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国際特許分類[H01L21/00]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847)

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【課題】オクタデカボランB1822のような大きなサイズのクラスター型分子イオン注入であっても、高精度かつ高速に計算ができるイオン注入分布のシミュレーション方法を提供することにある。
【解決手段】イオン注入プロセスのモンテカルロシミュレーション計算過程において、10個以上の原子からなるクラスター型分子イオンのモンテカルロ法による散乱を計算する場合に、クラスター型分子の分解処理の時に、分解した個々の原子の進行方向を空間的に一様ランダムな方向に決定する。もしくは、イオン注入プロセスのモンテカルロシミュレーション計算過程において、10個以上の原子からなるクラスター型分子イオンのモンテカルロ法による散乱を計算する場合に、所定のパラメータで指定したエネルギー損失になる大角度散乱イベントが起きた段階で、クラスター型分子を分解させ、かつ分解した個々の原子の進行方向をランダムに決定する。 (もっと読む)


【課題】次世代の光半導体デバイス開発の基礎になるものと期待されている、量子ドットの形成過程について、従来の静的な計算結果ではなく、動的過程を解明するための有効な計算方法を提供する。
【解決手段】対象を三領域に分割し、そのそれぞれで別系統の計算手法を適用することにより、マルチスケールかつハイブリッドな計算機シミュレーションの方法を実現している。それらのうち、最上部の表面層領域における原子拡散により引き起こされた歪みの効果を、中間部のサブメッシュ上の分離力学計算領域に伝え、この領域で緩和をおこなった結果を、下部領域にある有限要素法の計算部分に伝達することにより、隔たった領域間の歪みの相互作用の効果を、中間部を通じて表面領域にフィードバックさせるようなアルゴリズムが構成できる。また、そのアルゴリズムを実現するシステムを構築する。 (もっと読む)


【課題】高精度、且つ、高速な形状予測演算が可能な形状予測シミュレータを提供する。
【解決手段】化学機械研磨により形成される研磨面の形状を予測する形状予測シミュレータであって、形状予測の対象領域を複数の領域に分割する際の、各分割領域の間のオーバーラップ量を定義するオーバーラップ量定義部4と、上記対象領域を、オーバーラップ量定義部4にて定義されたオーバーラップ量に対応する領域を含む上記複数の領域に分割し、該分割領域毎の形状予測を分散処理により演算する形状予測演算処理部5と、形状予測演算処理部5で演算した上記分割領域毎の形状予測結果を合成するマージ処理部6と、を有する。 (もっと読む)


【課題】半導体中の離散不純物対する有効不純物ポテンシャルを、任意性のあるパラメータを含むことなく、数値的に安定に算出する有効不純物ポテンシャル算出方法を提供すること。
【解決手段】有効不純物ポテンシャル算出方法において、半導体中に1つの不純物が存在する場合の局所状態密度を算出する工程(ステップS1)と、局所状態密度に基づいて所定の温度及びフェルミ準位における局所電子密度を算出する工程(ステップS2)と、自由電子の状態密度に基づいて所定温度及びフェルミ準位における電子密度を自由電子密度として算出する工程(ステップS3)と、局所電子密度と自由電子密度とが一致するように自由電子状態密度のバンド端エネルギーを決定し(ステップS3〜S5)、決定されたバンド端エネルギーを不純物による有効不純物ポテンシャルとする工程(ステップS6)と、を含む。 (もっと読む)


【課題】異なる加速エネルギーを用いた多段イオン注入工程において、不純物濃度分布の実現方法、ならびに不純物濃度分布シミュレーションに関する方法を提供する。
【解決手段】不純物分布実現は、イオン注入時に半導体結晶表面に非晶質層のある場合には各段の注入エネルギーが次段イオン注入工程における不純物イオンのチャネリングを抑制できるように接近し、注入エネルギーの低い段から順次イオン注入を行い、半導体結晶表面に非晶質層のない場合には打ち込みイオンが該半導体結晶のチャネリング方向に対し7度以上の角度で入射させ、注入エネルギーの高い段から順次イオン注入を行い、不純物濃度分布シミュレーション方法では、デュアルピアソンテーブルデータを用い、初段注入条件に対して不純物濃度分布を決定し、2段目以降では、注入量に対するアモルファス成分量の割合を表すパラメータに、当該イオン注入工程以前の履歴を反映するようにした。 (もっと読む)


