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国際特許分類[H01L21/00]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847)

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【課題】膨縮後における配線溝の形状を表現する溝形状関数モデルを利用した膜厚予測シミュレーションをおこなうことによって、基板表面上に形成される薄膜の膜厚を正確に予測する。
【解決手段】膜厚予測装置は、TEGを用いて実測された各種パターンの配線溝上に形成される銅メッキの膜厚の実測値と、メッキモデルおよび条件ファイルに基づいて算出された銅メッキの膜厚と、を比較する。つぎに、この比較結果から、最も適したメッキモデルを導出し、最適なメッキモデルを用いて設計対象となる基板表面に形成される銅メッキの膜厚を算出する。これにより、膜厚予測装置によれば、精度の高い膜厚予測シミュレーションをおこなうことができる。 (もっと読む)


【課題】 イオン照射効果評価方法、プロセスシミュレータ及びデバイスシミュレータに関し、イオン照射にともなって基板を構成する原子が受ける影響を精度良く評価する。
【解決手段】 少なくとも一種類の層が同位体層3からなる複数の薄膜層を交互に周期的に積層した試料1に対してイオン5を照射して、照射したイオン5による前記試料1を構成する原子に対する影響を評価する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の電気特性および加工寸法の変動を低減し、半導体装置を高品質で高歩留まりで製造できる、半導体装置の製造技術を提供する。
【解決手段】半導体製造システムにおいて、測定領域の配線方向の長さを、配線幅の10倍以上として配線幅を測定する検査工程202を有し、この配線幅の検査工程を含む、複数の検査工程の検査データを収集する機能(データ収集ユニット203)、その検査データを用いて半導体装置の電気特性または加工寸法の予測モデルを生成し、この予測モデルから制御モデルを生成する機能(データ解析ユニット204)、および半導体装置の製造工程の複数の検査工程の検査データと制御モデルを基に制御工程の処理条件を適切に制御する機能(プロセス制御ユニット205)を有し、半導体装置の製造工程の制御方法を実現する。 (もっと読む)


本発明は、レチクル・レイアウトに関する計測学的ターゲット構造設計を生成するためのコンピュータ実施方法、キャリア・メディア、そしてシステムに関する。レチクル・レイアウトに関し計測学的ターゲット構造設計を生成するためのコンピュータ実施方法の一つは、ウエハ上に計測学的ターゲット構造を形成するために使用される一つ又は複数の製造プロセスと、一つ又は複数の初期計測学的ターゲット構造設計に基づき、一つ又は複数の初期計測学的ターゲット構造がウエハ上にどのように形成されるかをシミュレートすることを含む。また本方法は、シミュレーション・ステップの結果に基づき計測学的ターゲット構造設計を生成することを含む。
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【課題】低エネルギーイオン注入により非晶質膜を通じて半導体基板中に形成された不純物濃度プロファイルを解析モデルを用いて高精度に予測する。
【解決手段】半導体領域32の不純物濃度プロファイルを表す第1のピアソン関数の投影飛程及び分散は現実の不純物濃度プロファイルの最大濃度部33の形状に基づいて抽出される。非晶質膜領域31の不純物濃度プロファイルを表す第2のピアソン関数の投影飛程は第1のピアソン関数の投影飛程を特定割合で小さくすることで算出され、分散は第1のピアソン関数の分散を特定割合で小さくすることで算出される。同一不純物が異なる注入エネルギーで注入された場合、半導体領域での投影飛程と分散は注入エネルギーの減少に伴って減少するように抽出され、歪度と尖度は注入エネルギーの減少に伴って増加するように抽出される。歪度と尖度は現実の不純物濃度プロファイルのテール部34の形状に基づいて抽出される。 (もっと読む)


【課題】距離測定法を用いて不良モード別の不良率を算出すること。
【解決手段】半導体メモリデバイスの設計レイアウトデータ上の座標から、半導体メモリデバイスを形成する各配線に至る最短距離と、各配線を通過する最短距離と、を予め定めた個数算出する第一のシミュレーション実施部121と、そのような最短距離をサイズとする異物の致命率と発生確率とから半導体メモリデバイスの歩留まりを算出するフェイルビットモード別予測解析部123と、を備える。 (もっと読む)


【課題】高精度なシミュレーションを実現し得るシミュレーション方法、及び、そのシミュレーション方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】主パターン10と補助パターン12とが形成されたフォトマスクを用いて露光した際にフォトレジスト膜上に転写されるパターンをシミュレートするシミュレーション方法であって、補助パターンの設計寸法にバイアス値が加えられたデータを補助パターンの寸法のデータとして用いてシミュレーションを行う。補助パターンの設計寸法にバイアス値が加えられたデータを補助パターンの寸法のデータとして用いてシミュレーションを行うため、高い精度でシミュレーションを行うことができ、フィッティング誤差を極めて小さくすることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】リソグラフィにおける非対称図形の測定CDを正確に扱うことで、所望のマスクパターンを得るのが課題となっている。
【解決手段】CDをもたらす2箇所のエッジ、すなわち対となるエッジ両方の、当初設計からの位置ずれ量に注目し、非対称パターンでは、対となるエッジ両方の位置ずれ量が異なるが、それには相関関係があり、リソグラフィ・シミュレーションにおいて、測定CDと計算CDが同じとなる初期閾値・初期エッジ座標を求め、閾値が光強度勾配に依存することを利用すれば、このエッジの座標は不動点が無くとも求められることより、測定CDのみで、対となるエッジ両方の座標とその閾値を求める。 (もっと読む)


【課題】トランジスタを含むアナログ回路シミュレーションにおいて、シミュレーション回路を変更することなく回路中の貫通電流を検知できるハイインピーダンス検出方法を提供することを目的とする。
【解決手段】回路中の全ノードに対し、ハイインピーダンス状態になる条件が存在するかどうかを解析する工程を有する。また回路中の全ノードに対し、ハイインピーダンス状態により貫通電流が生じる条件が存在するかどうか解析する工程を有する。またハイインピーダンス状態になる条件と、ハイインピーダンス状態により貫通電流が生じる条件がシミュレーション実行中に成立するかどうかを検出する工程を有する。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板中に注入したホウ素の拡散を、広い範囲の活性化熱処理条件に対して高い精度で予測する方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板に注入したホウ素原子の注入直後の濃度分布を設定する第1のステップと、単独で存在するホウ素原子(Bs)と単独で存在する格子間シリコン原子(I)の拡散速度と、クラスタBspBiqrの分解速度と拡散速度と、を設定する第2のステップと、活性化熱処理によるBs、I、BspBiqrの拡散を計算する第3のステップと、各zにおけるBsとBspBiqrの濃度から活性化熱処理後のホウ素原子の濃度分布を求める第4のステップと、を含む拡散シミュレーション方法であって、第3のステップの前に予備熱処理による拡散を計算することを特徴とする。 (もっと読む)


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