国際特許分類[H01L21/00]の内容

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【課題】紫外線の膜へのダメージ量の正確な予測が行えるようにするシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】可視領域の発光スペクトルに関連付けした、紫外領域の各波長の発光強度の予測式を、多変量解析によって算出し、算出した予測式と、実際に検出された可視領域の発光スペクトルと、を用いて、紫外領域の発光スペクトルを予測し、予測した紫外領域の発光スペクトルから、半導体装置の製造における、紫外線によるダメージ量を予測するシミュレーション方法を実行する。 (もっと読む)


【課題】基板処理装置を構成する搬送機構が有する基板支持具の設計動作及び検出動作をシミュレートした動画像を生成することにより、基板支持具の異常動作に関する原因判定材料を提供可能な動画像生成装置、動画像生成方法及び動画像生成システムを提供する。
【解決手段】動作データ生成部21bは、受け付けた基板支持具に関する動作の履歴情報2Dに基づいて、基板支持具の検出動作データ4Dを生成する。抽出部21aは、基板処理装置に係るCADデータ1Dから基板支持具の形状データ5Dと設計動作データ6Dとを抽出する。動画像生成装置は、抽出した基板支持具の形状データ5D及び設計動作データ6D並びに生成した基板支持具の検出動作データ4Dに基づいて、基板支持具の設計動作と検出動作とをシミュレートした動画像を生成する動画像生成部21eを備えている。 (もっと読む)


【課題】LSA工程でのシリコン基板内に生じる物理的現象を正確に予測できる、シミュレーションによるLSAを施す際に生じるBMDからの発生転位予測方法を提供する。
【解決手段】第1〜第5ステップで、基板をメッシュ要素に細分化してメッシュ化し、LSAのレーザービームの入射エネルギーを負荷として基板の温度分布の時間変化を求め、更にこの温度分布から熱応力分布の時間変化を求める。第6〜第8ステップで、任意の位置Aにおける深さ方向の分布を各時間で選び出し、選び出した温度分布からBMDから発生する転位の臨界応力を求め、選び出した応力分布からせん断応力を求める。第9〜第11ステップで、臨界応力とせん断応力とを各深さ位置ごとに比較し、比較結果から各深さ位置の転位長さを求め、この転位長さからスリップ発生の深さを求める。 (もっと読む)


【課題】ウェル近接効果の簡易なシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】基体上に形成された構造体に注入され、構造体の側面から基体に再注入される再注入ドーズを算出し、分布関数と再注入ドーズの再注入条件とから、基体に注入される不純物の濃度分布を算出するイオン注入のシミュレーションを行う。 (もっと読む)


【課題】大きなタイムステップをとった場合、あるいは表面成長速度を計算するステップを減らした場合、において、界面付近の形状をより正確に算出できるシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】物質表面の加工形状のシミュレーションを行うシミュレーション方法であって、前記物質表面が物質界面を横切るステップを計算する際に、前記物質表面から前記物質界面への距離と、表面成長速度と、を用いて、前記ステップの時間間隔Δtを決定することを特徴とするシミュレーション方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】複数層構造を有する半導体基板において、μ−PCD法によりバルクライフタイムを測定することを目的の一とする。また、表面にDZ層を有する半導体基板において、μ−PCD法により該DZ層の厚さを測定することを目的の一とする。
【解決手段】複数層構造の半導体基板について、実験によるμ−PCD法の結果と、シミュレーションによるμ−PCD法の結果とを重ね合わせることで、解析を行うものである。実験によって得られたライフタイムの実測値と、シミュレーションによって得られたライフタイムの計算値を重ね合わせ、実験に用いた半導体基板におけるDZ層の厚さを測定することができる。 (もっと読む)


【課題】現実の物理現象を精度良く実現することができるシミュレーションを提供する。
【解決手段】基板に対して、入射粒子を入射し、各入射粒子の基板中における静止位置座標を求めることにより、基板中の前記入射粒子の分布を計算するイオン注入シミュレーションプログラムは、1個の入射粒子を前記基板に入射し、基板中に含まれる原子と衝突を繰り返しつつ基板中を進行する入射粒子の軌跡と、入射粒子が衝突により失うエネルギーとを、あらかじめ入力された基板の組成に基づき、計算して、入射粒子の静止位置座標を算出する第1の処理と、基板が入射させた入射粒子を含むことに応じて基板の組成を更新する、第2の処理とを、所望の回数だけコンピュータに繰り返し実行させる。 (もっと読む)


【課題】計算時間を短縮できる電磁場シミュレーション方法、電磁場シミュレーション装置、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電磁場シミュレーション方法は、電磁波が伝播する媒質に基づいて与えられた計算領域に第1のメッシュを設定する工程と、第1のメッシュ上に割り当てられた媒質の特性値に基づいて、周波数領域解法により第1のメッシュ上での電磁場分布を算出する工程と、計算領域に第2のメッシュを設定する工程と、周波数領域解法により得た電磁場分布を、第2のメッシュに割り当てる工程と、第2のメッシュに割り当てた電磁場分布を、時間領域解法により所定の時間単位で更新する工程と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】短い計算時間で不純物分布精度の高いプロセスシミュレーションを行う。
【解決手段】元々の計算では考慮されていたが、計算時間を削減するための領域限定により計算領域から除外された隣接領域と同一材質の仮想膜を界面に付加して不純物拡散の計算を実行し、計算結果から元の構造の不純物濃度を更新し、後続のプロセスに移る際に仮想膜のデータを破棄する。 (もっと読む)


【課題】事象の分布データに対して、パラメータの任意性を低減して分布関数を合わせ込むことができる情報処理技術を提供する。
【解決手段】情報処理装置は、第1関数と第2関数とについて、第2関数による生成データと分布データ列との誤差が低減するようにパラメータを調整する手段と、第1関数と第2関数とを極値の位置で接続した関数のモーメントからPearson関数を特定する特性係数
を算出する手段と、分布データ列が得られたときの条件データに関連づけて特性係数をデータベースに保存する手段と、計算対象の条件データに対応する特性係数を、データベースに保存された特性係数から補間する手段と、補間された特性係数で特定されるPearson
関数による分布データを算出する手段とを有する。 (もっと読む)


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