【課題】予め実験的に求めていたパラメーターにより結晶欠陥の密度やサイズを予測する手法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶中における結晶欠陥のサイズおよび密度を予測する結晶欠陥状態予測方法であって、
実験データを解析し関連する物理パラメーターを抽出し、その物理パラメーターについてデータベースを構築する工程と、
前記データベースのデータを用いて、結晶欠陥のサイズおよび密度を算出する工程と、
を有するとともに、
前記データベースが、結晶欠陥の密度およびサイズに大きく影響を与える独立要素と、
該独立要素に従属する従属要素としての結晶欠陥のサイズ分布中における最大サイズと最小サイズとを有してなる。 （もっと読む）

【課題】 電気的な性能判断に加えコスト面からも判断可能なＦＯＭを新たに提案し、このＦＯＭに基づいて、電気的な性能を満足することに加え低コスト化をも図った半導体チップの製造方法の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板２の電気的な性能を示す項と半導体チップコスト６を示す項の積として半導体チップのＦＯＭ７を定めて、この半導体チップのＦＯＭ７に基づいて種類の異なる基板（２ａ，２ｂ）に対する半導体チップのＦＯＭ７を計算し、この計算結果の大小に基づいて、種類の異なる基板（２ａ，２ｂ）から所望の基板を選択し、選択された所望の基板に半導体素子を形成して半導体チップを得るようにした。 （もっと読む）

【課題】ウエハごとの特性不良率と工程別の異物不良率を高精度に予測する予測方法とプログラム、および、この特性不良と工程別の異物不良の発生率の違いに基づいて原因を究明する半導体製造装置の管理方法とこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置の管理システムにおいて、特性不良・工程別異物不良率予測部１２１は、フェイルビットモードごとの実績不良率と工程ごとフェイルビットモードごとのクリティカルエリアとを取得し、任意のフェイルビットモードを除いたフェイルビットモードごとの実績不良率と工程ごとフェイルビットモードごとのクリティカルエリアとを用いて工程ごとの異物数を算出し、この異物数を用いて工程ごとの異物不良率ならびにフェイルビットモードごとの異物不良率を算出し、このフェイルビットモードごとの異物不良率と実績不良率とに基づいて任意のフェイルビットモードの特性不良率を算出する。 （もっと読む）

【課題】コンパクトな構造で用紙の向きを揃えてスタンプを押印する紙折り装置を提供する。
【解決手段】回路シミュレーションモデル記述のためのＳＰＩＣＥパラメータを格納する初期パラメータ記憶手段と、シミュレーション対象回路を構成する素子の接続情報を有するシミュレーション対象回路ネットリストを格納するネットリスト記憶手段と、ＳＰＩＣＥパラメータを新規デバイスに対応するパラメータに最適化するための知識情報をデータベース化した最適化知識情報を格納する知識情報記憶手段と、ユーザの所望するデバイスの条件を受け付ける条件入力手段と、最適化知識情報を参照して、ＳＰＩＣＥパラメータを調整してユーザの所望する新規パラメータを作成するパラメータ作成手段と、パラメータ作成手段にて作成した新規パラメータを基に、回路シミュレーションを行うシミュレーション実行手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】部分的に活性化されたドープ半導体領域の活性化の程度および活性ドーピングプロファイルを非破壊的手法で決定するための方法及び／又は手順を提供する。
【解決手段】ほぼ同じ既知の注入されたままの濃度および、既知の変化する接合深さを有する少なくとも２つの半導体領域のセットを用意する工程１０、これらの領域のうち少なくとも１つについて、注入されたままの濃度の決定工程２０、前記セットのうち少なくとも２つの半導体領域をＰＭＯＲ技術により部分的に活性化させる工程３０、反射プローブ信号の符号付き振幅を接合深さの関数として、少なくとも２つのレーザ間隔値について測定および／またはＤＣプローブ反射率を接合深さの関数として測定する工程４０、これらの測定値から活性ドーピング濃度を抽出する工程８０、全体の注入されたままの濃度および活性ドーピング濃度を用いて、不活性ドーピング濃度を計算する工程９０を含む。 （もっと読む）

