【課題】シミュレーションの精度を向上できる形状シミュレーション装置を提供する。
【解決手段】シミュレーション装置のフラックス演算部は、有効立体角Ｓｅ、ウェハ開口率Ｒｗ及びセミローカル開口率Ｒｓに基づいて、計算点２２１毎の入射フラックスΓを演算する。有効立体角Ｓｅは、計算点２２１が当該計算点２２１を含むローカル領域２２３におけるパターンに遮蔽されずに開放される範囲を計算点２２１側から見込んだ立体角である。ウェハ開口率Ｒｗは、ウェハ２０１を覆うマスク２０７の面積に対するマスク２０７の開口面積の比である。セミローカル開口率Ｒｓは、ローカル領域２２３を含み、ウェハ２０１よりも狭いセミローカル領域２２７の面積に対する当該セミローカル領域２２７におけるマスク２０７の開口面積の比である。 （もっと読む）

【課題】ポンプ効果を用いる縦型回転式表面処理において、表面処理用原料流体の最適条件を算出することである。
【解決手段】縦型回転式表面処理装置１０についての表面処理シミュレーション装置２０は、記憶部３８にポンプ効果モデルを用いて原料流体１８の速度分布を算出するモデル算出プログラム３６を記憶する。ＣＰＵ３０は、表面処理パラメータを入力する取得するパラメータ取得処理部４２と、取得された表面処理パラメータを、モデル算出プログラム３６に適用して、基板１６に対する原料流体１８の速度分布を算出するモデル算出処理部４４と、速度分布の算出データと装置パラメータとに基づいて最適な原料流体流量を算出する最適流量算出処理部４６と、装置の形状パラメータに基づいて、最適流量を補正する流量補正処理部４８を含んで構成される。生産性の観点から最適流量を低減した生産性流量を設定できる。 （もっと読む）

【課題】露光装置等の製造装置において不具合が発生した場合に、その不具合を再現させ、その原因を調査するための再現情報の収集。
【解決手段】製造装置の状態を擬似製造装置によって再現する再現方法は、前記製造装置から出力された動作ログを取得する取得工程と、前記動作ログから抽出キーを使ってパラメータの値を抽出し、抽出したパラメータの値を処理することにより状態再現情報を生成する生成工程と、前記状態再現情報に基づいて前記製造装置の状態を前記擬似製造装置によって再現する状態再現工程とを含み、前記状態再現情報は、前記製造装置に入力された製造条件を示す製造条件情報および前記製造装置の特性を示す特性情報の少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内の温度分布を時系列にシミュレーションすることができる装置を提供する。
【解決手段】ウエハ温度シミュレーション装置は、素子部被覆率計算部３２と、実効放射率計算部３３と、モデル作成部３４と、熱拡散方程式解法部３５とを具備する。素子部被覆率計算部３２は、素子領域を有するウエハのレイアウトデータに基づき、ウエハ材料の拡散長を超えない長さに分割された複数の領域の各々毎に、当該領域に占める素子領域の割合を示す被覆率を算出する。実効放射率計算部３３は、領域毎に、被覆率と設定された素子領域の放射率及び素子分離領域の放射率とに基づき、実効放射率を求める。モデル作成部３４は、ウエハ表面に実効放射率を、ランプに温度の時間変化及び放射率を設定したモデルを作成する。熱拡散方程式解法部３５は、モデルに基づき、ランプ加熱工程でのウエハ表面の過渡熱拡散を計算しウエハの温度分布を算出する。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造設備及び搬送ロボットが稼働できるまでの工期を短縮できるシミュレーションシステムを提供する。
【解決手段】 シミュレーションシステム１は、半導体製造設備に備わる処理装置を制御する制御装置３と、処理装置に半導体ウェハを搬送する搬送ロボットが動作指令に応じて実行する搬送動作をシミュレーションするシミュレーション装置２と、制御装置３と前記シミュレーション装置２とを通信させるシリアル通信ケーブル４とを備える。制御装置３は、搬送ロボットの搬送動作を制御するために搬送ロボットに送信する制御指令をシミュレーション装置２に送信するようになっている。またシミュレーション装置２は、送信された制御指令が動作指令に対応している場合、対応する動作指令に応じて実行する搬送動作をシミュレーションするようになっている。 （もっと読む）