【課題】酸化シミュレーションにおける応力分布計算の精度の劣化を抑えることができる半導体酸化工程の応力分布計算方法を提供する。
【解決手段】酸化種104の拡散方程式を解くことによりシリコン100の酸化に関する物理分布情報を取得し、半導体素子112の領域を等間隔で複数の補助メッシュ32に分割した補助メッシュ空間を設定し、物理分布情報を補助メッシュ32に設定して応力分布を計算し、応力分布を平均化した平均化応力分布を計算し、半導体素子112の領域を非等間隔で複数の実メッシュ34に分割した実メッシュ空間を設定し、補助メッシュ空間における平均化応力分布を実メッシュ空間における応力分布に変換し、変換後の応力分布に基づいて、半導体素子112の形状を更新する。 (もっと読む)


【課題】コンピュータシミュレーションによって得られる酸素析出物(BMD)の挙動を、赤外線トモグラフ法で得られる画像イメージで表示することによって、BMDの挙動を直感的、視覚的に理解することを可能にする方法を提供する。
【解決手段】あらかじめコンピュータシミュレーションによって準備される、半導体単結晶中の酸素析出物の密度の情報をコンピュータに入力する入力処理と、この密度に対して、表示装置の表示領域に相当する体積を乗ずることにより、表示領域中の酸素析出物の個数を算出する個数算出処理と、乱数を用いて、個数分の前記表示領域中の酸素析出物の位置座標を生成する座標生成処理と、位置座標に応じて、表示装置に表示領域中の酸素析出物を画像として表示する出力処理を有することを特徴とするコンピュータを用いた半導体単結晶中の酸素析出物を画像化して表示する方法。 (もっと読む)


一実施形態は、マスク角部円形化(MCR)効果をモデル化する改良型プロセスモデルを決定するシステムおよび技術を提供する。動作中、システムは、マスクレイアウトと、マスクレイアウトにフォトリソグラフィープロセスを適用することによって生成されたプロセスデータとを受信してもよい。システムはまた、一式のMCR構成要素を含有してもよい、未較正プロセスモデルを受信してもよい。次に、システムは、マスクレイアウトにおいて一式の角部を識別してもよい。次いで、システムは、修正されたマスクレイアウトを得るように、一式の角部に近接するマスクレイアウトを修正してもよい。あるいは、システムは、一式のマスク層を決定してもよい。次に、システムは、修正されたマスクレイアウトおよび/または一式のマスク層、およびプロセスデータを使用して、未較正プロセスモデルを較正することによって、改良型プロセスモデルを決定してもよい。
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【課題】モンテカルロ計算結果をモーメント校正なしに精度よく再現することのできる半導体集積回路の設計方法および設計装置の提供を図る。
【解決手段】モンテカルロ法を適用した半導体集積回路の設計方法であって、基板に対する処理を行う場合、該基板が存在しない負の領域に対して疑似負基板を仮定するステップと、前記基板および前記仮定された疑似負基板を使用してモンテカルロ計算を行うステップ(ST1)と、前記モンテカルロ計算により得られた結果からモーメントパラメータを計算するステップ(ST2)と、前記計算されたモーメントパラメータを使用して全領域で定義された分布を発生するステップ(ST3)と、を備えるように構成する。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスの応力をモデリングする方法を提供する。
【解決手段】コンパクト・モデル内のモデル・パラメータの正確さを改善する計算方法は、応力モデルを、ベース・モデルを生成するデータセットに再フィッティングすることによって、独立に形成されたベース・モデルと応力モデルを矛盾が無いように適合させるための方法及びアルゴリズムを用いる(310、320)。再フィッティング・アルゴリズムは、応力モデルが寸法スケーリング・マクロから取得されるデータセットに適用されるので、ベース・モデルと応力モデルの間のあらゆる不一致を除去する。寸法スケーリング・マクロのデバイスに関する応力オフセットは、同じデバイスのモデル・パラメータの測定値にフィットするように計算される(340)。モデル・パラメータを寸法スケーリング・マクロからのデータセットにフィッティングするプロセスは、モデル・パラメータに関する定数、1次及び2次係数を計算し、これらが回路のシミュレーション及び最適化に用いられるモデル・パラメータ及びコンパクト・モデルの正確さを増すように用いられる(360)。 (もっと読む)


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