【課題】 イオン注入分布発生方法に関し、２次の拡張ＬＳＳ理論における摂動計算のモデル式を近似して簡便なＲ_ｐ、ΔＲ_ｐ及びΔＲ_ｐｔを求める。
【解決手段】 ２次の拡張ＬＳＳ理論における摂動計算のモデル式を求める際に、全阻止能（Ｓ_ｎ＋Ｓ_ｅ）に対する核阻止能Ｓ_ｎの比ｒ＝Ｓ_ｎ／（Ｓ_ｎ＋Ｓ_ｅ）を複数のエネルギー領域で区分し、前記区分した各エネルギー領域で前記ｒを定数ｒ_ｓとして扱う。 （もっと読む）

【課題】
三次元構造を有する半導体基板の光アニール工程における実効吸収率分布を簡便に近似して実効吸収率分布を予測する工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、（ａ）半導体基板に素子分離領域を形成することによって、素子分離領域に囲まれた活性領域を画定し、活性領域上方にゲート電極を形成すると共に素子分離領域上に配線を形成し、不純物をイオン注入し、光を照射してイオン注入した不純物を活性化することによって得られる半導体装置の設計データを準備する工程と、（ｂ）半導体基板の平面内において厚さ方向の一次元構造を分類し、各一次元構造毎に入射光の反射率と面積密度とを加重平均した値と、異なる光学的特性の領域が形成する三次元構造の境界面の側面の面積と該三次元構造に依存する係数を加重平均した値とを用いて半導体基板の表面内における実効的光吸収率の二次元分布を求める工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】歩留りに基づく修正メリット関数を使用した光近接補正法を提供すること。
【解決手段】レイアウト・ジオメトリに関係した既知の故障メカニズムを使用して、エッジ・フィーチャなどのレイアウト・フィーチャ間の距離値に基づく歩留り関数を導き出す。予測レイアウト・パターン上のエッジ点と設計レイアウト・パターン上の対応点との比較では、まず最初に歩留りテストを実施し、その後に予測レイアウト・パターン上の点を歩留りがより高い位置へ移動させる。歩留りが許容しうる場合、それ以上の移動は実施しない。点を段々と移動させた結果、許容しうる歩留りに到達する前に許容される近接範囲内に入った場合には、他の考慮事項のためにその点にフラグを立てる。 （もっと読む）

【課題】 イオン注入分布発生方法及びシミュレータに関し、近似を効果的に用いることによって計算時間を大幅に短縮する。
【解決手段】 半導体に注入するイオンの飛程の射影Ｒ_p の２次の項まで考慮した射影〈Ｒ_p （Ｅ）〉⁽²⁾ を、１次の項まで考慮した既知の射影を〈Ｒ_p （Ｅ）〉⁽¹⁾ とした時に、摂動項Δ_p ⁽²⁾ （Ｅ）を用いて、
〈Ｒ_p （Ｅ）〉⁽²⁾ ＝〈Ｒ_p （Ｅ）〉⁽¹⁾ ＋Δ_p ⁽²⁾ （Ｅ）
とした近似式を用いた２次の摂動モデルを用いて求める。 （もっと読む）

【課題】 イオン注入分布発生方法に関し、モーメントパラメータの任意性をなくすとともに、適用種類及び適用範囲を拡大する。
【解決手段】 ｘを基板の深さ方向、Φを注入するイオンのドーズ量、Φ_chanをチャネルドーズ量、ｎ_a （ｘ）を非晶質パートの分布関数、ｎ_c （ｘ）をチャンネリングパートの分布関数とすると、下記の式で表されるテール関数Ｎ（ｘ）からイオン注入分布を発生させる際に、非晶質層中のイオン分布から抽出したモメントパラメータ、イオンの飛程の注入方向の射影を表すパラメータＲ_p 、Ｒ_p の標準偏差ΔＲ_p 、注入イオン分布の左右非対称性を表すパラメータγ、注入イオン分布のピークの鋭さを表すパラメータβを前記テール関数のＲ_p 、ΔＲ_p 、γ、βとして用いてイオン注入分布を発生させる。
Ｎ（ｘ）＝（Φ＋Φ_chan）ｎ_a （ｘ）＋Φ_chanｎ_c （ｘ） （もっと読む）