【課題】プラズマドーピング処理のシミュレーションを簡便且つ精度良く行えるプロセスシミュレーションプログラム、プロセスシミュレーション方法、プロセスシミュレータを提供する。
【解決手段】プラズマドーピング処理を含むプロセスのシミュレーションをコンピュータに実行させるためのプロセスシミュレーションプログラムであって、プラズマドーピングの条件データを、イオンビームとして不純物を半導体に注入するイオン注入用の条件データに対応させて変換する処理と、プラズマドーピングの条件データを変換して得られたイオン注入用の条件データに基づいてデバイス構造データを計算する処理と、をコンピュータに実行させる。 （もっと読む）

【課題】 イオン注入分布発生方法及びシミュレーション装置に関し、テール関数におけるイオン注入分布のテールの拡がりを表すパラメータＬの比例係数ξ_Ｌに物理的意味を持たせる。
【解決手段】 非晶質層中のイオン分布から抽出したモーメントパラメータ、イオンの飛程の注入方向の射影を表すパラメータＲ_ｐ、分布の標準偏差ΔＲ_ｐ、注入イオン分布の左右非対称性を表すパラメータγ、注入イオン分布のピークの鋭さを表すパラメータβを前記テール関数のＲ_ｐ、ΔＲ_ｐ、γ、βとして用い、ｘを基板の深さ方向、Φを注入するイオンのドーズ量、Φ_ｃｈａｎをチャネルドーズ量、ｎ_ａ（ｘ）を非晶質パートの分布関数、ｎ_ｃ（ｘ）をチャンネリングパートの分布関数として下記の式で表されるテール関数Ｎ（ｘ）からイオン注入分布を発生させる際に、イオン注入分布のテールの広がりを表すパラメータＬの比例係数ξ_Ｌをイオンの散乱角θ_ａｖとの関係で定義する。
Ｎ（ｘ）＝（Φ−Φ_ｃｈａｎ）ｎ_ａ（ｘ）＋Φ_ｃｈａｎｎ_ｃ（ｘ） （もっと読む）

【課題】シミュレーション方法において、露光マスクの投影像をシミュレーションするのに要する計算時間を短縮化すること。
【解決手段】演算部４ａが、露光マスク１６に入射する入射光の振幅ベクトルE_inc(s_x, s_y)と、露光マスク１６から出る透過光の振幅ベクトルE_trans(s_x, s_y; f, g)との間の変換行列を求めるステップＰ３と、演算部４ａが、露光マスク１６を透過する前の露光光の振幅ベクトルE_inc(s_x', s_y')を変換行列に乗じることにより、露光マスク１６を透過した露光光の振幅ベクトルE_trans(s_x', s_y'; f, g)を求めるステップＰ５と、演算部４ａが、露光マスク１６を透過した露光光の振幅ベクトルE_trans(s_x', s_y'; f, g)に基づいて、露光マスク１６の投影像の光強度を算出するステップとを有するシミュレーション方法による。 （もっと読む）

【課題】 イオン注入分布発生方法及びシミュレータに関し、１ｋｅＶ程度の低エネルギー領域から数ＭｅＶの高エネルギー領域に渡って、実際のイオン注入分布を精度良く再現する。
【解決手段】 注入イオンの軌跡をモンテカルロ法によって計算してイオン注入分布を発生させる際に、前記注入イオンに対する電子阻止能Ｓ_ｅを、リントハルトモデルの電子阻止能Ｓ_ｅＬと、ベーテモデルの電子阻止能Ｓ_ｅＢを修正した修正電子阻止能Ｓ_ｅ-ｍＢとの組合せにより表す。 （もっと読む）

【課題】プロセスモデルを適切に評価又は生成することが可能なプロセスモデル評価方法、プロセスモデル生成方法、及びプロセスモデル評価プログラムを提供する。
【解決手段】複数の所定のパターンについて実際にプロセスを適用して形成された第一のパターンと、所定のパターンから第一のパターンを得るためのプロセスをモデル化したプロセスモデルを用いて複数の所定のパターンに基づいて計算された第二のパターンとの寸法ずれ量を求め、第二のパターンのうち寸法ずれ量が所定のしきい値以下となるパターンの個数に基づく評価指標によりプロセスモデルを評価する。 （もっと読む）