集装置を備えたプロセスデータ作成システム１とを有する。製品開発にシミュレーションの効果的な活用ができ、製品製造に関する技術的なノウハウやシミュレーション上のノウハウを一括して容易にデータベース化できる。 （もっと読む）